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公开(公告)号：CN102725436B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201180007045.6
申请日：2011-01-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/466 , C23C16/545
Abstract: 成膜装置（20A）的输送系统（50A）包括具有将冷却气体向基板（21）供给的功能的吹风辊（6）。吹风辊具有第一壳体（11）和内块（12）。第一壳体（11）具有作为气体的供给路径的多个第一贯通孔（13），能与基板（21）同步地旋转。内块（12）配置在第一壳体（11）的内部。由内块（12）在第一壳体（11）的内部规定歧管（14）。歧管（14）形成为在接触角的范围内向多个第一贯通孔（13）导引气体。在第一壳体（11）的内部，还形成有在接触角的范围外与多个第一贯通孔（13）相对向的间隙部（15）。在径向上，歧管（14）具有相对较大的尺寸，间隙部（15）具有相对较小的尺寸。
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公开(公告)号：CN102245800A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149376.6
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/541 , C23C14/562
Abstract: 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。
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公开(公告)号：CN101889103A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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公开(公告)号：CN102131599B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200980132604.9
申请日：2009-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以反复使用和在凝固时膨胀的铸棒的制造效率和成品率提高的铸棒形成用铸模、使用该铸模的铸造装置以及用于高效率地制造上述铸棒的铸棒制造方法。作为铸棒形成用的铸模(10)，使用下述铸模，该铸模具备模块组件(12)和紧固单元(18～21)，该模块组件(12)并列排列有多个模块(14)，具有多个沿纵向(16)延伸的型腔(26)，该紧固单元(18～21)在与纵向(16)正交的方向紧固模块组件(12)。在该铸模10中，多个模块(14)分别具有1处以上的形成型腔(26)的周面的一部分的型腔形成部(28)，型腔(26)通过2个以上的模块(14)的组合来形成，多个模块(14)中的至少一个模块具有2处以上的型腔形成部(28)。
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公开(公告)号：CN102245800B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980149376.6
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/541 , C23C14/562
Abstract: 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102378826A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014488.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/541
Abstract: 在使用气体冷却的成膜方法中，一边实现充分的冷却效果一边避免因气体导入导致成膜率下降和/或对真空泵施加过大的载荷。本发明的薄膜形成装置，具备：在薄膜形成区域(9)具有与基板(7)的背面接近的冷却面(10s)的冷却体(10)；以及向冷却面(10s)和基板(7)的背面之间导入气体的气体导入单元，冷却面在基板的宽度方向剖面中具有中央部比两端部向基板7的背面突出的形状。优选的是，冷却面具有在基板的宽度方向剖面中左右对称的形状，更优选地，具有由悬垂曲线表示的形状。
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公开(公告)号：CN101849033A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114890.1
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。
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公开(公告)号：CN102084022B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980125968.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C23C14/20 , C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M6/40 , H01M10/052
Abstract: 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。
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公开(公告)号：CN102725436A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007045.6
申请日：2011-01-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C16/466 , C23C16/545
Abstract: 成膜装置（20A）的输送系统（50A）包括具有将冷却气体向基板（21）供给的功能的吹风辊（6）。吹风辊具有第一壳体（11）和内块（12）。第一壳体（11）具有作为气体的供给路径的多个第一贯通孔（13），能与基板（21）同步地旋转。内块（12）配置在第一壳体（11）的内部。由内块（12）在第一壳体（11）的内部规定歧管（14）。歧管（14）形成为在接触角的范围内向多个第一贯通孔（13）导引气体。在第一壳体（11）的内部，还形成有在接触角的范围外与多个第一贯通孔（13）相对向的间隙部（15）。在径向上，歧管（14）具有相对较大的尺寸，间隙部（15）具有相对较小的尺寸。
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公开(公告)号：CN101889103B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明的提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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