一种还原炉调控方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115477304B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202211185106.4

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: C01B33/021

    摘要: 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备,其中,所述调控方法包括:获取第一目标参数,其中,所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量;根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异,确定第一偏差信息;根据所述第一偏差信息,对所述还原炉的影响因子进行调控,所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量,将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较,确定第一偏差信息,并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式,以替换人工调控的方式,避免人为因素的干扰,使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期,提高还原炉当前的硅粉沉积速率。

    一种雾化监测方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN115830345A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211419308.0

    申请日:2022-11-14

    IPC分类号: G06V10/74 G08B21/18 C01B33/03

    摘要: 本申请提供一种雾化监测方法、装置及相关设备,其中,所述方法包括:在目标反应炉的硅粉含量的增幅速率大于或等于增速阈值的情况下,生成雾化预警信息;根据雾化预警信息,获取目标反应炉当前的监测图像;在监测图像与基准图像之间的相似度小于第一相似阈值的情况下,输出雾化警示信息,基准图像为目标反应炉内无雾化的状态下采集的图像。在所述增幅速率大于或等于增速阈值的情况下,初步判定目标反应炉内存在雾化状况的概率较大,此时采集当前时刻的监测图像,通过比较监测图像和基准图像之间的图像相似度,以最终确定目标反应炉在当前时刻是否存在雾化状况,这能规避人为因素的干扰,提升目标反应炉在雾化监测方面所获得的监控效果。

    一种硅芯电阻率的检测装置

    公开(公告)号:CN105259417B

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201410333494.5

    申请日:2014-07-14

    IPC分类号: G01R27/14

    摘要: 本发明提供一种硅芯电阻率的检测装置,包括N个金属探头、操作台、恒流电源、电压测量单元、控制单元和计算单元,N≥3,每个金属探头的底部均设置有两根金属探针,操作台使该N个金属探头沿待测硅芯的轴向均匀排列,并使每根金属探针以一定的压力垂直放置在待测硅芯表面上;恒流电源向待测硅芯提供恒定的直流电流;电压测量单元同时测量每个金属探头的两根金属探针之间的电位差;控制单元控制恒流电源输出的直流电流和电压测量单元中测量回路的正、反向,以及将恒流电源、电压测量单元的输出值转换为计算单元可识别的数据;计算单元根据其内预存的计算公式和控制单元输出的数据计算待测硅芯的电阻率。本发明所述检测装置的测量效率和精度较高。

    一种氯硅烷在线检测装置及方法

    公开(公告)号:CN114184709B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202111582920.5

    申请日:2021-12-22

    摘要: 本发明公开一种氯硅烷在线检测装置以及使用该氯硅烷在线检测装置的检测氯硅烷中二氯二氢硅的方法,氯硅烷在线检测装置包括进料单元与检测单元,进料单元包括样品管道、第一管道、第一连通阀、第二连通阀,样品管道的输入端与氯硅烷的工艺管线连通,样品管道的输出端接入第一连通阀的第一接口,第一管道的两端分别接入第一连通阀的第二接口和第二连通阀的第二接口,检测单元包括第二管道、色谱检测阀、闪蒸箱,第二管道的输入端接入第二连通阀的第一接口,闪蒸箱设于第二管道上,色谱检测阀设于第二管道上并处于闪蒸箱的下游,用于对汽化后的氯硅烷样品进行检测。该氯硅烷在线检测装置能够实时在线检测氯硅烷样品。

    一种多晶硅算控系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116680127A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310661874.0

    申请日:2023-06-05

    IPC分类号: G06F11/20 C30B35/00 C30B29/06

    摘要: 本公开提供一种多晶硅算控系统,涉及化工流程控制的技术领域,其中,算控系统包括:N个第一设备和控制子系统,所述N个第一设备均与所述控制子系统连接,所述N个第一设备包括1个第一主机设备和N‑1个第一备机设备,N为大于1的整数;其中,每一所述第一设备用于根据多晶硅产线的监控数据计算所述多晶硅产线的运行数据;所述控制子系统用于根据所述第一主机设备计算获得的所述运行数据生成控制指令,所述控制指令用于操控所述多晶硅产线的第一运行状态。本公开通过1个第一主机设备和N‑1个第一备机设备的冗余设置,以确保算控系统中负责将监控数据计算为运行数据的设备的可靠性,保障算控系统的平稳可靠运行,提升算控系统的系统稳定性。

    多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备

    公开(公告)号:CN115685936A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211362769.9

    申请日:2022-11-02

    IPC分类号: G05B19/418

    摘要: 本申请提供一种多晶硅还原炉的生产控制方法及相关设备,通过检测多晶硅还原炉当前的第一运行参数;基于第一关系模型,确定第一运行参数对应的第一生长指标;计算第一生长指标与多晶硅还原炉的基准生长指标的偏差值;基于第二关系模型、第一生长指标和偏差值,将多晶硅还原炉的工作条件参数调整为第一工作条件参数。这样,实现多晶硅还原炉中的工作条件参数自身的不断优化调节,降低了工作条件参数优化调节的难度。

    多晶硅还原反应雾化程度的检测系统及方法、控制设备

    公开(公告)号:CN115615870A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202110794434.3

    申请日:2021-07-14

    发明人: 张兆东

    IPC分类号: G01N7/10 C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种多晶硅还原反应雾化程度的检测系统,包括尾气检测装置和中央控制器,所述尾气检测装置包括尾气管线、及尾气管线上设置的第一电磁阀、尾气过滤器、压差检测变送器、第二电磁阀。尾气管线的进气口和排气口,分别与原尾气系统的出口管线的前端和后端连通,压差检测变送器用于检测尾气过滤器两端的压差并将检测结果并进行显示,中央控制器,用于控制尾气检测装置中各电磁阀,以实现气路的通断。相应地,还提供一种检测方法和多晶硅还原反应的控制设备。由于压差值与雾化程度之间具有对应关系,故该检测系统可快速、准确、直观的检测出还原反应时雾化程度,为操纵员控制还原炉参数提供数据依据。

    导气环及反应炉视镜系统
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114560465A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210360856.4

    申请日:2022-04-07

    IPC分类号: C01B33/021

    摘要: 本发明公开了一种导气环及反应炉视镜系统,导气环包括:导气环本体、设置于导气环本体内的吹扫气通道,吹扫气通道入口端朝向视镜,吹扫气通道出口端朝向反应炉内,通过吹扫气通道入口端向吹扫气通道内通入吹扫气对视镜吹扫,吹扫气通道入口端垂直于其中心轴的截面积大于吹扫气通道出口端垂直于其中心轴的截面积。在反应炉的视镜装置处安装导气环,由于吹扫气通道入口端垂直于其中心轴的截面积大于吹扫气通道出口端垂直于其中心轴的截面积,所以吹扫气通道出口端的气体流速大于吹扫气通道入口端的气体流速,能提高对于视镜的吹扫效率,优化导气环的吹扫结构,优化吹扫过程,避免了反应炉连接的视镜表面硅粉沉积,清晰的观察视镜。

    一种氯硅烷在线检测装置及方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114184709A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111582920.5

    申请日:2021-12-22

    摘要: 本发明公开一种氯硅烷在线检测装置以及使用该氯硅烷在线检测装置的检测氯硅烷中二氯二氢硅的方法,氯硅烷在线检测装置包括进料单元与检测单元,进料单元包括样品管道、第一管道、第一连通阀、第二连通阀,样品管道的输入端与氯硅烷的工艺管线连通,样品管道的输出端接入第一连通阀的第一接口,第一管道的两端分别接入第一连通阀的第二接口和第二连通阀的第二接口,检测单元包括第二管道、色谱检测阀、闪蒸箱,第二管道的输入端接入第二连通阀的第一接口,闪蒸箱设于第二管道上,色谱检测阀设于第二管道上并处于闪蒸箱的下游,用于对汽化后的氯硅烷样品进行检测。该氯硅烷在线检测装置能够实时在线检测氯硅烷样品。