-
公开(公告)号：CN116246957A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310223425.8
申请日：2023-03-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/15
Abstract: 本发明提供了一种p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构的第一部分和隔离层之间形成空腔，若干层超晶格结构的第一部分包括间隔设置的N个鳍型单元，且位于空腔上方的N个鳍型单元的部分对应形成N个超晶格纳米线，栅金属分别从四周包裹每个超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的pAlGaN层、pGaN层；每层超晶格结构对应形成一导电沟道，本发明利用多个超晶格纳米线提高p型沟道GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属分别从四周完全关断所有导电沟道，提高了p型沟道GaN HEMT器件的栅控能力及开关性能，从而实现提高p型沟道GaN HEMT器件性能的效果。
-
公开(公告)号：CN115985909A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310185737.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/82 , H01L21/8252
Abstract: 本发明提供了一种GaN器件与SiC器件的集成芯片，包括：第一SiC衬底；GaN驱动电路，所述GaN驱动电路包括第一沟道层；所述第一沟道层外延形成于所述第一SiC衬底上，且直接接触所述第一SiC衬底；第一功率器件，所述第一功率器件与所述GaN驱动电路均形成于所述第一SiC衬底上；其中，所述第一SiC衬底的晶格常数适配于所述第一沟道层的晶格常数。本发明提供的技术方案，实现了GaN器件与SiC器件的集成的同时，保证了第一SiC衬底表面生长的第一沟道层的质量，实现了器件性能的提升。
-
公开(公告)号：CN112992895B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110111817.6
申请日：2021-01-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/085 , H01L21/8252 , H02M3/155
Abstract: 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。
-
公开(公告)号：CN115621299A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211255257.2
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种外延结构的制备方法、氮化镓器件及器件制备方法，外延结构的制备方法包括：提供一衬底并对其进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD设备的反应腔中并通入H2、NH3进行高温处理；在高温处理后的衬底上生成AlN成核层；在AlN成核层上依次生长缓冲层以及GaN沟道层；在GaN沟道层上外延AlN空间插入层；在AlN空间插入层上外延AlxGaN势垒层；在AlxGaN势垒层上外延AIN钝化层；在AlN钝化层上外延SiN钝化层；上述SiN/AlN/AlxGaN/AlN/GaN层均在MOCVD设备的反应腔中原位进行。由于MOCVD高温生长的AlN为单晶，与GaN的晶格失配很小，因而可以形成较高质量的界面，极大改善其动态特性。使用该外延结构的氮化物半导体器件可以有效抑制器件的“电流崩塌”效应，同时提高氮化物半导体器件的耐压性能。
-
公开(公告)号：CN115548095A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211255572.5
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓器件，包括：衬底；沿远离衬底方向依次形成于衬底上的沟道层以及势垒层；形成于势垒层上的漏极、栅极和源极；钝化层，钝化层位于势垒层上，且覆盖所述栅极、源极与漏极，并填充栅极与源极以及栅极与漏极之间的间隙；金属互连层，贯穿钝化层，且分别与漏极、栅极和源极连接；栅极场板，栅极场板覆盖于栅极顶端的钝化层的表面上，且与源极金属互连层接触；其中，栅极包括：沿远离势垒层的方向依次形成的p‑GaN层、三族氮化物薄层以及栅金属层；三族氮化物薄层的材料是InN、AlN、InGaN或InAlN。因而本发明提供的技术方案可有效抑制器件的栅极漏电，及长期栅极电应力下产生的栅极击穿问题，实现了提高器件栅控能力和可靠性的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115548013A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211255254.9
申请日：2022-10-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路，包括：衬底；形成在所述衬底上第三区域的常开型氮化镓功率器件和第一区域与第二区域的负压驱动模块；其中，所述负压驱动模块用于保持所述常开型氮化镓功率器件在非工作状态时关断。解决了如何减少常开型氮化镓功率器件和负压驱动模块之间因互连线或导线而产生的寄生电感的问题。实现了提高常开型氮化镓功率器件和负压驱动模块的可靠性的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115420204A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211035830.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明属于球面壳体测量技术领域，具体为一种用于球面壳体中心监测的激光干涉定中装置。本发明装置具体包括：激光发射器，针孔，三个透镜，分光棱镜，探测器，45°反射镜，整形透镜组，中空气浮转台、调心调平装置；分别采集翻转前后内外表面不同运动姿态的干涉图，并实时分析其动态特征；基于现代光电探测技术，对激光干涉条纹进行实时特征提取算法处理，大幅提高了激光干涉条纹的动态识别精度。本发明为翻转法厚度测量精度提供了定位保障，提高了轮廓及厚度测量数据的准确性。
-
公开(公告)号：CN112953481B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110114019.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/081
Abstract: 本发明提供了一种GaN晶体管的驱动模块、开关电路与电子设备，包括：第一下拉晶体管与反向过冲抑制单元，所述第一下拉晶体管的第一端直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极，所述反向过冲抑制单元连接于所述第一下拉晶体管的第二端与地之间，所述反向过冲抑制单元还直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极；所述反向过冲抑制单元用于：在所述GaN晶体管的栅极电压下降时，若所述栅极电压高于指定阈值时，以第一阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；若所述栅极电压低于所述指定阈值时，以第二阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；所述第一阻抗小于所述第二阻抗。
-
公开(公告)号：CN114783877A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210198169.7
申请日：2022-03-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件上源漏可控限制外延的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构，在所述若干鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅结构，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构；刻蚀所述鳍结构形成若干源/漏空腔；在相邻鳍结构之间形成沿所述第一方向排列的第一隔离层，以隔离相邻鳍结构之间的源/漏空腔；在所述源/漏空腔中外延源/漏层；去除所述第一隔离层。使得所述源/漏层的厚度可以限制在应力释放的临界厚度内，以实现减少因失配错位导致的应力弛豫现象；当然地，通过对所述源/漏层厚度的限制，可以限制源/漏层于栅极之间的的接触面的面积，从而限制寄生电容。
-
公开(公告)号：CN114578817A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210187309.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多传感器检测及多数据融合的智能搬运车的控制方法；该方法包括以下步骤：对双目深度相机进行参数标定及对红外、超声传感器距离校准；信息采集及预处理；将预处理得到的多源数据进行整合，搭建基于贝叶斯推理的数据处理模型，对多源数据进行重构，并根据权重进行数据融合；利用多源重构的数据，确定智能车与靶向目标的相对位置，对智能小车运动机械控制；通过双目实时图片以及智能小车速度数据，确定机械手抓取位置和靶向目标位置，反馈优化小车运动及机械手抓取位置。本发明利用多源数据融合算法提高大视场下多目标物理的精确识别，并控制机械抓手进行精准拾取，为智能无人车、功能分拣车等提供理论依据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
195
records
(took 0.026 seconds)
