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公开(公告)号：CN116930594B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN116930594A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN116930670B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311205204.4
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
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公开(公告)号：CN114720739B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210561153.8
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器，所述方法包括：根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸，确定具有特定结构的传输线的尺寸；根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值，确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗；根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗，建立脉冲电场发生器的等效电路模型；及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形，优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸，由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形，并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN116930670A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311205204.4
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114720739A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210561153.8
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器，所述方法包括：根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸，确定具有特定结构的传输线的尺寸；根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值，确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗；根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗，建立脉冲电场发生器的等效电路模型；及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形，优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸，由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形，并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN116191048A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310464495.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种电磁环境测量天线，属于无线电监测工作领域。所述电磁环境测量天线包括：介质基板、馈电结构和多个超表面单元；多个超表面单元呈阵列式布置在所述介质基板的上表面形成超表面单元阵列；所述馈电结构设置在所述介质基板的下表面；所述馈电结构包括T型金属贴片和开设在所述T型金属贴片上的T型环缝；所述T型环缝由横向第一开口和纵向第二开口构成；所述超表面单元阵列的中心点与第一开口的中心点重合。本发明提供的电磁环境测量天线有异于传统的喇叭天线和抛面天线，不仅具有双频带特性，具有较宽的带宽，更重要的是其馈电结构小，传输效率高，且天线整体结构呈现出规则的立体状态，低剖面，整体尺寸小，节省了机箱的空间。
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公开(公告)号：CN116298653B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310586457.4
申请日：2023-05-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法，属于电磁干扰技术领域。瞬态电磁干扰注入装置包括：控制设备、有界波模拟器以及干扰信号耦合线；所述控制设备与所述有界波模拟器连接，用于控制所述有界波模拟器产生模拟电磁场；所述干扰信号耦合线设置在所述有界波模拟器的两极板的平行板段之间，且平行于所述有界波模拟器的平行板段产生的电场，用于将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号。该瞬态电磁干扰注入装置采用有界波模拟器作为干扰源，采用干扰信号耦合线将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号，以传导的形式将瞬态电磁干扰注入到待测设备的端口，能更接近设备实际应用过程中面临的严酷电磁环境。
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公开(公告)号：CN116500348A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310792306.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种低频电磁测量装置及系统，属于低频电磁测量领域，包括：屏蔽舱，为密封的舱体结构，舱壁上开设有出线孔；连接件，设置在屏蔽舱的内壁的出线孔处；连接件由一体成型的第一连接部和第二连接部构成，第一连接部为片状结构，第二连接部为柱状结构，开设于第一连接部的贯穿孔与开设于第二连接部的轴向通孔共同作为连接件的连接孔，连接孔与出线孔构型匹配；低频电磁测量设备的测量设备本体设置在屏蔽舱内，线缆通过连接孔和出线孔通出屏蔽舱；第一屏蔽层，包覆在线缆表面且填充线缆与连接孔和出线孔之间的缝隙，第一屏蔽层由带状屏蔽膜呈螺旋状缠绕而成。通过本发明提供的装置，有效将低频电磁干扰引入地下，提高低频电磁屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN116520137A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310762995.4
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置及测量系统，属于芯片电磁兼容测量技术领域。所述低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置包括：辅助测量支架和多个SMA转BNC接头；所述辅助测量支架上开设有多个安装孔，多个所述SMA转BNC接头一一对应安装在所述安装孔内，且与所述辅助测量支架形成导电接触，多个所述安装孔间隔预设间距设置；所述辅助测量支架与地形成导电接触。该干扰测量辅助装置采用辅助测量支架实现接地，减少接地电阻，设计SMA转BNC接头用于连接被测芯片和示波器，有利于减小寄生电感。
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