兰姆波装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101741344B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN200910221852.2

    申请日:2009-11-18

    CPC classification number: H03H9/02574 H03H9/02228

    Abstract: 本发明提供一种频率的不均小的兰姆波装置。兰姆波装置(102)具有压电体薄膜(106)、设置于上述压电体薄膜(106)的主表面上的IDT电极(108)、支持上述IDT电极(108)与压电体薄膜(106)的层叠体(104)且形成有隔离层叠体(104)的空腔(180)的支持结构体(122)。选择压电体薄膜(106)的膜厚h以及IDT电极(108)的电极条的间距p,使得相对于压电体薄膜(106)的膜厚h的音速v分散性小的兰姆波在目标频率下被激发。

    自立基板、功能元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107208312A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680004629.0

    申请日:2016-01-28

    Abstract: 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层,该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物,该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中,排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子,第二氮化物层中,排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子,第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。

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