一种晶片应力测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN103985652A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201310049375.2

    申请日:2013-02-07

    IPC分类号: H01L21/66 G01L1/00

    CPC分类号: H01L22/12 G01L1/24 H01L22/20

    摘要: 本发明公开了一种晶片应力测量装置,属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘和位置探测装置,样品托盘置于腔室底部,晶片置于样品托盘上,腔室顶部设有狭缝窗口,探测光发生装置发出的探测光经过分束镜后垂直射向晶片,依次经过分束镜和狭缝窗口后垂直射向晶片,被晶片反射,依次经过狭缝窗口和分束镜后射向位置探测装置,样品托盘能够带动晶片旋转,使探测光在晶片上扫描。本发明还公开了基于该测量装置的测量方法。应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。