-
-
公开(公告)号：CN104813440A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061308.0
申请日：2013-09-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/50 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01L21/6719
Abstract: 在此提供一种用于等离子体处理基板的设备。所述设备包含处理腔室、配置在所述处理腔室中的基板支撑件以及耦合至所述处理腔室的盖组件。所述盖组件包含耦合至电源的导电气体分配器(诸如面板)以及耦合至导电气体分配器的加热器。分区阻隔板耦合至所述导电气体分配器，且冷却气体帽盖件耦合至分区阻隔板。调谐电极可配置在所述导电气体分配器与腔室主体之间，用以调整等离子体的接地路径。第二调谐电极可耦合至基板支撑件，且偏压电极也可耦合至基板支撑件。
-
公开(公告)号：CN103170478A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310055064.7
申请日：2009-05-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , D·杜鲍斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , H·姆萨德
IPC: B08B5/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: F16K31/0655 , B08B5/00 , B08B7/0021 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/45561 , F16K1/221 , F16K1/224 , F16K31/06 , F16K31/088 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230655B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710515830.1
申请日：2016-02-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , X·林
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了用于等离子体处理的双区式加热器。提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。
-
公开(公告)号：CN107230655A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710515830.1
申请日：2016-02-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , X·林
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了用于等离子体处理的双区式加热器。提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。
-
公开(公告)号：CN106133873A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
-
公开(公告)号：CN104685608A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049420.2
申请日：2013-09-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , M·A·阿优伯 , 陈建
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/30 , H01J37/32091 , H01J37/32532
Abstract: 提供一种用于等离子体处理基板的装置。装置包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件，以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与腔室体之间用来调整等离子体的接地电路。第二调节电极可与基板支撑件耦合，且偏压电极亦可与基板支撑件耦合。
-
公开(公告)号：CN102884610A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023388.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·R·杜鲍斯 , M·A·福多尔 , 周建华 , A·班塞尔 , M·阿优伯 , S·沙克 , P·赖利 , D·帕德希 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/46 , C23C16/5096 , H01J37/32495 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.017 seconds)
