公开(公告)号：CN107204279B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201611213212.3

申请日：2016-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  罗冠昕 ,  林纬良 ,  洪继正

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括提供衬底；在衬底上方形成芯轴图案；以及在芯轴图案的侧壁上形成间隔件。该方法进一步包括去除芯轴图案，从而形成至少部分地被间隔件围绕的沟槽。该方法进一步包括在沟槽中沉积共聚物材料，其中共聚物材料是定向自组装的；并且引发共聚物材料内的微相分离，从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。芯轴图案具有限制的尺寸和限制的配置。第一组分聚合物包括布置成矩形阵列或正方形阵列的圆柱。

公开(公告)号：CN104698774B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201410745239.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗冠昕 ,  张庆裕

IPC: G03F7/30

Abstract: 根据实施例，本发明提供了一种过滤诸如负性显影剂的工艺流体的方法。将负性显影剂引入至包括氟基聚合物的过滤膜。然后通过过滤膜过滤负性显影剂。通过使用这些材料和方法，来自过滤膜的聚乙烯在显影期间将不会污染光刻胶并且减少由聚乙烯污染引起的缺陷。

公开(公告)号：CN106158597B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201510860885.7

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晋沅 ,  洪继正 ,  陈俊光 ,  罗冠昕 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  林纬良

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明揭示的内容为使用多重定向自组装(directed self‑assembly，DSA)图案化工艺形成用于半导体元件的目标图案的一种方法。方法包括接收基板，及通过执行包括第一DSA工艺的工艺在基板上形成导引图案。方法进一步包括使用导引图案在基板上方执行第二DSA工艺。在一实施例中，第一DSA工艺控制第一方向上密集图案的第一间距，第二DSA工艺控制在第二方向上密集图案的第二间距。因为导引图案是由包含DSA工艺的工艺所形成，可精确地控制导引图案的临界尺寸。此外，由第二DSA工艺所产生的最终图案可具有密集间距，且尺寸及形状更均匀。

公开(公告)号：CN104698774A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410745239.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗冠昕 ,  张庆裕

IPC: G03F7/30

Abstract: 根据实施例，本发明提供了一种过滤诸如负性显影剂的工艺流体的方法。将负性显影剂引入至包括氟基聚合物的过滤膜。然后通过过滤膜过滤负性显影剂。通过使用这些材料和方法，来自过滤膜的聚乙烯在显影期间将不会污染光刻胶并且减少由聚乙烯污染引起的缺陷。