公开(公告)号：CN106461439B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580031470.7

申请日：2015-06-15

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 渡边翼 ,  河野务 ,  星加浩昭 ,  余语孝之 ,  三木崇裕

IPC分类号： G01F1/684 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H05K1/02 ,  H05K3/28

CPC分类号： G01F1/38 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692 ,  H01L21/565 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/181 ,  H05K1/183 ,  H05K3/28 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1327 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 电路基板在以露出搭载于电路基板上的半导体零件的状态与壳体一体地镶嵌模制成形的模块中，降低由于用于对模制树脂进行截流的金属模具向电路基板的加压而产生的电路基板的歪斜。电路基板在以露出搭载于电路基板上的半导体零件的状态与壳体一体地镶嵌模制成形的模块中，通过在电路基板上的金属模具按压部的投影区域设置具有比电路基板小的弹性率的材料而降低电路基板的歪斜。

公开(公告)号：CN107134438B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710102855.9

申请日：2017-02-24

申请人： 商升特公司

发明人： S.金努萨米 ,  K.辛普森 ,  M.C.科斯特罗

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

公开(公告)号：CN106711123B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610179428.6

申请日：2016-03-25

申请人： 哈纳米克罗恩公司

发明人： 金炫柱 ,  李承焕

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体封装件及其制造方法。具体地讲，本发明涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基板；安装在所述基板上的半导体芯片；连接元件，所述连接元件包括安装在所述基板上的绝缘体以及形成在所述绝缘体的端部的导电材料的第一连接部分；模制部分，所述模制部分包围所述半导体芯片，并且密封所述连接元件以便暴露所述第一连接部分的上表面；以及屏蔽层，所述屏蔽层包围所述模制部分，并且在与所述第一连接部分对应的部分上形成开口部分。

公开(公告)号：CN109390237A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810903525.4

申请日：2018-08-09

申请人： 商升特公司

发明人： H.D.巴坦

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49565 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49582

摘要： 通过对导电材料的片材进行化学半蚀刻来形成引线框架。半蚀刻暴露该引线框架的第一接触件的第一侧表面。在该第一接触件的该第一侧表面上镀覆焊料可润湿层。在镀覆焊料可润湿层之后，在该引线框架上沉积包封剂。

公开(公告)号：CN109196639A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780034003.9

申请日：2017-06-02

申请人： 英特尔公司

发明人： R.L.桑克曼 ,  S.加内桑

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81401 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81438 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81473 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本文一般讨论了包含大致共面的导电柱的设备、方法和系统。根据示例，一种技术能够包括：在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成导电柱；将模制材料设置在所生成的导电柱周围和上面；同时移除模制材料和所生成的导电柱的一部分以使得所生成的导电柱和模制材料大致平坦；以及电气上将管芯耦合到导电柱。

公开(公告)号：CN109065694A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811047629.6

申请日：2017-04-06

申请人： 吴彬

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L33/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L33/52 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67126 ,  H01L2933/005

摘要： 本发明公开了一种用于LED基板的LED模压装置的封装方法，包括上模具和下模具，下模具顶部设置有型腔，所述下模具设置有注胶管，注胶管与型腔连通，注胶管上设置有加压泵和加热套管，型腔底部的两侧分别设置有一个第一顶块，第一顶块连接有第一油缸，两个第一顶块之间设置有底部固定块，第一顶块内设置有第一电加热部，底部固定块内设置有第二电加热部；上模具设置有回流管，回流管与型腔连通，上模具的两侧分别设置有顶部固定块，两个顶部固定块的之间设置有第二顶块，第二顶块连接有第二油缸，顶部固定块内设置有第三电加热部，第二顶块内设置有第四电加热部。本发明能够解决现有技术的不足，减少了胶体内的气泡含量，提高了胶体紧密度。

公开(公告)号：CN105917442B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201580005034.2

申请日：2015-01-20

申请人： 佳能株式会社

发明人： 佐藤一洋 ,  长谷川敬恭 ,  松本隆宏

IPC分类号： H01L21/027 ,  B29C59/02 ,  G03F7/20

CPC分类号： B29C43/58 ,  B29C35/0805 ,  B29C43/52 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2043/5816 ,  B29C2043/585 ,  B29L2031/34 ,  G01B11/14 ,  G02B5/1861 ,  G02B5/20 ,  G02B27/141 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/565

摘要： 本发明提供了通过使用模具使基板的压射区域上的压印材料成型的压印装置，该压印装置包括：检测单元，被配置成检测照射模具的第一标记和基板的第二标记的第一光并测量第一标记与第二标记之间的位置偏差；加热单元，被配置成用第二光照射基板以便加热基板并使压射区域变形；以及控制单元，被配置成基于位置偏差控制模具与基板之间的对准，其中，检测单元或加热单元的参数被设定成在检测第一光并且用第二光照射基板时检测单元不检测第二光。

公开(公告)号：CN108493162A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810150694.5

申请日：2018-02-13

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 龚顺强 ,  陈元文 ,  高山

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/211 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121

摘要： 本发明涉及用于晶圆级封装的密封环，揭示装置及用于形成装置的方法。提供至少一晶粒。具有扇出区域的重分布层从该至少一晶粒的外周缘同心地向外延伸。密封环设置在该重分布层的该扇出区域中。

公开(公告)号：CN108431948A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680074761.9

申请日：2016-12-22

申请人： 贝斯荷兰有限公司

发明人： W·G·J·盖尔 ,  H·A·M·菲尔肯斯

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  B29C45/02 ,  H01L21/67 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/67126 ,  B29C43/18 ,  B29C45/14655 ,  B29C45/7653 ,  B29C2043/181 ,  B29C2945/76083 ,  B29C2945/76254 ,  B29C2945/76381 ,  B29C2945/76391 ,  B29L2031/3406 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种用于封装安装在载体上的电子元件的压机，包括：至少两个压机部件，可相对于彼此移位；驱动系统，用于使所述压机部件相对移位；以及智能控制器，适于控制所述压机部件的驱动系统，其中所述驱动系统包括至少两个单独的可控致动器，所述智能控制器进一步连接到多个位移传感器，用于检测所述压机部件的相对位移，并且其中所述智能控制器适于基于利用所述位移传感器检测到的测量值随着时间动态地控制所述驱动系统的致动器。本发明还涉及使现有技术的压机转换成根据本发明的压机的致动器组以及用于封装安装在载体上的电子元件的方法。

公开(公告)号：CN106796879B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201580053954.1

申请日：2015-09-04

申请人： 美光科技公司

发明人： 卫·周 ,  爱斌·俞 ,  朝辉·马

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 举例来说,处理半导体晶片的方法可涉及将下列项囊封在囊封材料中:半导体材料的晶片的有效表面及每侧表面;定位在所述晶片的所述有效表面上的多个半导体装置;定位在所述晶片的背侧表面上的粘合材料的经暴露侧表面;及通过所述粘合材料紧固到所述晶片的载体衬底的侧表面的至少部分。可通过移除所述囊封材料的至少部分而暴露所述粘合材料的所述侧表面的至少部分。可使所述载体衬底从所述晶片卸离。还揭示处理系统及制造中半导体晶片。