一种晶片应力测量方法

    公开(公告)号:CN103985653A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201310271765.4

    申请日:2013-02-07

    IPC分类号: H01L21/66 G01L1/00

    CPC分类号: H01L22/10 G01B11/255 G01L1/24

    摘要: 本发明公开了一种晶片应力测量方法,属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1:测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量,旋转样品托盘,使晶片旋转,测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时,各入射点沿Y方向的光斑偏移量;步骤2:通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量,计算出晶片沿X方向的曲率半径,通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量,计算出晶片沿Y方向的曲率半径;步骤3:根据式(1)计算出应力;应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。

    一种晶片应力测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN103985652B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201310049375.2

    申请日:2013-02-07

    IPC分类号: H01L21/66 G01L1/00

    摘要: 本发明公开了一种晶片应力测量装置,属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘和位置探测装置,样品托盘置于腔室底部,晶片置于样品托盘上,腔室顶部设有狭缝窗口,探测光发生装置发出的探测光经过分束镜后垂直射向晶片,依次经过分束镜和狭缝窗口后垂直射向晶片,被晶片反射,依次经过狭缝窗口和分束镜后射向位置探测装置,样品托盘能够带动晶片旋转,使探测光在晶片上扫描。本发明还公开了基于该测量装置的测量方法。应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。

    一种在线实时检测外延片生长的方法

    公开(公告)号:CN104697972A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310646667.4

    申请日:2013-12-04

    IPC分类号: G01N21/65 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法,属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据,实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息,并实时反馈各外延片的波长偏差,从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低,应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。

    一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法

    公开(公告)号:CN104697973A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201310648303.X

    申请日:2013-12-04

    IPC分类号: G01N21/65

    摘要: 本发明公开了一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法,属于半导体材料制造设备技术领域。该方法在石墨盘旋转的情况下,通过控制采集数据的时间间隔及每个数据采集周期对应的起始外延片,可以使采集的数据遍历布设在石墨盘外周上的所有外延片,即得到布设在石墨盘外周上的所有外延片拉曼散射光谱数据,从而,本发明提供的外延片拉曼散射光谱数据生成方法能够连续、自动生成布设在石墨盘外周上的外延片拉曼散射光谱数据。