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公开(公告)号：CN102832133A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210313475.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/0277 , H01L21/26513 , H01L21/28035 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/3212 , H01L21/32133 , H01L21/324 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0649
Abstract: 本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立双栅FinFET，而且整个工艺流程完全与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单、方便、周期短的特点，大大节省了硅片的成本。且采用本发明制备形成的独立双栅FinFET场效应晶体管，能够很好的抑制短沟道效应，并通过独立双栅器件特有的多阈值特点进一步降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN101847576B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010153583.3
申请日：2010-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/316 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。
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公开(公告)号：CN101859602A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010199022.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C16/0433 , H01L27/11526
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列，属于存储器技术领域。本方法为：将选择晶体管的栅极作为存储器的浮栅，其源、漏电极作为存储器的源、漏电极，然后通过电极电压的变化改变器件的阈值，实现信息的存储和变化；本非挥发存储单元为在P阱层上制作存储单元，N阱层环绕P阱层，深N阱层位于N阱层和P阱层的下方，并与N阱层相连；本存储阵列包括若干存储单元，每一存储单元内，选择管的栅极与存储阵列的字线连接，其源/漏端与非挥发存储单元的源/漏端连接，另一源/漏端与存储阵列的公共源端连接，非挥发存储单元的另一源/漏端与存储阵列的位线连接。本发明具有面积设计小，工作电压低，工作速度高，可靠性强。
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公开(公告)号：CN118284040A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410253969.3
申请日：2024-03-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过淀积薄膜厚度定义垂直沟道的宽度，实现超越光学光刻精度的沟道尺寸控制，并减少了定义有源区的光刻次数，实现了垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备。采用本发明提高了DRAM存储密度，可以更紧凑地实现4F2单元。
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公开(公告)号：CN103219242B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310103272.X
申请日：2013-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/2252 , H01L21/00 , H01L29/0673 , H01L29/105 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7855
Abstract: 本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219242A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310103272.X
申请日：2013-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/2252 , H01L21/00 , H01L29/0673 , H01L29/105 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7855
Abstract: 本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。
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公开(公告)号：CN102621182A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210106835.6
申请日：2012-04-12
Applicant: 北京大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R1、R2，测得一维到三维边界热阻R1-3。本方法可以为纳米尺度器件散热结构的设计和关键路径的研究给出参数依据，并且为今后热阻网络和器件热效应的模拟有直接帮助。
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公开(公告)号：CN101707210B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910241608.2
申请日：2009-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备方法。其中，N型场效应晶体管在衬底和体区之间增加了一层n+外延层，沟道为p/p+倒掺杂结构层，源漏分别通过一个“L”形绝缘层与体区隔离，“L”形绝缘层顶面到沟道上表面的距离小于沟道的厚度；相应的n+外延层改为p+外延层，p/p+倒掺杂结构层改为n/n+倒掺杂结构层就形成P型场效应晶体管。本发明的器件既抗单粒子效应，又抗总剂量效应，所组成的CMOS集成电路可以从根本上解决了抗辐照效应的单一性问题，而且该器件可以基于体硅衬底制备，无需SOI衬底，降低了成本，制备方法简单，与传统CMOS工艺兼容，可控性好。
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公开(公告)号：CN101834187A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010147519.4
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式非挥发性存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明的存储器包括一MOS晶体管和一插指型金属互联电容单元；所述插指型金属互联电容单元的内侧插指结构与所述MOS晶体管的栅极连接，构成嵌入式非挥发性存储器的浮栅；所述MOS晶体管的源漏极分别对应为嵌入式非挥发性存储器的源漏极；所述插指型金属互联电容单元的外侧插指结构为嵌入式非挥发性存储器的控制栅。与现有技术相比，本发明提高了编程、擦除速度，降低了操作电压，并提高单元的存储密度和等比例缩小能力，对实现更高速、高存储密度的存储应用中，有着明显优势和广泛的应用前景。
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