传导射频注入TVS产生的谐波的测试装置

    公开(公告)号:CN214150856U

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202022976960.5

    申请日:2020-12-07

    IPC分类号: G01R23/16

    摘要: 本实用新型提供一种传导射频注入TVS产生的谐波的测试装置,属于半导体器件领域。所述传导射频注入TVS产生的谐波的测试装置包括:信号源、输出滤波器和频谱分析仪,信号源的输出端与待测TVS器件的第一端连接,待测TVS器件的第一端与输出滤波器的输入端连接,信号源的输出端还与输出滤波器的输入端连接,输出滤波器的输出端与频谱分析仪的输入端连接,待测TVS器件的第二端接地。该装置通过信号源产生射频信号定向传导注入到TVS,然后通过频谱分析仪测量TVS产生的谐波信号的大小,实现在TVS器件应用前评估不同型号或不同厂家的TVS的非线性特性产生的谐波值,以实现对整机产品造成可能的额外谐波干扰的量化的评估。

    基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法

    公开(公告)号:CN110299299A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910602633.2

    申请日:2019-07-05

    IPC分类号: H01L21/66 H01L21/68

    摘要: 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法,包括如下步骤:S1:提供COB转接板,并对转接板进行开窗预处理;S2:提供透明薄载玻片;S3:将芯片背面开封或者正面开封,露出硅基面;S4:将芯片的开封面朝向载波片,并进行粘接固定;S5:芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位,使得硅基面朝向待观测面;S6:设置绑线机参数;S7:使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接;以及S8:使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题,也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题,同时具备价格低廉、使用范围广的优点。

    用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法

    公开(公告)号:CN107564829A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710734193.7

    申请日:2017-08-24

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法,该方法包括如下步骤:S1,将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光,以露出TSV通孔和硅基板;S2,在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域,以隔离硅基板;S3,清理TSV通孔的表面;S4,在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt;S5,在SiO2薄膜上沉积测试板;S6,使用探针与测试板接触,从而将测试力施加在芯片上,以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作,便于探针的连接测试,同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题,从而显著提高了测试的效率和准确性。