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公开(公告)号：CN105518104A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048721.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7774 , F21V9/30 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种波长转换片，其特征在于，由含有有机硅树脂、有机颗粒及荧光体的荧光体树脂组合物形成，前述有机颗粒的折射率为1.45～1.60。
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公开(公告)号：CN103872234A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310636600.2
申请日：2013-12-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/64 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/52 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H05K1/111 , H05K3/284 , H05K3/285 , H05K2201/09709 , H05K2201/09972 , H05K2201/10106 , H05K2203/1311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板。能够高效地制造散热性和连接性优异的发光装置。发光装置包括：基板；光半导体元件，其安装于基板的表面；密封层，其以密封光半导体元件的方式形成于基板的表面；以及电极，其以与光半导体元件电连接的方式形成于基板的表面。在基板上仅形成有密封区域和电极区域，该密封区域包含光半导体元件，且由密封层划分，该电极区域由电极的自密封层暴露的部分划分。
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公开(公告)号：CN103715337A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310465290.2
申请日：2013-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , B32B3/08 , B32B3/26 , B32B3/266 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/06 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B27/306 , B32B2264/0214 , B32B2264/10 , B32B2264/102 , B32B2307/54 , B32B2457/00 , H01L24/81 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/005 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法，所述封装片被覆半导体元件的制造方法包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件；以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆多个半导体元件、并且在相互邻接的半导体元件间形成空间。
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公开(公告)号：CN102969429A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210317013.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , H01L2933/005
Abstract: 提供发光二极管装置的制造方法，该制造方法包括以下工序：准备层叠体的工序，所述层叠体具备支撑层、形成在支撑层的厚度方向一侧的约束层、和形成在约束层的厚度方向一侧的、由封装树脂制成的封装树脂层；对层叠体中的封装树脂层和约束层切入与发光二极管元件对应的图案的工序；在切入了图案的封装树脂层和约束层中，将与发光二极管元件不对应的部分除去的工序；使与发光二极管元件对应的封装树脂层和发光二极管元件相对，将它们朝彼此接近的方向按压，通过封装树脂层将发光二极管元件封装的工序；以及，将支撑层和约束层从层叠体上除去的工序。
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公开(公告)号：CN102911503B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210284753.0
申请日：2012-08-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , Y10T428/31663 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂组合物、封装材料以及发光二极管装置，所述有机硅树脂组合物含有含硅成分，所述含硅成分包含：结合有选自饱和烃基和芳香族烃基的1价烃基的硅原子、以及结合有烯基的硅原子，每1g所述含硅成分的烯基的mol数为200~2000μmol/g。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103009780B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210360955.9
申请日：2012-09-21
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , C08K3/36 , C08K5/56 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 一种有机硅树脂片、其制造方法、封装片及发光二级管装置，所述制造方法具备：涂布第一有机硅树脂组合物，形成第一涂布层的工序，所述第一有机硅树脂组合物含有第一有机聚硅氧烷和第二有机聚硅氧烷；使第一有机聚硅氧烷和第二有机聚硅氧烷以转化率达到5~40%的方式反应，由第一涂布层形成前体层的工序；和在前体层的厚度方向的至少一个面上涂布第二有机硅树脂组合物形成第二层的工序，所述第二有机硅树脂组合物含有第三有机聚硅氧烷、第四有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和含有四烷基氢氧化铵的固化迟延剂。
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公开(公告)号：CN104064481A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410101587.5
申请日：2014-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/565 , H01L21/67126 , H01L23/10 , H01L33/52 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供粘接装置及电子装置的制造方法。粘接装置是用于利用树脂片粘接电子零件的粘接装置。粘接装置包括：第1模具构件，其具有能够容纳粘接准备体的第1型腔，该粘接准备体包括电子零件和与电子零件隔开间隔地相对配置的树脂片；弹性构件，其以能够与第1型腔一起形成第1密闭空间的方式与树脂片相对配置；以及差压产生部件，其与第1模具构件相连接，用于使第1密闭空间的气压比相对于弹性构件位于第1密闭空间的相反侧的空间的气压低。粘接装置通过使差压产生部件工作，从而弹性构件向第1型腔侧移动，由此，粘接准备体被沿着电子零件与树脂片相对的相对方向按压，从而利用树脂片粘接电子零件。能够使装置结构变简单，小型化，搬运性优异。
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公开(公告)号：CN103872031A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310631442.1
申请日：2013-12-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H05K1/11 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板。能够简单地制得多个发光装置。发光装置集合体包括多个连续的发光装置，该发光装置包括：基板；光半导体元件，其安装于基板的表面；密封层，其以密封光半导体元件的方式形成于基板的表面；以及电极，其以与光半导体元件电连接的方式形成于基板的表面。在基板上形成有用于将彼此相邻配置的发光装置分隔的脆弱区域。
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公开(公告)号：CN103579454A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310300974.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/52 , H01L21/56 , H01L33/005 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，所述方法包括如下工序：准备工序，准备形成有凹部的基板、在凹部内或其周围配置的端子和在凹部内配置的半导体元件；引线接合工序，用引线连接端子和半导体元件；压接工序，在减压气氛下，以封装片与凹部周围的上表面密合、且与凹部的上表面分离的方式使封装片压接在基板上；以及大气压释放工序，使基板和封装片释放到大气压气氛下。
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公开(公告)号：CN103009780A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210360955.9
申请日：2012-09-21
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , C08K3/36 , C08K5/56 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 一种有机硅树脂片、其制造方法、封装片及发光二级管装置，所述制造方法具备：涂布第一有机硅树脂组合物，形成第一涂布层的工序，所述第一有机硅树脂组合物含有第一有机聚硅氧烷和第二有机聚硅氧烷；使第一有机聚硅氧烷和第二有机聚硅氧烷以转化率达到5~40%的方式反应，由第一涂布层形成前体层的工序；和在前体层的厚度方向的至少一个面上涂布第二有机硅树脂组合物形成第二层的工序，所述第二有机硅树脂组合物含有第三有机聚硅氧烷、第四有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和含有四烷基氢氧化铵的固化迟延剂。
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