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公开(公告)号:CN119487635A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202380051513.2
申请日:2023-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 普拉桑纳卡莱什瓦拉·布达帕·拉马钱德拉帕 , 山布·纳特·昆杜 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M4/02
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及电池技术,并且更具体地,用于制备锂阳极的方法和系统。在一个或多个实施方式中,一种用于产生锂插层阳极的方法包括将包含锂膜的牺牲基板和包含石墨的阳极基板引入腔室内的处理区域中。该方法还包括将牺牲基板和阳极基板结合而彼此重叠而围绕重绕辊,旋转重绕辊以将牺牲基板和阳极基板卷绕在一起以在卷绕处理期间产生卷绕的阳极‑牺牲基板束。该方法还包括加热牺牲基板、阳极基板和/或卷绕的阳极‑牺牲基板束,同时旋转重绕辊并在缠绕处理期间经由闲置辊向卷绕的阳极‑牺牲基板束施加力。
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公开(公告)号:CN113227436A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201880100385.5
申请日:2018-12-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 安德烈亚斯·勒普 , 斯蒂芬·班格特 , 戴维·石川 , 巴扈巴利·S·乌帕德亚 , 苏迈德·阿查亚 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
Abstract: 描述了一种气相沉积装置。所述气相沉积装置包括:具有腔室壁的真空腔室;温度控制的屏蔽件,所述温度控制的屏蔽件被构造成屏蔽腔室壁;热屏蔽件,面向待涂布的基板,所述热屏蔽件具有一个或多个开口;和至少部分地在真空腔室之内的蒸发器,所述蒸发器包括:延伸穿过所述一个或多个开口的一个或多个喷嘴。
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公开(公告)号:CN112853286A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN201911100759.6
申请日:2019-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 安库尔·凯达姆 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 薛元
Abstract: 一种制造压电层的方法,包括:在将基板保持在低于400℃的温度的同时,通过物理气相沉积将第一结晶相的压电材料沉积到基板上;和在高于500℃的温度下对基板进行热退火,以将压电材料转变为第二结晶相。所述物理气相沉积包括在等离子体沉积腔室中从靶材溅射。
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公开(公告)号:CN118103546A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202280070043.X
申请日:2022-10-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 布赖恩·海斯·伯罗斯 , 塞卡尔·克里希纳萨米 , 阿亚纳古达·拉拉维 , 莫妮卡·穆达尔卡 , 戈文德拉·德赛 , 希曼塔·库马尔·拉朱 , 巴萨瓦拉吉·帕坦谢蒂 , 戴维·马萨尤基·石川 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 施里坎特·斯瓦米纳坦 , 马里奥·坎布朗 , 罗伯特·纳瓦斯卡 , 王苗君 , 乔纳森·弗兰克尔
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , B01J19/00 , B01J3/02 , B01J4/00
Abstract: 一种用于涂覆颗粒的反应器,所述反应器包括可旋转反应器组件,所述可旋转反应器组件包括滚筒、入口管和出口管、静态气体入口管线、静态气体出口管线和马达,所述滚筒被配置成保持多个待涂覆颗粒,所述静态气体入口管线通过旋转入口密封件耦接至入口管,所述静态气体出口管线通过旋转出口密封件耦接至出口管,所述马达用于旋转可旋转反应器组件。
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公开(公告)号:CN117795120A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202280054883.7
申请日:2022-08-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 山布·昆杜 , 普拉桑纳卡莱什瓦拉·布达帕·拉马钱德拉帕 , 维森特·M·林 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
Abstract: 提供了一种用于进行热蒸发的方法和装置。热蒸发器包括扁平坩埚设计,相对于传统设计,它提供了用于蒸发要沉积的材料的增加的表面面积。增加用于蒸发的表面面积意味着,可以产生更多的蒸发材料的蒸气,这会增加蒸发器主体内部的压力,导致蒸发材料流出喷嘴的流量增加。扁平坩埚可以与热蒸发器的蒸发器主体附接。扁平坩埚可以整合在蒸发器主体内。蒸发器主体可以包括多个纵向凹槽,这些凹槽增加了蒸发器主体的表面面积。热蒸发器可以包括多个挡板,这些挡板将热蒸发器分成单独的隔室。
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公开(公告)号:CN103594340A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201310485158.8
申请日:2009-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 马克·A·福多尔 , 戴尔·R·杜波依斯 , 阿米特·班塞尔 , 穆罕默德·阿尤布 , 埃勒·Y·朱科 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 希姆·M·萨德
IPC: H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/30 , H05H1/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种设备及方法,用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中,成形电极嵌入基板支撑件中,以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中,用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域,而能将不同电压施加至不同区域。此外,一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。
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公开(公告)号:CN101743341B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN200880024436.7
申请日:2008-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 阿希什·沙 , 戴尔·R·杜波依斯 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32366 , H01J2237/3321 , H01L21/67201 , H01L21/67207
Abstract: 本发明的实施例涉及一种整合基板边缘处理能力的基板处理系统。所述处理系统的实例包括但不限于一制造界面、一加载互锁真空室、一传送腔室以及一或多个双处理腔室,其中该双处理腔室具有两个或多个可彼此相互隔离,且共享同一气体供应件与同一排气泵的处理区域。在每一双处理腔室中的处理区域包含独立的气体分布组件与RF功率源,以在每一处理区域中基板表面上的选择区域提供等离子体。每一双处理腔室因而设置成能于处理区域中的至少两个基板上同时进行多个经隔离的处理。
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公开(公告)号:CN118160127A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202280068857.X
申请日:2022-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 类维生 , G·K·戈帕拉克里希南·奈尔 , 赵·K·秋静 , 丹尼尔·斯托克 , 托比亚斯·斯托利 , 托马斯·德皮施 , 简·德尔马斯 , 肯尼斯·S·勒德福 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 基兰·瓦查尼 , 马亨德兰·奇丹巴拉姆 , 罗兰·特拉斯尔 , 尼尔·莫里森 , 弗兰克·施纳朋伯杰 , 凯文·劳顿·坎宁安 , 斯蒂芬·班格特 , 詹姆斯·库辛 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
IPC: H01M10/058 , H01M10/052 , B23K26/36 , B23K26/352
Abstract: 提供用于借由具有宽工艺窗、高效率及低成本的激光源来处理锂电池的方法及设备。激光源被调适以实现皮秒脉冲的高平均功率及高频率。激光源可在固定位置或以扫描模式产生线形光束。系统可在干燥室或真空环境中操作。系统可包括对处理位点的碎屑移除机制(例如,惰性气体流)以移除在图案化工艺期间产生的碎屑。
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公开(公告)号:CN117716063A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202280047698.5
申请日:2022-06-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 尼廷·迪帕克 , 塔帕什·查克拉博蒂 , 普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 奈尔施·奇尔曼奥·巴古 , 巴扈巴利·S·乌帕德亚
Abstract: 公开了蚀刻碱金属化合物的方法。本公开内容的一些实施方式将碱金属化合物暴露于醇,以形成挥发性金属醇盐。本公开内容的一些实施方式将碱金属化合物暴露于β‑二酮,以形成挥发性碱金属β‑二酮酸盐化合物。在沉积工艺之后原位执行本公开内容的一些实施方式。本公开内容的一些实施方式提供了选择性蚀刻碱金属化合物的方法。
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公开(公告)号:CN113169110A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980079480.6
申请日:2019-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 韦恩·麦克米兰 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 约瑟夫·C·奥尔森 , 卢多维克·戈代 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 拿玛·阿加曼
IPC: H01L21/683 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及用于保持具有设置在表面上的一个或多个装置的基板的表面而不会接触一个或多个装置且不会使基板变形的基板支撑组件以及具有所述基板支撑组件的系统。在一个实施方式中,基板支撑组件包括边缘环,边缘环耦接至基板支撑组件的主体。控制器耦接至与基板支撑组件的主体耦接的多个像素的致动机构,使得与待保持的基板的表面的部分相对应的像素的部分经定位以支撑所述部分,而不接触在待保持在支撑表面上的基板的表面上所设置的一个或多个装置。
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