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公开(公告)号：CN116840590A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310628180.7
申请日：2023-05-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种电磁环境电力芯片检测装置及系统，属于电磁特征采集领域，包括：室外电磁环境检测单元，设置在室外电磁环境中，用于检测电力设备的电磁环境，生成室外电磁信号；室内电磁环境复现单元，用于根据接收到的室外电磁信号在微波暗室内对室外电磁信号进行模拟；芯片电磁特征检测单元，包括电磁特征检测模块和高速采集卡，电磁特征检测模块用于检测设置在微波暗室内的样品芯片的电磁特征，生成电磁特征信号，高速采集卡与电磁特征检测模块连接，用于对接收到的电磁特征信号进行显示。通过本发明提供的装置，能够在实验室模拟真实环境的电磁场景，对芯片的电磁兼容性进行测试和评估，以确保设备能够在真实的电磁环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN117313625B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311605343.6
申请日：2023-11-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G06F30/367 , G01R31/26 , G01N33/2022 , G06F119/04
摘要： 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。
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公开(公告)号：CN117313625A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311605343.6
申请日：2023-11-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G06F30/367 , G01R31/26 , G01N33/2022 , G06F119/04
摘要： 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。
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公开(公告)号：CN112581995A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011497059.8
申请日：2020-12-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度；在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时，保持所述磁性存储介质的工作状态；在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时，备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质，其中，所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。本发明可用于智能电表中磁性存储介质的数据防护。
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公开(公告)号：CN117008033A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310773437.8
申请日：2023-06-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种磁场探头校准系数确定方法、一种磁场探头校准系数确定装置和一种电子设备，属于磁场检测技术领域。磁场探头校准系数确定方法，包括：确定磁场探头对通电的微带线测量的电压值；确定磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值；基于所有子区域的磁场强度值确定磁场探头对微带线测量的磁场强度平均值；基于电压值和磁场强度平均值，确定磁场探头校准系数。相比现有方法在使用微带线对磁场探头进行校准时，计算磁场强度时只计算了探头环中心位置处的场值。本发明通过计算磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值得到的磁场强度平均值更加准确，进而减小计算得到的磁场探头校准系数的误差。
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公开(公告)号：CN117498854B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311220391.3
申请日：2023-09-20
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/081
摘要： 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。
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公开(公告)号：CN117200784A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311091260.X
申请日：2023-08-25
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K19/08 , H03K19/094 , H03K19/173 , H03K19/003
摘要： 本申请涉及晶体管安全检测技术领域，具体涉及一种IGBT退饱和保护方法及IGBT退饱和保护电路。所述电路包括：栅极驱动模块，用于输出栅极驱动信号，所述栅极驱动信号包括高电平信号和低电平信号；检测电路，用于检测目标IGBT的工作状态，所述目标IGBT的工作状态包括退饱和状态和饱和状态；数字逻辑控制模块，用于控制栅极驱动模块输出高电平信号或低电平信号；用于计时消隐时间和退饱和滤波时间；用于利用检测电路获取目标IGBT的工作状态。采用本发明提供的能够更好的提高退饱和检测电路的响应速度和可靠性。且不需要外接消隐电容，简化了外围的电路，降低了外围元器件的消耗。
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公开(公告)号：CN116828347B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
摘要： 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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公开(公告)号：CN116976276A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310896847.1
申请日：2023-07-20
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/392
摘要： 本发明公开了一种基于电路版图的提高电路设计精度的方法。本发明首先将电路里配对的mosfet连接到测试设备中，然后在外接端点上添加应用激励，从而判断配对的两颗mosfet的性能，对其中性能相对更好的器件进行器件老化，通过老化方法使得性能相对好的器件匹配性能相对差的器件，从而消除工艺局部偏差，使得总体性能匹配。本发明主要应用于对电路性能有较高要求的芯片产品中，且本发明无需修改电路设计，操作方便，且能够真实的削减芯片的局部偏差。本发明的老化过程可以在通常的HTOL测试流程中完成，即无需增加额外的步骤，便可以对芯片级进行电路性能调整。
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公开(公告)号：CN116828347A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
摘要： 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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