公开(公告)号：CN1062076C

公开(公告)日：2001-02-14

申请号：CN94119247.4

申请日：1994-12-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  吉村洋二 ,  高藤裕

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/20

CPC classification number: G02F1/133514

Abstract: 一种用多层无机薄膜结构提高滤色片白色平衡并使液晶元免受着色的彩色液晶显示器。其光谱传输特性是G(绿色)滤色片的发射波长区域变窄。对于具有四个像素为一组的像素阵列，G滤色片的两个像素成对角线排列，余下两个像素由R(红色)和B(蓝色)构成。

公开(公告)号：CN101855703B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880115929.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  中川和男 ,  松本晋 ,  富安一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。

公开(公告)号：CN101878534A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880117043.0

申请日：2008-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  多田宪史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和显示装置。该半导体装置(10)通过由剥离层剥离一部分而形成的包含CMOS晶体管(3)的半导体基板(1)与玻璃基板(2)相互贴合而构成。与NMOS晶体管(3n)的沟道区域(35n)同一导电型的P型、并且比沟道区域(35n)高浓度的p型高浓度杂质区域(39n)，与沟道区域(35n)电连接而形成，以使得沟道区域(35n)的电位被固定。与PMOS晶体管(3p)的沟道区域(35p)同一导电型的N型、并且比沟道区域(35p)高浓度的N型高浓度杂质区域(39p)，与沟道区域(35p)电连接而形成，以使得沟道区域(35p)的电位被固定。由此，提供一种通过抑制薄膜晶体管的特性变动能够实现高性能化的半导体装置和包括该半导体装置的显示装置。

公开(公告)号：CN101855703A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115929.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  中川和男 ,  松本晋 ,  富安一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。

公开(公告)号：CN100573824C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN03159798.X

申请日：2003-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  糸贺隆志

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN1492481A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03159798.X

申请日：2003-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  糸贺隆志

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN101911247B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122343.8

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  富安一秀 ,  高藤裕 ,  多田宪史 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/732 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

公开(公告)号：CN101842871B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

公开(公告)号：CN102714138A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080059547.9

申请日：2010-12-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  松本晋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/7833 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/80896

Abstract: 一种半导体装置(130)，具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，半导体元件(90)的薄膜元件(80)侧的端部以各基底层(51～54)的薄膜元件(80)侧的端部随着朝向被接合基板(100)侧而逐渐地突出的方式设成阶梯状，并且由树脂层(120)包覆，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)而相互连接。

公开(公告)号：CN101884096B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。