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公开(公告)号：CN115874282A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211477959.5
申请日：2022-11-23
Abstract: 本发明提供了一种提高大面积单晶金刚石拼接生长质量的方法，属于晶体生长技术领域。本发明先在MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备中预生长，然后挑选台阶流生长方向相近的预生长样品进行拼接生长，从而提高拼接效率，减少拼接生长过程中的缺陷密度，改善拼接缝处应力分布，提高拼接生长的晶体质量。本发明的方法实施简便有效，可以兼顾生长速率与晶体质量，而且生长过程中没有引入其他杂质原子，接缝处质地均匀，台阶流逐渐合并，整体生长面表现较为平缓，整体材料的后续生长质量也有着显著提升。
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公开(公告)号：CN113529166B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110748010.3
申请日：2021-07-02
IPC: C30B25/18 , C30B29/04 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , C23C28/00
Abstract: 本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
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公开(公告)号：CN113463192A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110748142.6
申请日：2021-07-02
Abstract: 本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。
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公开(公告)号：CN117431626A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311408629.5
申请日：2023-10-27
Abstract: 本发明公开了一种异质外延单晶金刚石的复合衬底材料及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域，即在LSAT表面制备一层单晶铱膜，随后将得到的Ir/LSAT复合衬底放入CVD设备中进行偏压增强成核生长，最终得到大尺寸的单晶金刚石外延片。本发明利用新型无孪晶钙钛矿晶体的铝酸锶钽镧(La,Sr)(Al,Ta)O3(简称LSAT)晶体作为复合衬底的底层材料使成本降低，而且容易获得大尺寸的高质量单晶衬底，在异质外延法制备单晶金刚石方面具有非常广阔的前景。
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公开(公告)号：CN116190215A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310200830.8
申请日：2023-03-06
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及金刚石半导体器件的制备方法。本发明在金刚石籽晶的(001)晶面进行镀膜处理后，第一煅烧，在得到的预处理后的金刚石籽晶的(001)晶面依次生长高浓度硼掺杂的p型导电外延层和低浓度硼掺杂的p型导电外延层；在低浓度硼掺杂的p型导电外延层的表面制备掩膜后，在无掩膜遮挡的区域依次进行蒸镀过渡金属、第二煅烧和刻蚀，得到(110)晶面的斜角台面；在(110)晶面上外延生长n型金刚石层后，去除掩膜和金刚石籽晶，分别在低浓度硼掺杂的p型导电外延层和高浓度硼掺杂的p型导电外延层的表面制备正极和负极。该制备方法可以避免刻蚀损伤，提高金刚石的生长质量，提高金刚石半导体器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318527A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111645882.3
申请日：2021-12-30
Abstract: 本发明的一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法属于晶体生长技术领域，步骤包括在单晶金刚石作为衬底旋涂光刻胶，设计的掩膜图形，沉积掩膜材料，去除光刻胶，沉积生长金刚石外延层，浸泡剥离等。本发明技术方案中外延生长的单晶金刚石膜在冷却过程中由于应力的差异而自然剥离，外延生长的晶体质量高，材料损耗小，且不受材料尺寸限制。
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公开(公告)号：CN114150376A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111195697.9
申请日：2021-10-14
Abstract: 本发明的一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法属于晶体生长技术领域，首先选取1片(100)取向的单晶金刚石作为衬底模板，在衬底模板表面生长单晶金刚石外延层并切割剥离，重复此操作获得多片晶体取向严格一致的高质量单晶金刚石外延片；研磨、抛光、清洗后放入CVD设备中生长1～4h，以观察样品表面台阶流生长方向；然后将外延片沿台阶流生长方向平行的方式进行排列，作为拼接衬底，在拼接衬底表面生长单晶金刚石外延层，并切割剥离，得到大尺寸高质量单晶金刚石。本发明在拼接缝处晶体的方向一致，拼接缝能够自然平缓的弥合，外延生长的晶体质量无明显退化，同时提高了单晶金刚石拼接生长的尺寸极限。
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公开(公告)号：CN117153889A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310728245.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/337 , H01L21/28
Abstract: 本发明的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管及其制备方法属于半导体器件技术领域。所述的场效应晶体管，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。制备方法包括生长异质外延衬底(1)、掺杂沟道层(2)、掺杂电阻缓冲层(3)等步骤。本发明制备的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。
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公开(公告)号：CN112323144B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202011220069.7
申请日：2020-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种表面增强的聚晶金刚石复合片及其制备方法属于超硬材料技术领域。所述的表面增强的聚晶金刚石复合片，包括CVD多晶金刚石膜、聚晶金刚石层和碳化钨‑钴硬质合金层，制备方法包括激光扫描雕刻预制图案、整体压实成型、高温高压烧结等步骤。本发明通过在PDC表面热压烧结一层CVD多晶金刚石膜，提高了PDC的耐磨性，在高温高压烧结过程中表面CVD多晶金刚石膜沿激光预制纹路开裂，流体状态的金刚石微粉、钴、碳化钨混合物填充入裂隙形成聚晶，并与CVD多晶金刚石膜形成牢固D‑D键连接。因此在高温高压烧结过程中和高负荷工作条件下金刚石膜片不易随机崩裂脱落，以免造成刀具损伤。
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公开(公告)号：CN112337403A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011220068.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种表面增强的三脊异形聚晶金刚石复合片及其制备方法属于超硬材料技术领域，所述的表面增强的三脊异形聚晶金刚石复合片，由CVD多晶金刚石条块、聚晶金刚石层和碳化钨‑钴硬质合金层构成，制备方法包括切割CVD多晶金刚石膜、按人字状并与金刚石微粉和碳化钨‑钴硬质合金圆柱坯料压实、高温高压烧结、机械加工等步骤。本发明制备的金刚石复合片具有耐磨性高、切削能力强、使用寿命长等优点。
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