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公开(公告)号：CN113186601B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN112725893B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011536526.3
申请日：2020-12-23
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10％。本发明中的碳化硅晶体，在氮元素掺入的基础上，通过原子半径大于硅的原子半径的元素的引入，并控制氮和原子半径大于硅的原子半径的元素的浓度，在保证电阻率处于导电类型碳化硅单晶衬底要求的基础上，能够补偿氮原子和碳原子尺寸差异引起的晶格畸变，降低晶体的内应力，降低晶体内部的位错密度。本发明还提供了一种导电型碳化硅单晶的制备方法。
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公开(公告)号：CN114734333A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210481041.1
申请日：2022-05-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒角方法，包括以下步骤：根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型；将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上；将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作；在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向，同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向；根据待加工晶片的不同材质，设置砂轮的转速为不同转速；根据待加工晶片的不同的轮廓形貌，在倒角装置上设置不同的加工参数，对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角；以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角。上述倒角方法可加工出不同的待加工晶片的不同的轮廓形貌，减少砂轮的更换频率，提升加工效率，而避免端面毛刺的现象出现。
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公开(公告)号：CN114059155A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111399398.7
申请日：2021-11-19
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：A)将碳化硅原料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶置于坩埚顶部，所述碳化硅籽晶与坩埚非接触面设置有硅膜；B)将步骤A)得到容器置于碳化硅晶体生长单晶炉中，密封并抽真空，再充入生长气体，然后进行脱膜处理，晶体生长后得到碳化硅晶体。本申请通过在碳化硅籽晶表面制备硅膜，可以有效解决籽晶表面没有做任何二次处理带来的加工过程存留少量划伤缺陷，粘接操作过程在籽晶表面引入新的损伤，生长过程中温度设置不合理导致籽晶碳化等问题导致碳化硅籽晶初期接长的缺陷较多，大大提升碳化硅晶体生长成功率及生长质量。
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公开(公告)号：CN110592673A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811534979.5
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5-50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN105734671A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN114525586B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111668217.6
申请日：2021-12-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种工作状态下的碳化硅晶体生长炉。本发明还提供了一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法，通过在碳化硅晶体生长前，增加了高温高压大流量冲洗腔体的关键工艺，高压下可有效保护碳化硅籽晶不被破坏，高温下可使吸附于体系内的氮、硼等杂质挥发或脱吸附，大流量冲洗可有效带走挥发或脱吸附状态下的氮、硼等杂质，通过此工艺可大大降低碳化硅晶体生长前腔体体系内的杂质含量，生长得到高质量的高纯碳化硅晶体。同时并未增加生产设备的结构以及生产工艺复杂性，简单有效，未增加环境污染。
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公开(公告)号：CN117381602A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311326491.4
申请日：2023-10-13
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶体加工设备及加工方法，该设备包括：设备底座、第一立柱、第二立柱、第一悬臂、第二悬臂、设备工作台、测量模块、主轴、砂轮模块以及磨床控制系统；设备工作台用于固定待加工碳化硅晶体，并按照预设移动轨迹移动至测量模块的测量工作区域或砂轮模块的加工区域；测量模块用于测量待加工碳化硅晶体的晶面角度偏差值，并将晶面角度偏差值反馈至磨床控制系统，以使得磨床控制系统基于晶面角度偏差值控制设备工作台进行台面角度调整以及控制砂轮模块对待加工碳化硅晶体进行磨削加工。由此，本申请实施例提供的设备实现在一台设备内对碳化硅晶体的晶面测量、调整、加工、校验的功能，加工精度提高，且加工效率得到保障。
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公开(公告)号：CN114990696B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210573832.7
申请日：2022-05-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN116408720A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111642211.1
申请日：2021-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B49/00 , B24B37/34 , B24B41/00 , B24B53/017 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种抛光设备，包括加压模块和承载盘，所述承载盘设置有研磨区，所述加压模块用于将晶圆压紧在所述研磨区上；所述研磨区与所述加压模块的施力部之间形成凹陷结构，以将所述加压模块施加于晶圆的力分散至所述施力部的中心或者边缘。本发明提供的抛光设备，在加压模块通过施力部压紧晶圆至承载盘上的研磨区时，将研磨区与施力部之间形成凹陷结构，压力会由于凹陷结构的存在而分散至施力部的中心或边缘，从而使施力部从晶圆四周对晶圆施加压力，解决了晶圆由于一侧受力大而在加工过程产生偏斜的问题。本发明还公开了一种抛光设备的加工方法。
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