公开(公告)号：CN102265392A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152064.0

申请日：2009-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸広 ,  加藤刚久 ,  田中浩之

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/22 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22)，第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13)，第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16)，铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12)，在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17)，半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。

公开(公告)号：CN101516004A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007898.4

申请日：2009-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日繁孝 ,  加藤刚久 ,  村田隆彦 ,  山田隆善

IPC: H04N5/335 ,  H03M1/34

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3742

Abstract: 本发明是一种固体摄像装置，不需要高速的时钟就可以高速地输出数字信号，其中包括：被排列为行列状的多个像素电路(11)，对接受的光进行光电转换；以及模数转换部(70)，将作为所述光电转换的结果的信号电压，转换为以多个位表示的数字信号；模数转换部(70)具有：基准电压生成部(40)，在所述信号电压能够变化的电压范围内，生成彼此互不相同的多个基准电压；最高有效位转换部(20)，在将各个基准电压作为基点的多个电压区间中，确定包含所述信号电压的电压区间，并将确定结果作为所述数字信号的最高有效位的值；以及最低有效位转换部(30)，将作为所述被确定的电压区间的基点的基准电压和所述信号电压之间的电压差，转换为所述数字信号的最低有效位。

公开(公告)号：CN1303692C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN03154304.9

申请日：2003-08-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博 ,  山田隆善

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。

公开(公告)号：CN1811690A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610006751.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  五宝靖 ,  中西雅浩 ,  外山昌之 ,  岩成俊一

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F1/3225 ,  G06F1/206 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/172

Abstract: 本发明的存储器系统包括具有非易失性存储器的存储装置和对存储装置进行存取的存取装置，所述存储装置包括：检测部件，检测存储装置的温度；决定部件，根据检测出的温度来决定工作条件；以及通知部件，将决定的工作条件通知所述存取装置，所述存取装置包括：接口部件，连接存储装置；以及控制部件，根据由存储装置通知的工作条件来控制接口部件。

公开(公告)号：CN1469481A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03148731.9

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久 ,  田中圭介 ,  上田大助

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种存储装置，具有包含由在硅构成的基板(10)上依次形成的下部电极(21)、铁电体膜(22)以及上部电极(23)所构成的电容(20)的存储单元。铁电体膜(22)，在下部电极(21)上选择性生长后形成。这样，由于在具有所希望的下部电极(21)上选择性地形成铁电体膜(22)，在铁电体膜(22)中不会有损伤部，可以实现存储单元的微细化。

公开(公告)号：CN1379475A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02108021.6

申请日：2002-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久 ,  山田隆善

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法,半导体存储装置具有铁电体电容器,即使由于电子或空穴的注入使施加在铁电体电容器上的电位差消失,也能够读出铁电体电容器所保持的数据。半导体存储装置的结构是:由源区(101)、漏区(102)、沟道区(103)、栅绝缘膜(104)及浮置栅电极(105)构成场效应晶体管,通过绝缘膜在该场效应晶体管上设置铁电体电容器(113),铁电体电容器由铁电体膜(110)和上侧的第1电极(111)及下侧的第2电极(112)组成。将铁电体膜(110)的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎饱和极化值的第1状态作为数据“1”写入的同时,将铁电体膜的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎为零的极化值的第2状态作为数据“0”写入。

公开(公告)号：CN1350333A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01118833.2

申请日：2001-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/78391

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置,是将强电介质电容器用于控制场效应型晶体管栅电位的非易失性半导体存储装置。在硅衬底10上形成源极区域11以及漏极区域12,在硅衬底10的源极区域11和漏极区域12之间的区域上侧形成硅氧化膜14,在该硅氧化膜14上形成强电介质膜15,在该强电介质膜15上形成栅电极16。强电介质膜以及硅衬底为第1导电型;源极区域以及漏极区域为第2导电型。在强电介质膜上不易产生伴随泄漏电流的电荷损失,能长期保存数据。

公开(公告)号：CN103946982A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056111.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

公开(公告)号：CN103444167A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280015410.2

申请日：2012-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石井基范 ,  加藤刚久

IPC: H04N5/353 ,  H01L27/146 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/3765

Abstract: 本发明的目的在于提供，能够实现即使在亮度变化激烈的运动图像摄像时，也余像现象不会发生的高画质摄像的固体摄像装置的驱动方法，包含以呈二维状的方式在水平扫描方向上排列成m列、在垂直扫描方向上排列成n行的像素的固体摄像装置(n为2以上的整数，m为自然数)，在结束第i行(i为1以上且n－1以下的整数)的所述像素的复位工作时，第(i＋1)行的所述像素处于复位工作，或者，第(i＋1)行的所述像素的复位工作结束后经过的时间为未满1帧摄像时间。

公开(公告)号：CN103026702A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036346.1

申请日：2011-02-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田隆彦 ,  山田隆善 ,  加藤刚久

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/347

CPC classification number: H04N5/335 ,  H04N5/2329 ,  H04N5/3532 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明的目的在于提供一种动画变形少的MOS型固体摄像元件，具备：多个像素，排列为二维状，分别输出初始状态的电信号和受光后状态的电信号；第一列信号线(7)，与像素的列对应设置，传递来自对应的像素的列的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号；第一保持电路部(2)，与第一列信号线(7)对应设置，保持通过对应的第一列信号线(7)从像素传递来的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号；以及第一差分电路部(3)，输出第一保持电路部(2)所保持的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号的差分；第一保持电路部(2)包括能够保持像素的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号的单位保持电路，该单位保持电路的数量是与对应的第一列信号线(7)对应设置的像素的数量。