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公开(公告)号：CN101608287A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910072541.4
申请日：2009-07-20
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种NiTiNbCo宽滞后记忆合金的制备方法，它涉及一种NiTiNbCo记忆合金的制备方法。它解决了目前技术制备的NiTiNbCo记忆合金存在恢复力差、屈服强度低、作为连接紧固件使用安全性能差的问题。其方法：一、将原材料混合翻转搅拌，熔炼，制备铸锭；二、将铸锭重新熔化制棒材、冷却；三、将冷却的棒材抛光，清洗，然后放入石英管中，均匀化处理，淬水、退火，而后热轧成轧制态板材。本发明得到的NiTiNbCo宽滞后记忆合金具有高恢复力，屈服强度高、连接安全可靠的优点。本发明制备方法工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN101497988A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910071349.3
申请日：2009-01-24
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： TiNi合金表面镀钽的方法，它涉及一种合金表面镀钽的方法。本发明方法解决了现有TiNi合金长期植于人体内抗腐蚀性能差的问题。本发明的方法如下：一、将TiNi合金机械抛光，再超声波清洗，吹干；二、进行溅射清洗；三、用钽离子轰击TiNi合金并沉积，冷却至室温；四、真空退火，即得镀钽的TiNi合金。本发明方法制备的镀钽的TiNi合金抗腐蚀性能好，同时抑制Ni离子溶出，改善生物相容性。本发明的生产工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN101402399A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810137546.6
申请日：2008-11-17
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 记忆合金智能解锁机构，本发明涉及一种空间飞行器用的分离解锁器。本发明是为解决现有航天器的空间解锁采用火工装置实现解锁，存在安全性差以及记忆合金解锁方式存在解锁时间长的问题。本发明的壳体上部侧壁上设有连接板槽，壳体的上部设有与连接板槽垂直的插销孔，连接板设置在连接板槽内，连接板上设有与插销孔相对应且相同直径的连接孔，插销设置在插销孔和连接孔中，记忆合金的上端与插销的下端面固接，记忆合金的下端装在壳体底端面的中心孔内，电路的两端分别与记忆合金连接。本发明采用记忆合金丝、记忆合金片或者记忆合金弹簧通过直接电加热提供驱动力实现智能解锁，解锁时间短、结构简单、具有安全性高、低冲击、可重复使用等优点。
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公开(公告)号：CN101252009A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810064311.9
申请日：2008-04-16
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G11B11/105
摘要： Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，它涉及Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金的新用途，特别是Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制，记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程，同时受存储介质热传导效应影响，导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式，它结合磁存储和光存储的优点，具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。
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公开(公告)号：CN118119256A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410272622.3
申请日：2024-03-11
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H10N10/01 , C22C1/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , H10N10/851 , H10N10/853 , H10N10/85
摘要： 一种方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有方钴矿基热电材料阻挡层与焊料的润湿性较差，需额外引入连接层Ni，从而引入额外的界面电阻问题。方法：一、制备方钴矿基n型块体材料及方钴矿基p型块体材料；二、制备Ni‑Cr混合粉；三、制备表面设有阻挡层的方钴矿基热电材料。本发明用于方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备。
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公开(公告)号：CN116963572A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310591707.3
申请日：2023-05-24
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/80 , H10N10/852
摘要： 一种碲化铋基热电材料低接触电阻高结合强度高热稳定性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有碲化铋基热电材料阻挡层无法同时实现200℃以上长期热稳定且高强低阻的问题。方法：一、制备Ti/碲化铋p型/Ti试件；二、制备Ti/碲化铋n型/Ti试件；三、制备碲化铋发电器件。本发明用于碲化铋基热电材料低接触电阻高结合强度高热稳定性的阻挡层制备。
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公开(公告)号：CN116200772A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310184566.3
申请日：2023-03-01
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B11/075 , C25B1/02 , C01B32/949 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 一种多缺陷活性位点的纳米硬质合金化合物电催化剂的制备方法，本发明涉及纳米硬质合金化合物电催化剂的制备方法。解决硬质合金类型化合物难以通过缺陷工程提高其催化活性的问题。制备方法：一、前驱体合成；二、活性物质的制备；三、对活性物质施加电感等离子体。本发明用于多缺陷活性位点的纳米硬质合金化合物电催化剂的制备。
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公开(公告)号：CN115915896B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN115915896A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN113773083A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111069346.3
申请日：2021-09-13
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , H01L35/16
摘要： 一种兼具高强度和高热电性能的碲化铋基材料及其制备方法，本发明涉及一种碲化铋基材料及其制备方法。本发明要解决现有碲化铋基材料特殊的层状结构使其力学性能差，切削加工困难的问题。兼具高强度和高热电性能的碲化铋基材料的化学通式为Bi0.4Sb1.6Te3‑x；方法：一、称取；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于兼具高强度和高热电性能的碲化铋基材料及其制备。
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