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公开(公告)号：CN114097070A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050576.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , B25J9/04 , B25J9/12 , B25J11/00 , B25J15/00
Abstract: 示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，其界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封出入口。系统可包括具有中心毂(central hub)的传送设备，中心毂包括轴，轴在远端延伸穿过传送区域壳体进入传送区域。传送设备可包括横向平移设备，横向平移设备与传送区域壳体的外表面耦接，并且所述横向平移设备经配置以提供轴的横向移动的至少一个方向。系统还可包括终端受动器，终端受动器在传送区域内与轴耦接。终端受动器可包括多个臂，所述多个臂的臂数量等于所述传送区域中多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。
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公开(公告)号：CN111373519B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201880072145.9
申请日：2018-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。
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公开(公告)号：CN112889145A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069562.2
申请日：2019-09-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/458
Abstract: 本公开内容的实施例总体上涉及升降杆固持器、升降杆固持器组件、以及包含升降杆固持器和/或升降杆固持器组件的基板支撑件。在一个或多个实施例中，一种升降杆固持器包含：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，其中基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和基部形成的第一孔腔，其中第一孔腔具有侧壁；以及从第一孔腔的侧壁延伸到基部的外表面的多个第二孔腔，其中弹簧加载构件被设置在第二孔腔中的每一者内。
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公开(公告)号：CN112088426A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980030846.0
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN110603634A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029349.4
申请日：2018-05-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张轶珍 , R·乔德里 , J·D·平松二世 , J·M·舒浩勒 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文的实施方式提供了一种用于在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺之类的等离子体增强沉积工艺期间直接地监测衬底的温度的衬底温度监测系统。在一个实施方式中，一种衬底支撑组件包括：支撑轴；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述支撑轴上；以及衬底温度监测系统，所述衬底温度监测系统用于测量待设置在所述衬底支撑件上的衬底的温度。所述衬底温度监测系统包括光纤管、耦接到所述光纤管的光导、以及围绕所述光纤管和所述光导的接合处设置的冷却组件。在本文中，所述光导的至少一部分设置在延伸穿过所述支撑轴并进入所述衬底支撑件的开口中，并且所述冷却组件在衬底处理期间维持所述光纤管处于低于约100℃的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112639164B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980057060.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。
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公开(公告)号：CN114097071A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050588.5
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , B25J9/04
Abstract: 示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，所述传送区域壳体界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封存取。系统可包括多个基板支撑件，所述多个基板支撑件设置在传送区域内。系统可还包括具有中央毂的传送设备，中央毂包括第一轴和可与第一轴反向旋转的第二轴。传送设备可包括偏心毂，偏心毂至少部分地延伸穿过中央毂，并且偏心毂从中央毂的中心轴径向地偏移。传送设备可还包括与偏心毂耦接的终端受动器。终端受动器可包括多个臂，多个臂具有的臂数量等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。
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公开(公告)号：CN114097069A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050133.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的传送区域壳体，并包括基板支撑件与传送设备。传送设备可包括中心毂，所述中心毂具有壳体，并且包括第一轴与第二轴。壳体可与第二轴耦接，并且可以限定内部壳体容积。传送设备可以包括多个臂，所述多个臂等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。多个臂中的每个臂可以围绕壳体的外部耦接。传送设备可包括设置在内部壳体容积内的多个臂毂。多个臂毂中的每个臂毂可以通过壳体与多个臂中的臂耦接。臂毂可与中心毂的第一轴耦接。
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公开(公告)号：CN114080668A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080050586.6
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括工厂接口和与工厂接口耦接的装载锁。系统可以包括与装载锁耦接的转移腔室。转移腔室可包括配置成从装载锁取回基板的机器人。系统可以包括定位成与转移腔室相邻并与转移腔室耦接的腔室系统。腔室系统可包括可由机器人横向存取的转移区域。转移区域可以包括围绕转移区域设置的多个基板支撑件。多个基板支撑件中的每个基板支撑件可垂直平移。转移区域也可包含转移设备，转移设备可沿着中心轴线旋转并经配置以接合基板并在多个基板支撑件之间转移基板。腔室系统还可包括多个处理区域，这些处理区域垂直地偏移并与相关的基板支撑件轴向对齐。
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公开(公告)号：CN114072897A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080048665.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定内部容积的传输区域外壳。传输区域外壳的侧壁可以限定用于提供和接收基板的可密封进出口。所述系统可以包括设置在传输区域内的多个基板支撑件。所述系统还可以包括具有中心枢纽的传输装置，所述中心枢纽包括第一轴和与第一轴同心并且相对于第一轴可反向旋转的第二轴。传输装置可包括与第一轴耦接的第一终端受动器。第一终端受动器可以包括多个第一臂。传输装置还可包括与第二轴耦接的第二终端受动器。第二终端受动器可以包括多个第二臂，所述多个第二臂的第二臂数量等于第一终端受动器的第一臂数量。
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