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公开(公告)号:CN101976684A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN201010273937.8
申请日:2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括:形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13),在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B),形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A),以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号:CN103765746A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201280042309.6
申请日:2012-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 森田竜夫
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M1/08 , H02M3/33523 , H03K17/687 , H03K2017/6878 , H03K2217/0045 , H03K2217/0081
Abstract: 将具有2个栅极的常断型双方向开关(20)与变压器(10)连接。变压器(10)具有第1绕组(18)和第2绕组(19)。设置第1栅偏压电源(23)和第2栅偏压电源(24),该第1栅偏压电源(23)通过由第1绕组(18)产生的电力来提供驱动双方向开关(20)的一个栅极的电力,该第2栅偏压电源(24)通过由第2绕组(19)产生的电力来提供驱动双方向开关(20)的另一个栅极的电力。
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公开(公告)号:CN101689821B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200880012659.1
申请日:2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02P6/08
CPC classification number: H02M7/53871 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7787 , H02P27/08
Abstract: 本发明公开了一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括三相变频电路(8)。该三相变频电路(8)中包括:驱动三相电动机(3)的各相的上臂的三个上臂侧开关元件(56a-56c)和驱动各相的下臂的三个下臂侧开关元件(56d-56f)。上臂侧开关元件(56a-56c)及下臂侧开关元件(56d-56f)中至少一种开关元件是作为二极管工作的半导体元件。作为二极管工作就是:将以第一欧姆电极S的电位为基准栅电极G的阈值电压以下的电压施加在栅电极G上,使从第一欧姆电极S流向第二欧姆电极D的电流流动,将从第二欧姆电极D流向第一欧姆电极S的电流切断。
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公开(公告)号:CN102612753A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201080049924.0
申请日:2010-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 森田竜夫
IPC: H01L29/80 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L21/8232 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/42316 , H01L27/0605 , H01L27/0705 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247
Abstract: 本发明公开了一种双向开关。双向开关包括半导体元件(101)和衬底电位稳定化部(103)。半导体元件(101)具有第一欧姆电极和第二欧姆电极以及第一栅电极和第二栅电极,该第一栅电极和该第二栅电极从第一欧姆电极一侧依次形成在第一欧姆电极和第二欧姆电极之间。衬底电位稳定化部(103)使衬底的电位成为比第一欧姆电极的电位和第二欧姆电极的电位中校高的电位低的电位。
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公开(公告)号:CN102460709A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201080026948.4
申请日:2010-01-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 森田竜夫
IPC: H01L29/778 , H01L27/088 , H01L29/40 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/423 , H01L29/432 , H02M7/003 , Y02B70/1483
Abstract: 本发明提供一种电力变换装置,其具备:输入端子(Vin1),连接电源;和第1开关元件(10),切换从电源提供的电力。第1开关元件(10)具备:半导体层叠层体(13),由在基板(11)上形成的氮化物半导体组成;栅极电极(18)、第1欧姆电极(16)及第2欧姆电极(17),在半导体层叠层体(13)上形成;和背面电极(20),在基板(11)的背面形成。按照与第2欧姆电极(17)之间的电位差变小的方式从连接于输入端子(Vin1)的电源向背面电极(20)提供电位。在第1开关元件(10)处于导通状态的情况下,对背面电极(20)施加正电压的偏置。
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公开(公告)号:CN101523614A
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200780038121.3
申请日:2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括:形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13),在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B),形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A),以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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