公开(公告)号：CN106586943B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201610755921.8

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 程世伟 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  林炫政 ,  吴威鼎 ,  胡景翔

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

摘要： 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。

公开(公告)号：CN109319728A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810474025.3

申请日：2018-05-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 翁睿均 ,  许希丞 ,  陈信宇 ,  蒋季宏 ,  程世伟 ,  吴威鼎 ,  胡景翔 ,  拉瓦亚 ,  沙纳卡瓦拉普

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 一种用于处理微机电系统(MEMS)组件的方法。在一个实例中，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆(wafer)；使用第一化学气相沉积(CVD)法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层(SAM)的层沉积到微机电系统组件的表面。

公开(公告)号：CN106976838A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610817614.8

申请日：2016-09-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 程世伟 ,  许希丞 ,  陈信宇 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  吴威鼎 ,  吴毓瑞 ,  胡景翔 ,  陈明聪

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  B81C1/00309

摘要： 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。

公开(公告)号：CN103456768A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310080401.8

申请日：2013-03-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许鸿生 ,  杨岱宜 ,  吴威鼎 ,  钟明达 ,  游绍祺

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1047

摘要： 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。