公开(公告)号：CN102473904A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032295.0

申请日：2010-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木弘雅 ,  本田和义

IPC: H01M4/139 ,  H01G9/058 ,  H01G9/155 ,  H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/139 ,  C23C14/14 ,  C23C14/545 ,  C23C14/562 ,  H01G11/22 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0423 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明提供一种沉积量测定装置、沉积量测定方法及电化学元件用电极的制造方法。本发明的制造方法包括向附加了与锂形成化合物的层的基板沉积锂的工序。在沉积工序之前，对基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。在沉积工序之后，向基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。计算沉积工序前后的第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量。根据第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量，进行沉积工序的控制。

公开(公告)号：CN102245800A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149376.6

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  篠川泰治 ,  八木弘雅 ,  涩谷聪 ,  冈崎祯之 ,  小川裕子 ,  末次大辅

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。

公开(公告)号：CN101668701A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880014009.0

申请日：2008-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  筱川泰治 ,  八木弘雅 ,  柳智文 ,  别所邦彦

IPC: C01B33/037 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中在1500℃～1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。