晶圆级凸点封装结构的制作方法

    公开(公告)号:CN105140200A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510436075.9

    申请日:2015-07-22

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 本发明涉及一种晶圆级凸点封装结构的制作方法,包括如下步骤:(1)提供集成了芯片电极和绝缘层的晶圆;(2)在晶圆上制作保护层;(3)将芯片电极上方的保护层去除形成第一开口,将晶圆上的芯片切割位置的保护层去除形成第二开口;(4)在第一开口处制作凸点下金属层和凸点层;(5)沿第二开口的位置进行切割,得到单颗晶圆级凸点封装结构。本发明避免了因热失配而导致保护层拉扯绝缘层的应力过大的问题,从而提高了封装可靠性;且在提高可靠性的同时,并没有增加工艺步骤。本发明在切割晶圆过程中,由于去除了预定切割位置处的保护胶,使保护层避开了切割道,消除了切割时保护层对绝缘层的拉扯,减少了切割时芯片本体的崩边现象。

    晶圆级焊锡微凸点及其制作方法

    公开(公告)号:CN105070698A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510435559.1

    申请日:2015-07-22

    IPC分类号: H01L23/485 H01L21/60

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 本发明涉及一种晶圆级焊锡微凸点及其制作方法,包括形成于IC晶圆上的焊盘和钝化层,在钝化层上设有开口,焊盘的表面于开口处裸露;在所述焊盘上依次设置溅镀的钛层和铜层,在溅镀的铜层表面设置电镀的附着层和阻挡层,在阻挡层上设置焊锡微凸点;所述焊锡微凸点包裹阻挡层的表面以及阻挡层和附着层的侧部,附着层和阻挡层的尺寸较铜层和钛层的尺寸小,附着层和阻挡层的边缘与铜层和钛层的边缘之间存在一定间距,焊锡微凸点包裹该间距处铜层的表面以及溅镀的铜层和钛层的侧部。本发明增加了焊锡微凸点与溅镀铜层的接触面积,提高了两者之间的粘附性,避免了分层失效的发生;避免了现有湿法刻蚀工艺去除溅镀金属层时引起的电镀铜层底切问题。

    三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN103754817A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410042670.X

    申请日:2014-01-28

    IPC分类号: B81B7/00 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法,其中光电同传器件包括硅基板,硅基板上设置有铜层、水平波导层以及上包层;所述硅基板上设置有垂直硅通孔和垂直光通孔,铜层上布设有布线图案,水平波导层上设置有光电互连孔和倒三角形反射镜,上包层上设置有与光电互连孔连通的开口,光电互连孔和开口电镀有互连金属。制作方法包括光刻垂直光通孔、垂直硅通孔,制作介质层,制作垂直波导芯层和水平波导层,形成金属RDL层的互连等步骤。本发明能够在硅基板上完成水平光波导和垂直光波导的同时制造,在同一封装体内实现了光波导的水平光互连和垂直互连、垂直方向和水平方向的电互连以及光电之间相互传导的目的,制作工艺简单,成本低廉。

    一种转接板制造方法和转接板

    公开(公告)号:CN113299562A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110574088.8

    申请日:2021-05-25

    发明人: 戴风伟 曹立强

    IPC分类号: H01L21/48 H01L23/498

    摘要: 本发明提供一种转接板制造方法和转接板。转接板制造方法包括以下步骤:提供制作基底,制作基底为硅基底;形成第一重布线层,在制作基底一侧形成第一重布线层;形成多个金属柱,在第一重布线层背向制作基底一侧形成多个金属柱,多个金属柱分别与第一重布线层中的第一金属互联结构电性接触;形成塑封层,在第一重布线层背向制作基底一侧形成塑封层,塑封层包覆多个金属柱,并暴露多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面;形成第二重布线层,在塑封层背向第一重布线层一侧形成第二重布线层,多个金属柱分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触;去除制作基底。本发明的制造方法可制造具有高互联密度的重布线层的转接板。

    一种TSV转接板互连结构
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110867429A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201911248908.3

    申请日:2019-12-09

    IPC分类号: H01L23/48

    摘要: 本发明公开了一种TSV转接板互连结构,包括:衬底;第一导电硅通孔,所述第一导电硅通孔从所述衬底的底面向内部延伸,且未漏出所述衬底的顶面;第二导电硅通孔,所述第二导电硅通孔从所述衬底的顶面向内部延伸,并与所述第一导电硅通孔的底部垂直电连接;第一互连层,所述第一互连层设置在所述衬底的底面,且与所述第一导电硅通孔电连接;以及第二互连层,所述第二互连层设置在所述衬底的顶面,且与所述第二导电硅通孔电连接。

    一种光模块封装结构及制作方法

    公开(公告)号:CN107479148B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201710748723.3

    申请日:2017-08-28

    发明人: 戴风伟 张文奇

    IPC分类号: G02B6/42

    摘要: 本发明公开了一种光模块封装结构,包括:转接板,所述转接板具有顶面、与顶面相对的底面以及贯穿顶面和底面的第一通孔,所述转接板的顶面具有重布线结构和一个或多个第一焊盘;光芯片,所述光芯片安装在所述转接板的顶面,并与所述第一通孔相对;柔性板,所述柔性板具有第一面、与第一面相对的第二面、设置在第一面上的重布线层和第二焊盘、设置在第二面上的重布线层和输出焊盘、贯穿柔性板的导电通孔,用于在第一面和第二面之间形成电连接,其中所述柔性板能够弯折,且所述转接板顶部的至少一个第一焊盘电连接到所述柔性板第一面上的第二焊盘。本发明的实施例通过软板实现光模块插口与芯片相垂直,从而避免垂直打线。

    一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品

    公开(公告)号:CN105140252B

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201510410477.1

    申请日:2015-07-14

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本发明涉及一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品,它包括以下步骤:将图像传感器芯片的上表面和信号处理芯片的下表面键合在一起;对图像传感器芯片的下表面进行减薄抛光,减薄抛光后在图像传感器芯片上添加彩色滤光片和微透镜,然后移除掉图像传感器芯片的切割道部分,露出信号处理芯片的切割道;取透明基板,透明基板与信号处理芯片通过支撑墙键合在一起,支撑墙位于信号处理芯片的切割道里;对信号处理芯片的上表面进行减薄抛光,减薄抛光后在信号处理芯片上做出引线和焊球;沿着信号处理芯片的切割道位置进行划片,得到可直接进行贴装的单一芯片。本发明不用任何临时键合做辅助,简化了流程。

    生物识别封装结构与制作方法

    公开(公告)号:CN106129027A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610473871.4

    申请日:2016-06-24

    IPC分类号: H01L23/48 H01L23/28 H01L21/56

    摘要: 本发明涉及一种生物识别封装结构与制作方法,包括面板,面板的下表面具有色彩涂层;其特征是:在所述面板具有色彩涂层的一面设有正面布线层和生物芯片,生物芯片具有TSV结构,生物芯片通过粘结层与面板连接;所述正面布线层一端的电连接接口通过金属线路连接至生物芯片背面的TSV结构,正面布线层另一端的电连接接口与外部器件连接。在所述生物芯片的下表面覆盖保护层。所述保护层覆盖生物芯片和金属线路。所述生物芯片的TSV结构为实心的,或者在TSV孔的侧壁设置金属层、中间采取空心的结构。本发明能够实现生物识别模组的保护盖板与屏幕盖板的共用,解决现有的生物识别芯片封装良率损失严重以及成本较高的问题。