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公开(公告)号：CN116930594B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN116825824B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311096893.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN116930594A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN117647668A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311390319.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种探针卡及晶圆测试系统，涉及晶圆测试领域，探针卡包括：信号转发模块和依次连接的激励装置、压电晶片与探针模块；信号转发模块用于转发检测信号和反馈信号；探针模块用于通过焊垫将检测信号发送给晶圆，并通过焊垫接收晶圆发送的反馈信号；激励装置用于输出交变电压；压电晶片用于基于激励装置输出交变电压，发生周期性形变，从而产生机械振动，以带动探针模块在焊垫上表面来回振动，使得探针模块划破焊垫上表面的氧化层与焊垫形成欧姆接触。通过本发明提供的探针卡，能够在减小针尖对焊垫施加的应力的同时，保证探针和焊垫形成良好欧姆接触，以减少探针积屑或烧针，提高晶圆测试精确度和探针寿命。
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公开(公告)号：CN116825824A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311096893.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118011175A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410420863.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号：CN118011175B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410420863.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号：CN112215425B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202011109177.7
申请日：2020-10-16
Applicant: 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 中国农业大学 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
Inventor： 蓝海波 , 翟丙旭 , 王凯 , 叶林 , 汤涌 , 仲悟之 , 刘晓敏 , 张锐 , 刘剑青 , 王明轩 , 闵睿 , 宋磊 , 徐海翔 , 耿艳 , 曲莹 , 刘新元 , 路朋
Abstract: 本发明公开了一种风电集群有功功率的调度方法及装置，该方法包括：根据风电集群的外送断面之间的层级关系，逐层确定各个外送断面的有功功率的出力指令值；根据各个外送断面的实时有功功率，以及各个外送断面的有功功率的安全阈值和告警阈值，确定各个外送断面的状态类型；根据各个风电场的有功功率的预测数据的变化趋势，确定各个风电场的出力类型；对于每个外送断面对应的多个风电场，根据该外送断面的有功功率的出力指令值，以及该外送断面的状态类型，以及各个风电场的出力类型，对各个风电场的有功功率进行调度，本发明实现了风电场的有功功率进行多角度精细化的调度，提高了风电场的有功功率的调度的精确性，具有重要的工程实用价值。
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公开(公告)号：CN112215425A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011109177.7
申请日：2020-10-16
Applicant: 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 中国农业大学 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
Inventor： 蓝海波 , 翟丙旭 , 王凯 , 叶林 , 汤涌 , 仲悟之 , 刘晓敏 , 张锐 , 刘剑青 , 王明轩 , 闵睿 , 宋磊 , 徐海翔 , 耿艳 , 曲莹 , 刘新元 , 路朋
Abstract: 本发明公开了一种风电集群有功功率的调度方法及装置，该方法包括：根据风电集群的外送断面之间的层级关系，逐层确定各个外送断面的有功功率的出力指令值；根据各个外送断面的实时有功功率，以及各个外送断面的有功功率的安全阈值和告警阈值，确定各个外送断面的状态类型；根据各个风电场的有功功率的预测数据的变化趋势，确定各个风电场的出力类型；对于每个外送断面对应的多个风电场，根据该外送断面的有功功率的出力指令值，以及该外送断面的状态类型，以及各个风电场的出力类型，对各个风电场的有功功率进行调度，本发明实现了风电场的有功功率进行多角度精细化的调度，提高了风电场的有功功率的调度的精确性，具有重要的工程实用价值。
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公开(公告)号：CN111786285A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010795603.0
申请日：2020-08-10
Applicant: 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种智能配变终端主动化监测柜，涉及电力技术领域，包括柜体，所述柜体的正面固定安装有铰接块，所述铰接块通过销轴固定铰接有盖板，所述盖板的背面固定安装有抽风盒，所述抽风盒和盖板之间开设有两个相对称的通孔。该智能配变终端主动化监测柜，通过伺服电机的运转能够带动风叶一进行顺时针旋转，柜体内的气体通过风孔抽入到抽气盒的内部，从而在持续的运转中将柜体内的热量排出，通过热交换对内部的热量进行降温，并通过水体将热量带出，在重新通入水箱的时候，通过水箱上的散热槽和弧形板，对热量进行吸收，并通过弧形板进行散热处理，从而更好的在循环降温过程中对水箱内的水体进行及时的降温散热。
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