一种无玻璃膜取向硅钢制造方法及退火隔离剂

    公开(公告)号:CN102952931A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201110253467.3

    申请日:2011-08-30

    Abstract: 一种无玻璃膜取向硅钢制造方法,其包括如下步骤:1)冶炼;2)热轧、常化;3)冷轧;4)脱碳、渗氮,冷轧板在800~860℃湿N2+H2保护气体中进行脱碳退火处理,氧化能控制在0.16~0.40;通过脱碳退火将钢板中的碳降低到30ppm以下,同时在钢板表面形成以SiO2为主要成分的氧化层,并将单面氧含量控制在0.7g/m2以下;接着在含氨气的氧化能为0.05~0.15的N2+H2保护气体中进行连续的渗氮处理,将氮含量控制在180~280ppm;5)隔离剂涂敷;6)高温退火,升温,气氛为干的氮氢混合气氛,氮气比例50~90%,升温至1150~1250℃;保温,保温温度1150~1250℃,气氛为纯氢,时间15小时以上;7)涂绝缘涂层及拉伸平整退火得到磁性优良的晶粒取向硅钢产品。

    一种生产取向硅钢的方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100467625C

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200510030929.X

    申请日:2005-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种生产取向硅钢的方法,普通取向硅钢板坯经过再加热,热轧,酸洗,冷轧,退火得到最终成品,其中在常规热轧之后立即喷水冷却到400℃~500℃;然后在此温度范围内进行一个道次或多个道次的轧制,总压下率为5~25%,将板坯轧至热轧最终厚度,然后喷水冷却到室温。本发明解决了现有技术能耗高、加热炉使用效率低、热轧板边裂大、生产性不好、成本高及板坯表面和心部的温差大等固有缺点,同时控制了最终二次再结晶的完善度,确保最终产品获得完善的高斯织构。本发明技术简单易行,可提高取向硅钢的磁性,具有良好的应用前景。

    一种生产取向硅钢的方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1958812A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200510030929.X

    申请日:2005-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种生产取向硅钢的方法,普通取向硅钢板坯经过再加热,热轧,酸洗,冷轧,退火得到最终成品,其中在常规热轧之后立即喷水冷却到400℃~500℃;然后在此温度范围内进行一个道次或多个道次的轧制,总压下率为5~25%,将板坯轧至热轧最终厚度,然后喷水冷却到室温。本发明解决了现有技术能耗高、加热炉使用效率低、热轧板边裂大、生产性不好、成本高及板坯表面和心部的温差大等固有缺点,同时控制了最终二次再结晶的完善度,确保最终产品获得完善的高斯织构。本发明技术简单易行,可提高取向硅钢的磁性,具有良好的应用前景。

    一种激光器封装定位装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118367431A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410444659.X

    申请日:2024-04-15

    Abstract: 本发明涉及一种激光器封装定位装置。本发明包括封装底座;所述封装底座的顶部固定连接有支撑柱;所述支撑柱的顶端固定连接有滑架;通过设置放置顶盘用于放置堆叠到热沉板的芯片以及热沉板,并可由往复丝杆带动移动台横向移动,同时滑口架可在滑架上进行纵向移动,从而实现了移动台可在同一个平面内进行调节,从而实现定位的作用,当调节定位结束后,则后续不用再进行调节,只需要通过电动伸缩杆带动放置顶盘上下移动,用于对接壳体进行封装和重新放置堆叠到热沉板的芯片以及热沉板,在大量进行封装工作时不需要反复进行调整,降低了工作强度,也由于不需要反复调整,减少了多次定位的时间,进而提高了封装的效率。

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