用于膜的沉积的脉冲DC功率
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117203364A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202280030272.9

    申请日:2022-03-02

    Abstract: 公开了一种气相沉积系统及其操作方法。所述气相沉积系统包括:真空腔室;电介质靶,所述电介质靶在所述真空腔室内,所述电介质靶具有前表面和厚度;基板支撑件,所述基板支撑件在所述真空腔室内,所述基板支撑件具有与所述电介质靶的所述前表面间隔以形成工艺间隙的前表面;以及信号发生器,所述信号发生器连接到所述电介质靶以在所述真空腔室中产生等离子体,所述信号发生器包括功率源,所述功率源被构造为阻止在所述电介质靶中发生电荷积聚。所述方法包括向所述真空腔室内的电介质靶施加功率以在所述电介质靶与基板支撑件之间的工艺间隙中产生等离子体并脉冲施加到所述电介质靶的所述功率以阻止电荷积聚。

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