公开(公告)号：CN103537804B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310276618.6

申请日：2013-07-03

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 森数洋司

IPC分类号： B23K26/362 ,  H01L21/78

CPC分类号： B23K26/02 ,  B23K26/042 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0673 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/359 ,  B23K26/364 ,  H01L21/30

摘要： 本发明提供一种激光加工方法，即便将脉冲激光光线的重复频率设定为20kHz以上也不会产生裂纹，并且即便是比形成被加工物的材料的吸收端长的波长的脉冲激光光线也能够实施烧蚀加工。该激光加工方法将重复频率为20kHz以上的脉冲激光光线照射到被加工物来实施激光加工，以被加工物的吸收端的波长为基准，通过实验求出激光光线的波长与不产生裂纹的脉冲宽度之间的关系，设定加工条件。而且，将脉冲激光光线的波长作为纵轴，将脉冲宽度作为横轴，生成描绘有各波长与脉冲宽度的极限点之间的关系的曲线图，照射连接各波长处的脉冲宽度的极限点而成的曲线的下侧的区域的脉冲激光光线来实施激光加工。

公开(公告)号：CN106409880A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610525328.4

申请日：2016-07-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李正德 ,  喻中一 ,  刘人诚 ,  黄冠杰 ,  杜友伦

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/187 ,  H01L21/223 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/768 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/00 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L21/02587 ,  H01L24/83

摘要： 一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导体层的横向表面是半导体晶圆的外表面，并且底部半导体层、中间半导体层和顶部半导体层的侧壁基本对齐。本发明实施例涉及用于集成封装件的半导体晶圆。

公开(公告)号：CN103033130B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210367278.3

申请日：2012-09-28

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 吉川敏行 ,  大久保广成 ,  武田昇

IPC分类号： G01B11/00 ,  B23K26/00

CPC分类号： B23K26/048 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L2221/00

摘要： 一种激光加工装置的聚光光斑位置检测方法，包括：通过聚光器会聚的激光束的聚光光斑的设计值和板状物的厚度设定聚光器在Z轴方向的基准位置的基准位置设定步骤；设定对聚光器进行定位的检测位置的从起点到终点的多个Z轴方向位置的检测位置设定步骤；依次将聚光器定位于从起点到终点的检测位置，每当变更聚光器的检测位置时启动分度进给构件，以规定间隔分度进给，在聚光器的各检测位置在板状物分别形成规定长度的激光加工槽的激光加工槽形成步骤；通过摄像构件对在板状物形成的激光加工槽进行摄像的激光加工槽摄像步骤；以及使激光加工槽摄像步骤摄像的激光加工槽对应于该检测位置的从起点到终点的各检测位置显示于一条直线的激光加工槽显示步骤。

公开(公告)号：CN104851894A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510300781.0

申请日：2015-06-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 宁策 ,  张方振

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78684 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单，有利于阵列基板和显示装置量产化。

公开(公告)号：CN102226999B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110121476.7

申请日：2011-05-11

申请人： 迈尔森电子(天津)有限公司

发明人： 柳连俊

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L23/562 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种衬底结构，包括：相对设置的第一衬底和第二衬底；所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面，所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层；所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。该衬底结构及其制作方法。可以将第二衬底作为支撑功能的衬底，第一衬底作为直接制作器件的衬底，而第一衬底为通过晶体生长形成的，不会有厚度和自身的应力的问题，避免了不必要的应力，进而提高在第一衬底中形成的器件的性能。

公开(公告)号：CN103537804A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310276618.6

申请日：2013-07-03

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 森数洋司

IPC分类号： B23K26/362 ,  H01L21/78

CPC分类号： B23K26/02 ,  B23K26/042 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0673 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/359 ,  B23K26/364 ,  H01L21/30 ,  B23K26/36

摘要： 本发明提供一种激光加工方法，即便将脉冲激光光线的重复频率设定为20kHz以上也不会产生裂纹，并且即便是比形成被加工物的材料的吸收端长的波长的脉冲激光光线也能够实施烧蚀加工。该激光加工方法将重复频率为20kHz以上的脉冲激光光线照射到被加工物来实施激光加工，以被加工物的吸收端的波长为基准，通过实验求出激光光线的波长与不产生裂纹的脉冲宽度之间的关系，设定加工条件。而且，将脉冲激光光线的波长作为纵轴，将脉冲宽度作为横轴，生成描绘有各波长与脉冲宽度的极限点之间的关系的曲线图，照射连接各波长处的脉冲宽度的极限点而成的曲线的下侧的区域的脉冲激光光线来实施激光加工。

公开(公告)号：CN103370780A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280009324.0

申请日：2012-02-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 克劳斯·许格拉夫 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  迈克尔·R·赖斯 ,  莫森·S·塞莱克 ,  克拉斯·H·比约克曼

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种分割多个半导体小晶片的方法，该方法包括：提供载体基板；和将半导体基板接合至该载体基板。该半导体基板包括多个器件。该方法还包括：在该半导体基板上形成掩模层；曝光该掩模层的预定部分；和处理该掩模层的该预定部分，以在该半导体基板上形成预定掩模图案。该方法进一步包括：形成多个半导体小晶片，所述多个半导体小晶片的每一个半导体小晶片与该预定掩模图案相结合并包括多个器件的一个或多个器件；和从该载体基板分离所述多个半导体小晶片。

公开(公告)号：CN101622585B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780020107.0

申请日：2007-04-03

申请人： 液化空气电子美国有限公司

发明人： D·P·爱德华兹

IPC分类号： G05D11/00

CPC分类号： B01F3/088 ,  B01F15/0408 ,  B01F2215/0036 ,  B01F2215/0096 ,  C23F1/00 ,  H01L21/30 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/2698

摘要： 本发明涉及一种用于再循环从半导体加工工具的排放口出来的处理液的方法及设备。处理液可以是在半导体加工步骤中用于防止铜互连中的电迁移的酸钴溶液或无电镀的钴溶液。如果流体的状态在预定范围内，收集来自工具排放口的用过的处理液并再循环回到工具入口。否则，用过的处理液从系统中排出。该系统还可以在排出和进料模式下运行，其中用过的处理液的一部分被周期性地排出系统。

公开(公告)号：CN107026125A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611021154.4

申请日：2016-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/30 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468

摘要： 一种半导体器件，其包括衬底、多个绝缘体、介电层以及多个栅极。衬底包括多个沟槽及在多个沟槽之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置在多个沟槽内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个栅极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个栅极包括至少一第一栅极以及至少一第二栅极，其中半导体鳍片穿过至少一第一栅极，半导体鳍片未穿透至少一第二栅极。第二栅极包括配置在介电层上的加宽部分，以及配置在加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。

公开(公告)号：CN103184430B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210580129.5

申请日：2012-12-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 加藤寿 ,  田村辰也 ,  熊谷武司

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C14/00 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。