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公开(公告)号：CN104868041B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510316883.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种全碳基量子点混合荧光粉LED及其制备方法，是新型材料在照明领域的应用。本发明采用由蓝光波段的碳点荧光粉、红光波段的聚合物量子点荧光粉以及绿光波段的聚合物量子点荧光粉组成的混合荧光层作为发光层，紫外光芯片作为激发光源，本发明中的混合荧光层不存在能量的相互吸收及自吸收作用且毒性低、成本低廉，本发明所制备的LED发出的白光显色指数高、色度稳定性好，且白光的色温及显色度不因施加电流变化而显著改变。
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公开(公告)号：CN106025042A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610585533.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/502 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明涉及一种基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED及制备方法。基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED，将钙钛矿量子点嵌入二氧化硅基质中，并结合蓝光LED芯片发出白光，采用3‑氨基丙基三乙氧基硅烷水解形成二氧化硅基质，再由二氧化硅包覆钙钛矿量子点,获得空气中稳定的钙钛矿量子点,将制备的二氧化硅包覆的钙钛矿红光和绿光量子点荧光粉作为发光层，蓝光LED芯片作为激发光源，利用蓝、红、绿三原色匹配发出白光，获得基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED。本发明提出将钙钛矿量子点嵌入由APTES水解形成的二氧化硅基质中，使获得的二氧化硅包覆钙钛矿量子点在空气中可以保持长期的稳定性并具有高的荧光量子产率。
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公开(公告)号：CN105720205A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610120516.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/50 , C09K11/665 , H01L51/0035 , H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明主要涉及一种新型发光薄膜，具体涉及的是基于PEI的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法。采用PEI与ZnO作为电子输运层，钙钛矿量子点发光薄膜作为荧光层，其结构包括：ITO薄膜的衬底(1)、沉积在衬底上的ZnO层(2)、旋涂在ZnO纳米晶薄莫上的PEI层(3)、旋涂在被PEI包覆的ZnO纳米晶薄膜上的钙钛矿量子点(4)；所述的ZnO层与PEI层共同组合成电子迁移层；所述的无机铯铅卤化物钙钛矿量子点作为发光层(4)。本发明所制备的钙钛矿量子点发光薄膜相比现有工艺制备的钙钛矿量子点发光薄膜，其荧光量子产率可提高2～3倍。
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公开(公告)号：CN105226146A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510624145.3
申请日：2015-09-28
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/26 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了液态量子点LED及其制备方法，所述液态量子点LED以液态量子点作为发光层，与固态量子点发光层相比具有更好的量子产额，也具有较高的亮度及发光效率。该液态量子点LED的制备方法为：根据所述液态量子点光致激发的要求，选择相应波长的发光芯片作为激发光源，通过液压注入的方式将制备好的液态量子点注入发光层，最后通过组合安装制成液态量子点LED，通过本发明所述方法制得的LED结构简单，制备过程容易，材料损耗低。
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公开(公告)号：CN102723350B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201210208512.8
申请日：2012-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种新型结构的基于PbSe胶体量子点的阵列式霍尔元件及其制作方法。具有结构小，任意弯曲和灵敏度高等优点。所述PbSe胶体量子点敏感单元为多个串联在一起，并按点阵列式排列在柔性衬底上，该单元一端为电流输入端电极，另一端为电流输出端电极，每个PbSe胶体量子点敏感单元的信号分别通过各自信号输出电极I输出，所有PbSe胶体量子点敏感单元的信号输出电极I和II分别集中在一起排布并与各自的信号输出端接口相连，该单元的制作方法包括，首先制备出单个PbSe胶体量子点敏感单元8，然后蒸镀电极，先蒸镀信号输出电极I和信号输出电极II，在其上镀保护层，最后蒸镀电流输入端电极和电流输出端电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509756B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210001471.5
申请日：2012-01-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于FTO的全无机氧化物量子点LED及其制作方法，属于半导体照明技术领域。技术方案是：所述LED结构主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成；所述LED制作方法经步骤一、FTO电极（2）的制备，步骤二、NiO薄膜层（3）的制备，步骤三、CdSe/CdS/ZnS量子点的合成与薄膜制备，步骤四、ZnO纳米晶薄膜层（5）的制备，步骤五、蒸镀电极，最后，完成基于FTO的全无机氧化物量子点LED的制作。本发明提供上述技术方案使LED发光层和载流子迁移层能级得到合理的匹配，同时简化LED制作工艺，降低封装成本。
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公开(公告)号：CN103618047A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310665055.X
申请日：2013-12-09
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4213 , H01L51/0035 , H01L51/4233 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及一种环保无重金属量子点太阳能电池及其制作方法，属于新能源先进制造技术领域。该电池主要由基底、正极、空穴收集层、光敏层、收集层和负极组成，所述正极为ITO电极，将其沉积在基板上，ITO电极和基板能使太阳光透过，所述空穴收集层为具有极强导电性能的PEDOT:PSS层，将其旋涂在ITO电极上，所述光敏层为位于PEDOT:PSS层之上的CuInS2/ZnS QDs层，所述收集层为在CuInS2/ZnS QDs层上旋涂的ZnO纳米薄膜层，所述负极为在ZnO纳米薄膜层上蒸镀的Al电极。这种结构的太阳能电池保持了量子点太阳能电池的高效、柔性和工艺简单的特点，同时不含重金属，符合环保要求。
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公开(公告)号：CN102723350A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210208512.8
申请日：2012-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种新型结构的基于PbSe胶体量子点的阵列式霍尔元件及其制作方法。具有结构小，任意弯曲和灵敏度高等优点。所述PbSe胶体量子点敏感单元为多个串联在一起，并按点阵列式排列在柔性衬底上，该单元一端为电流输入端电极，另一端为电流输出端电极，每个PbSe胶体量子点敏感单元的信号分别通过各自信号输出电极I输出，所有PbSe胶体量子点敏感单元的信号输出电极I和II分别集中在一起排布并与各自的信号输出端接口相连，该单元的制作方法包括，首先制备出单个PbSe胶体量子点敏感单元8，然后蒸镀电极，先蒸镀信号输出电极I和信号输出电极II，在其上镀保护层，最后蒸镀电流输入端电极和电流输出端电极。
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公开(公告)号：CN102680104A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210165019.2
申请日：2012-05-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光纤法布里-珀罗微型腔的色度仪，属于色度仪器研制领域。主要包括标准光源、传输光纤、阵列式法布里-珀罗微型腔干涉采集模块、信号处理模块和显示屏。标准光源的光耦合至Y形光纤入射端，并由Y形光纤探头出射，照射至待测物体表面；光线经待测物体表面反射后由Y形光纤探头传输至Y形光纤出射端，出射端与阵列式法布里-珀罗微型腔干涉采集模块相连；阵列式法布里-珀罗微型腔干涉采集模块采集到Y形光纤出射端输入光线的干涉光强后，将其干涉信号输入至信号处理模块；信号处理模块对采集的信号进行傅里叶变换处理后，获得待测物体的表面色度并显示于显示屏上。这种色度仪器具有测量精度高，体积小和测量方便等优点。
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公开(公告)号：CN102437210A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110388242.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。
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