公开(公告)号：CN117293192A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311589002.4

申请日：2023-11-27

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 郁文 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  陆姗姗 ,  曹永万 ,  张东 ,  李君建 ,  王凯 ,  张同 ,  宋斌斌 ,  董子斌 ,  刘春颖 ,  余山

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种多沟道半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。多沟道半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内设有至少一个沿横向延伸的隔离区，以在漂移区内限定出至少两条导电沟道；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区设置隔离区形成多条导电沟道，载流子分为多个路径，单条路径下的载流子数目减少，在漏端电场作用下，漏端碰撞电离出的电子空穴对数目减少，热载流子注入效应得到抑制，器件可靠性提升；同时多个导电通道有助于获得更低的导通电阻，隔离区也可以提高器件的耐压能力。

公开(公告)号：CN116930594A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311178015.2

申请日：2023-09-13

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 宋斌斌 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  高杰 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  黄保成 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC: G01R19/00 ,  G06F30/38

Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。