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公开(公告)号：CN113887734B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN113889163B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111485264.7
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。
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公开(公告)号：CN113887734A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN113866691A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111460490.X
申请日：2021-12-02
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器，自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极，还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层；所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下，所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处，改变所述铁磁自由层的磁各向异性，使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动，从而改变铁磁自由层的磁各向异性，实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控，可满足不同应用环境下的需求。
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公开(公告)号：CN116847715B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311105192.8
申请日：2023-08-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器。包括重金属层以及设置于重金属层上的磁隧道结，磁隧道结自下而上依次为反铁磁层、自由层、势垒层以及参考层。重金属层的宽度从重金属层的第一端至第二端逐渐增大。重金属层用于在被施加逐步增大的电流时产生不同强度的自旋轨道力矩，利用反铁磁层与自由层之间的交换偏置作用，在不同强度的自旋轨道力矩的作用下使自由层的磁矩从部分翻转逐步至全部翻转，使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行，以实现多阻态写入。本发明通过使用具有不同宽度的重金属层，并利用交换偏置作用，实现无外场的确定性翻转和稳定的多阻态。
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公开(公告)号：CN117008033A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310773437.8
申请日：2023-06-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种磁场探头校准系数确定方法、一种磁场探头校准系数确定装置和一种电子设备，属于磁场检测技术领域。磁场探头校准系数确定方法，包括：确定磁场探头对通电的微带线测量的电压值；确定磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值；基于所有子区域的磁场强度值确定磁场探头对微带线测量的磁场强度平均值；基于电压值和磁场强度平均值，确定磁场探头校准系数。相比现有方法在使用微带线对磁场探头进行校准时，计算磁场强度时只计算了探头环中心位置处的场值。本发明通过计算磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值得到的磁场强度平均值更加准确，进而减小计算得到的磁场探头校准系数的误差。
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公开(公告)号：CN116702696A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310631820.X
申请日：2023-05-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G06F30/398 , G06F111/08 , G06F115/12
摘要： 本发明提供一种偶极子阵列干扰源建模方法、装置及系统，属于干扰源建模领域，包括：检测印制电路板的磁场幅值；得到初始向量参数和初始向量参数集合；利用初始向量参数集合中的最优初始向量参数对初始向量参数集合进行线性变换和整合，得到整合向量参数和实验集合；确定与初始向量参数集合对应的偶极子阵列磁场幅值与检测的磁场幅值的初始差值，以及确定与实验集合对应的偶极子阵列磁场幅值与检测的磁场幅值的实验差值；根据初始差值和实验差值确定当前最优向量参数；得到最优偶极子阵列的向量参数；建立印制电路板干扰源模型。根据本发明的方法，能够建立易于仿真的辐射源模型，缩短仿真时间，减少系统占用。
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公开(公告)号：CN116191048B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310464495.2
申请日：2023-04-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种电磁环境测量天线，属于无线电监测工作领域。所述电磁环境测量天线包括：介质基板、馈电结构和多个超表面单元；多个超表面单元呈阵列式布置在所述介质基板的上表面形成超表面单元阵列；所述馈电结构设置在所述介质基板的下表面；所述馈电结构包括T型金属贴片和开设在所述T型金属贴片上的T型环缝；所述T型环缝由横向第一开口和纵向第二开口构成；所述超表面单元阵列的中心点与第一开口的中心点重合。本发明提供的电磁环境测量天线有异于传统的喇叭天线和抛面天线，不仅具有双频带特性，具有较宽的带宽，更重要的是其馈电结构小，传输效率高，且天线整体结构呈现出规则的立体状态，低剖面，整体尺寸小，节省了机箱的空间。
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公开(公告)号：CN115271058B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211202953.7
申请日：2022-09-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种类脑计算芯片和数据处理终端，属于芯片技术领域。所述类脑计算芯片包括类脑计算阵列，用于类脑计算任务的数据处理，所述类脑计算阵列包括多个脉冲神经处理单元，所述多个脉冲神经处理单元呈阵列分布，所述多个脉冲神经处理单元中的每一个脉冲神经处理单元用于处理神经元计算和突触计算。本发明实施例提供的类脑计算芯片包括由多个脉冲神经处理单元组成的类脑计算阵列；每一个脉冲神经处理单元都可以同时处理神经元计算和突触计算；替代了传统的类脑计算架构中分离式的神经元和神经突触，减少了因神经元和神经突触之间频繁的数据交换造成的能量损失和计算时延，显著提高了运算速度，降低了芯片在处理大量数据时的系统功耗。
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公开(公告)号：CN113868965A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111451892.3
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种黑磷吸波体设计方法及系统，属于光学器件逆设计技术领域。所述方法包括：根据预设的模拟场景和预设的黑磷吸波体的结构参数，在预构建的专用残差神经网络中获得目标吸收光谱训练样本；利用所述训练样本获得预测模型；获取需求吸收光谱，利用所述预测模型对所述需求吸收光谱进行训练，输出目标结构参数；基于所述目标结构参数进行黑磷吸波体设计。本发明方案在预构建的专用残差神经网络中进行预测模型构建，然后基于该预测模型进行符合用户需求的黑磷吸波体结构参数预测，极大提高了黑磷吸波体结构参数预测的准确性。
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