公开(公告)号：CN103426989B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201310186277.3

申请日：2013-05-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林璨默 ,  李锺昊 ,  金真焕 ,  李镇贤 ,  赵秀玄 ,  黄海渊

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/42 ,  H01L25/075 ,  F21S2/00

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。

公开(公告)号：CN104409452B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410811443.9

申请日：2014-12-23

申请人： 通富微电子股份有限公司

发明人： 石磊

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了一种半导体叠层封装结构,包括至少两层芯片，其特征在于：除最上层芯片外，各芯片上具有凸点2，芯片呈堆叠排列，上层芯片不覆盖下层芯片上的凸点2；除最上层芯片外，各层芯片的上方的空白区域涂覆有树脂材料6；所述树脂材料6不完全覆盖芯片上的凸点；树脂材料上有导电材料。该新的封装结构及工艺不仅降低的芯片堆叠封装的高度，特别是顶层芯片封装的高度，有利于节约后续产品的空间，同时，本封装方法工艺成熟，节省了封装的耗材，操作简便。另一方面，封装后凸点之间的导电面积增大，电性能更加稳定优异，延长了封装产品的使用寿命。

公开(公告)号：CN106783796A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611116597.1

申请日：2016-12-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  郝虎 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92144 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，其中，所述芯片封装结构包括：第一芯片，第一芯片的有源面设置有粘结层，所述粘结层对应第一芯片的焊盘设置有粘结层盲孔，第一芯片非有源面的其他侧面有包覆材料包封，介质层，设置在粘结层上方，介质层上设置有与粘结层盲孔对应设置的介质层盲孔，粘结层盲孔和介质层盲孔中填充有导电材料，第一重布线层，与粘结层盲孔和介质层盲孔中填充的导电材料电连接，焊球，与第一重布线层电连接。采用上述技术方案，第一芯片与第一重布线层通过介质层盲孔和粘结层盲孔中的导电材料电连接，设置两阶盲孔，有效提高了封装精度，避免贴片过程中对芯片造成损伤。

公开(公告)号：CN103594379B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310348867.1

申请日：2013-08-12

申请人： 钰桥半导体股份有限公司

发明人： 林文强 ,  王家忠

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是有关于一种具有内嵌半导体、内建定位件、以及双重增层电路的连线基板，及其制造方法。根据本发明的一优选实施方面，该方法包括：形成一定位件于一介电层上；使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，以设置该半导体元件于该介电层上；将一加强层贴附于该介电层上；形成一第一增层电路以及一第二增层电路于两侧覆盖该半导体元件、该定位件、以及该加强层；提供一被覆穿孔，该被覆穿孔提供该第一增层电路以及该第二增层电路之间的电性连接。据此，该定位件可准确地限制该半导体元件的设置位置，且避免该半导体以及该增层电路之间电性连接失败。

公开(公告)号：CN105794108A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066263.0

申请日：2014-12-18

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 菊知拓 ,  西条慎 ,  山崎央 ,  福岛正宏 ,  三轮祐司

IPC分类号： H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC分类号： H03H9/058 ,  H01L41/0475 ,  H01L2224/24 ,  H03H3/08 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/14541

摘要： 本发明提供一种难以产生压电薄膜的破裂或缺损，并且难以产生特性的恶化的弹性波装置。弹性波装置(1)在支撑基板(2)上设置多层膜(3)，多层膜(3)包含：压电薄膜(6)、和压电薄膜(6)以外的层，设置被设置在压电薄膜(6)的一面的IDT电极(7)，具备与IDT电极(7)电连接的外部连接端子，俯视下，在设置有IDT电极(7)的区域的外侧的区域，多层膜(3)被局部除去，在多层膜(3)被除去的区域的至少一部分，还具备设置在支撑基板(2)上的第1绝缘层(10、11)。

公开(公告)号：CN102201426B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201010130080.4

申请日：2010-03-23

申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

发明人： 沈佳辉 ,  洪梓健

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/24

摘要： 一种发光二极管，其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极，N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部，该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料，由于金属材料具有较好的导热性能，发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中，有利于发光二极管的散热。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。

公开(公告)号：CN102348324B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110205912.9

申请日：2011-07-22

申请人： 伊姆贝拉电子有限公司

发明人： A·伊郝拉 ,  R·图奥米宁

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 电子模块包括：具有第一表面和第二表面的介电(1031)衬底；安装腔，延伸过介电衬底且有外侧壁；在第一表面上的第一布线层(1032)；在第二表面上的第二布线层(1033)；外侧壁上的馈通导体(1034)，使第一布线层中至少一个导体电连接到第二布线层中至少一个导体；安装腔内有至少一个IC；在第二布线层上的第一绝缘层(1035)；在第一布线层上的第二绝缘层(1036)；在第一绝缘层上的第三布线层(1037)。第一绝缘层内的第一微过孔(1038)使第二布线层和第三布线层电连接。第二微过孔(1039)将IC连接到第二布线层和第三布线层中至少一个。电子模块包括：在第二绝缘层上的第四布线层(1040)；第二绝缘层内的第三微过孔(1041)，使第一布线层和第四布线层电连接。

公开(公告)号：CN104091815A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410312050.3

申请日：2010-10-12

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 许嘉良

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/48 ,  H01L33/36

CPC分类号： H01L2224/24 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提出一种发光元件。该发光元件包含发光二极管芯片、基板以及接合层，其中，发光二极管芯片包含多个发光二极管单元、多个电极以及至少一电性连接层。发光二极管单元间经电性连接层彼此电性连接，并通过接合层与基板接合；基板内具有多个通道，其上具有多个外部电极以供应发光元件发光所需电力。

公开(公告)号：CN103811650A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210452506.7

申请日：2012-11-13

申请人： 金木子 ,  彭晖

发明人： 金木子

IPC分类号： H01L33/64 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L2224/24 ,  H01L33/64 ,  H01L27/153 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明揭示无金属电极的垂直结构的LED高压芯片，包括：支持衬底，至少两个单元半导体外延薄膜。其中，支持衬底包括，绝缘支持衬底，导电支持衬底，通孔绝缘支持衬底，通孔导电支持衬底。单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上，剥离生长衬底。相邻的单元半导体外延薄膜通过透明的中间连接电极电连接。全部单元芯片以串联方式连接，形成无金属电极的垂直结构的LED高压直流芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混合的方式连接，形成无金属电极的垂直结构的LED高压交流芯片。

公开(公告)号：CN101996978B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200910166229.1

申请日：2009-08-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 温英男 ,  彭宝庆 ,  陈伟铭 ,  张恕铭

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明实施例提供一种芯片封装体及其形成方法。该芯片封装体包括半导体基底，具有上表面及相反的下表面；穿孔，贯穿半导体基底的上表面及下表面；第一芯片，设置于半导体基底的上表面上；导电层，位于穿孔的侧壁上，且电性连接至第一芯片；第一绝缘层，位于半导体基底的上表面上；第二绝缘层，位于半导体基底的下表面上，其中第二绝缘层的材料不同于第一绝缘层；以及接合结构，设置于半导体基底的下表面上。