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公开(公告)号：CN113050369B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110047011.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/30 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
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公开(公告)号：CN111752093A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010221722.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。
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公开(公告)号：CN107204279B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201611213212.3
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括提供衬底；在衬底上方形成芯轴图案；以及在芯轴图案的侧壁上形成间隔件。该方法进一步包括去除芯轴图案，从而形成至少部分地被间隔件围绕的沟槽。该方法进一步包括在沟槽中沉积共聚物材料，其中共聚物材料是定向自组装的；并且引发共聚物材料内的微相分离，从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。芯轴图案具有限制的尺寸和限制的配置。第一组分聚合物包括布置成矩形阵列或正方形阵列的圆柱。
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公开(公告)号：CN108962728A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201711166831.6
申请日：2017-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/168 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/0271 , H01L21/3081 , H01L21/31055 , H01L21/31133 , H01L21/32115 , H01L21/0274 , G03F7/0035
Abstract: 本公开实施例提供集成电路的制造方法。此方法包含提供基底，其具有顶面和从顶面凹陷的沟槽，将敏感材料层涂布于基底的顶面上，其中敏感材料层填入沟槽中，对敏感材料层执行活化处理，使得部分的敏感材料层化学性地改变，以及对敏感材料层执行湿式化学工艺，使得敏感材料层位于沟槽之上的顶部部分被移除，其中敏感材料层的剩余部分的顶面与基底的顶面大致上共平面。该方法可以消除凹凸不平的轮廓，提供了平坦化的顶面。
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公开(公告)号：CN106502053A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510859943.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种保形中间层的制作方法，包含对单体溶液进行第一聚合工艺以形成经部分处理的树脂溶液，此经部分处理的树脂溶液包含溶剂及硅基的树脂；将经部分处理的树脂溶液旋涂在基板上；及对经部分处理的树脂溶液进行第二聚合工艺以使经部分处理的树脂溶液收缩来形成硅基的保形树脂层。此收缩允许产生较为保形且较均匀的中间层，让中间层的厚度变化可小于15％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113341662B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110558121.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 本公开涉及光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂层；以及使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案。所述潜在图案是通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来显影的。所述显影剂组合物包括：汉森溶解度参数为18>δd>3、7>δp>1和7>δh>1的第一溶剂；酸解离常数pKa为‑11
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公开(公告)号：CN115202155A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210690784.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本揭露是关于一种降低光阻消耗(RRC)的方法及半导体结构的形成方法。降低光阻消耗的方法包含利用RRC组合物处理基材的表面；以及形成包括含金属材料的光阻层于经RRC组合物处理后的表面上。RRC组合物包含溶剂，以及酸或碱。溶剂具有10至25的分散参数。酸具有‑20至6.8的酸解离常数，且碱具有7.2至45的酸解离常数。
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公开(公告)号：CN115050633A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110891053.7
申请日：2021-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/004
Abstract: 一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN114721222A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210202786.X
申请日：2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 一种聚合物组合物以及制造半导体装置的方法，用于制造半导体装置的方法包括在基板之上形成抗蚀剂底层的步骤。抗蚀剂底层包括底层组合物，底层组合物包括：具有以下的聚合物：光致产酸剂(photoacid generator；PAG)基团侧基、热致产酸剂(thermal acid generator；TAG)基团侧基、PAG基团侧基与TAG基团侧基的组合、光致产碱剂(photobase generator；PBG)基团侧基、热致产碱剂(thermal base generator；TBG)基团侧基或PBG基团侧基与TBG基团侧基的组合。在抗蚀剂底层之上形成包括光阻剂组合物的一光阻剂层。选择性地将光阻剂层暴露于光化辐射。对经选择性暴露的光阻剂层进行显影以在光阻剂层中形成一图案。
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公开(公告)号：CN107357134B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201610300889.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量份的高分子；约5至约20重量份的交联剂；约0.1至约10重量份的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量份的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。
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