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公开(公告)号：CN103578905B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210265954.6
申请日：2012-07-30
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种电感耦合等离子体处理设备，包括：具有介质盖的反应腔室；射频线圈，所述射频线圈通过线圈支撑装置安装在所述介质盖上方，用于将射频能量感应耦合至所述反应腔室中以在所述反应腔室中产生并维持等离子体；和晶片支撑装置，用于支撑晶片，其中所述射频线圈与所述晶片支撑装置间的距离通过调整所述射频线圈在所述线圈支撑装置上的位置进行调节。本发明提供的电感耦合等离子体处理设备，射频线圈在线圈支撑装置上的位置为可调，从而可调节射频线圈与晶片之间的距离，增大了工艺窗口，通过调节射频线圈与晶片之间的距离，可改变到达晶片表面的等离子体的分布，进而改善晶片的工艺处理效果。
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公开(公告)号：CN103305800B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210065131.9
申请日：2012-03-13
发明人： 吕铀
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种磁控溅射设备，其包括反应腔室、射频线圈以及线圈射频电源，所述射频线圈环绕于所述反应腔室的侧壁设置，并与所述线圈射频电源连接，其中，在所述射频线圈的外侧设有用于使所述射频线圈产生的磁场偏向所述反应腔室的中心线分布的汇聚磁体，所述汇聚磁体采用频率范围与所述射频电源的工作频率匹配的软磁铁氧体材料制成。本发明提供的磁控溅射设备借助汇聚磁体可以改变射频线圈产生的磁力线的分布状况，从而可以提高射频能量的利用率，同时可以减少反应腔室的环境污染和靶材的浪费。
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公开(公告)号：CN103014745B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110299536.4
申请日：2011-09-28
发明人： 吕铀
IPC分类号： C23C14/22
摘要： 本发明提供一种等离子体预清洗装置，包括线圈、法拉第屏蔽件、介质桶、设置在所述介质桶顶端的顶盖以及与所述介质桶底端相连的腔体，所述法拉第屏蔽件套在所述介质桶的外侧，所述线圈缠绕在所述法拉第屏蔽件的外侧，所述法拉第屏蔽件包括沿所述介质桶周缘方向排列的至少两个相互不接触的法拉第屏蔽单元。该等离子体预清洗装置不仅可以减少线圈与等离子体之间容性耦合的发生，而且可以减少、甚至避免法拉第屏蔽件上产生涡流，从而可以提高作用在线圈上的射频功率的能量耦合效率。
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公开(公告)号：CN102543645B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201010603743.X
申请日：2010-12-14
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种法拉第屏蔽以及等离子体加工设备，该法拉第屏蔽包括n块板材，其中，n为大于或等于1的整数，相邻两块所述板材的接合端或一块所述板材的两个接合端相接合而形成不接触的接合部，所述板材的接合端设有回弯部，所述回弯部形成一端开口的空间，位于所述接合部的两个所述回弯部相互嵌套设置而使得所述接合部形成弯曲的通道。因此，该法拉第屏蔽可以有效地防止等离子体沉积到腔室的内壁，降低法拉第屏蔽形成环流的可能，而且，制作成本以及安装精度要求低。
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公开(公告)号：CN103305800A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210065131.9
申请日：2012-03-13
发明人： 吕铀
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种磁控溅射设备，其包括反应腔室、射频线圈以及线圈射频电源，所述射频线圈环绕于所述反应腔室的侧壁设置，并与所述线圈射频电源连接，其中，在所述射频线圈的外侧设有用于使所述射频线圈产生的磁场偏向所述反应腔室的中心线分布的汇聚磁体，所述汇聚磁体采用频率范围与所述射频电源的工作频率匹配的软磁铁氧体材料制成。本发明提供的磁控溅射设备借助汇聚磁体可以改变射频线圈产生的磁力线的分布状况，从而可以提高射频能量的利用率，同时可以减少反应腔室的环境污染和靶材的浪费。
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公开(公告)号：CN102543645A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010603743.X
申请日：2010-12-14
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种法拉第屏蔽以及等离子体加工设备，该法拉第屏蔽包括n块板材，其中，n为大于或等于1的整数，相邻两块所述板材的接合端或一块所述板材的两个接合端相接合而形成不接触的接合部，所述板材的接合端设有回弯部，所述回弯部形成一端开口的空间，位于所述接合部的两个所述回弯部相互嵌套设置而使得所述接合部形成弯曲的通道。因此，该法拉第屏蔽可以有效地防止等离子体沉积到腔室的内壁，降低法拉第屏蔽形成环流的可能，而且，制作成本以及安装精度要求低。
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公开(公告)号：CN104342632B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310341787.3
申请日：2013-08-07
IPC分类号： C23C16/02
CPC分类号： H01J37/32871 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32651 , H01J2237/335
摘要： 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备，包括腔体、顶盖和承载单元，顶盖设置在腔体顶端，承载单元设置在腔体底部，用以承载晶片，并且，在腔体内的承载单元上方设置有离子过滤单元，该离子过滤单元用于在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子。本发明提供的预清洗腔室，其可以在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子，从而可以避免等离子体中的离子对Low‑k材料的不良影响，进而可以提高产品性能。
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公开(公告)号：CN103820758B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210466913.3
申请日：2012-11-19
发明人： 吕铀
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：腔室本体、射频线圈、法拉第屏蔽件、多个偏压调节单元和基座，腔室本体内设置有介质筒和设在介质筒顶部的靶材，靶材与直流电源相连。射频线圈设在腔室本体内且套设在介质筒的外侧以将通入到腔室本体内的工艺气体激发成等离子体。法拉第屏蔽件设在介质筒的内壁上且包括沿介质筒的周向间隔开分布的多个屏蔽片段。其中多个屏蔽片段一一对应地连接到多个偏压调节单元以分别调节多个屏蔽片段的偏压值。基座设在腔室本体内用于放置待加工晶片。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，使得法拉第屏蔽件上的刻蚀速率与沉积速率大致相等，即能减小污染腔室的可能，也能延长法拉第屏蔽件的寿命。
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公开(公告)号：CN103972012A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310029533.8
申请日：2013-01-25
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种反应腔室及具有它的等离子体设备，反应腔室包括：腔体，腔体内具有反应腔；诱导环形件，诱导环形件设在反应腔内，用于减弱反应腔中心处的磁场强度且增强反应腔外周缘处的磁场强度。根据本发明的反应腔室，反应腔室内具有诱导环形件，诱导环形件可以通过改变反应腔内的磁场强度而降低反应腔中心处等离子体密度，增加反应腔边缘的等离子体密度，从而降低反应腔边缘与中心区域等离子体密度差异，改善等离子体分布的均匀性，有利于晶圆或工件产品的开发。
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公开(公告)号：CN103820758A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210466913.3
申请日：2012-11-19
发明人： 吕铀
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：腔室本体、射频线圈、法拉第屏蔽件、多个偏压调节单元和基座，腔室本体内设置有介质筒和设在介质筒顶部的靶材，靶材与直流电源相连。射频线圈设在腔室本体内且套设在介质筒的外侧以将通入到腔室本体内的工艺气体激发成等离子体。法拉第屏蔽件设在介质筒的内壁上且包括沿介质筒的周向间隔开分布的多个屏蔽片段。其中多个屏蔽片段一一对应地连接到多个偏压调节单元以分别调节多个屏蔽片段的偏压值。基座设在腔室本体内用于放置待加工晶片。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，使得法拉第屏蔽件上的刻蚀速率与沉积速率大致相等，即能减小污染腔室的可能，也能延长法拉第屏蔽件的寿命。
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