公开(公告)号：CN117597626A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047493.7

申请日：2022-04-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 谷健太郎 ,  近藤顺悟 ,  浅井圭一郎 ,  东原周平 ,  藤田直辉

IPC: G02F1/295

Abstract: 本发明提供扫描角度大、响应快、能够小型化、且能够降低驱动电压的波导元件、光扫描元件以及光调制元件。本发明的实施方式的波导元件具备：光子晶体层，其是在电光晶体基板周期性地形成空穴而成的；线缺陷的光波导，其形成在所述光子晶体层中；第一电极，其设置于电光晶体基板的上部，相对于光而透明；以及第二电极，其设置于电光晶体基板的下部。本发明的实施方式的光扫描元件及光调制元件分别包括上述波导元件。

公开(公告)号：CN114144897A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080029092.X

申请日：2020-02-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部良祐 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义 ,  鹈野雄大

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。接合体9A具备：支撑基板6、压电性材料基板1A、以及支撑基板与压电性材料基板之间的多层膜22。多层膜22具备按以下顺序具有第一层3、第二层7A、第三层3以及第四层7A的层叠结构2。第一层3及第三层3包含硅氧化物，第二层7A及第四层7B包含金属氧化物。第二层7A的折射率高于第一层3的折射率及第三层3的折射率。第二层7A的折射率与第四层7B的折射率不同。

公开(公告)号：CN110463038B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880001047.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。

公开(公告)号：CN106233176B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580018709.7

申请日：2015-04-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 浅井圭一郎 ,  山口省一郎 ,  近藤顺悟 ,  冈田直刚 ,  江尻哲也

IPC: G02B6/136 ,  G02B5/18 ,  G02B6/124 ,  G02B6/132

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B5/1857 ,  G02B6/124 ,  G02B6/132 ,  G02B2006/12097

Abstract: 本发明在具有安装基板3、安装基板上的包层22及包层上的光学材料层23的层叠体的规定位置形成多个布拉格光栅9，以包含各布拉格光栅的方式分别形成通道型光波导16，在光学材料层上形成掩模，该掩模被覆与光栅元件对应的区域，通过对光学材料层及包层进行刻蚀来成型各光栅元件1的侧面1a及端面1b。

公开(公告)号：CN108886347A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017024.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。

公开(公告)号：CN106233175A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020713.7

申请日：2015-04-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤顺悟 ,  山口省一郎 ,  浅井圭一郎 ,  江尻哲也 ,  冈田直刚

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  H01S5/14

Abstract: 光栅元件2A包括：支撑基板、光学材料层1、具有射入激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射端的脊型光波导3A、以及由形成在光波导内的凹凸构成的布拉格光栅20。光波导包含：设置在入射面1a与布拉格光栅20之间的入射部3a和设置在入射部与布拉格光栅之间的锥形部3b。传播光在布拉格光栅中进行单模传播。入射部处的光波导的宽度Win大于布拉格光栅处的光波导Wgr的宽度，锥形部处的光波导的宽度Wt自入射部朝向布拉格光栅减小。满足式(1)～式(3)的关系。0.8nm≤△λG≤6.0nm···(1)，10μm≤Lb≤300μm···(2)，20nm≤td≤250nm···格反射率的峰值的半高宽。在式(2)中，Lb是所述布拉格光栅的长度。在式(3)中，td是构成所述布拉格光栅的凹凸的深度)。(3)(在式(1)中，△λG是所述布拉格光栅的布拉

公开(公告)号：CN1193439C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01137289.3

申请日：2001-05-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 柴田智彦 ,  浅井圭一郎 ,  长井晃余 ,  田中光浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/105 ,  H01L33/007

Abstract: 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c＝1，a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z＝1，x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。

公开(公告)号：CN116806412A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202180089364.X

申请日：2021-12-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山本岳士 ,  浅井圭一郎 ,  藤田直辉

IPC: H03H3/08

Abstract: 本发明提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和反射层，该反射层配置于所述压电层的背面侧，且包括高阻抗层和包含氧化硅的低阻抗层，在所述压电层的背面侧的端部形成有改性层，所述低阻抗层的密度为2.15g/cm3以上。

公开(公告)号：CN116491070A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180019530.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山本岳士 ,  鹈野雄大 ,  伊奈弘善 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供将弹性波的能量限制于压电层且耐热性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和在所述压电层的背面侧所配置的反射层，所述反射层包括高阻抗层和包含氧化硅的低阻抗层，所述高阻抗层中的第一结构的区域超过70％。

公开(公告)号：CN109964405B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201780070878.4

申请日：2017-10-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  多井知义 ,  山寺乔纮 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  滑川政彦 ,  吉野隆史

IPC: H03H3/08 ,  C30B29/30 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为ExO(1‑x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。