公开(公告)号：CN102301425A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201180000965.5

申请日：2011-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 饭岛光辉 ,  高木刚

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146

Abstract: 提供能够稳定地工作的电阻变化元件的驱动方法以及实施其方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，通过提供第一极性的电压脉冲，从而使由含氧率不同的两个金属氧化物层层叠而构成的电阻变化层成为低电阻化；以及消去过程，通过提供与第一极性不同的第二极性的电压脉冲，从而成为高电阻化，在第一次至第N次的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw1、第(N+1)次以后的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw2、第一次至第M次的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te1、第(M+1)次以后的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te2的情况下，满足|Vw1|＞|Vw2|且te1＞te2，在第M次的消去过程之后，接着执行第(N+1)次的所述写入过程。

公开(公告)号：CN101933096A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103512.8

申请日：2009-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  村冈俊作 ,  饭岛光辉 ,  河合贤 ,  岛川一彦

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79

Abstract: 提供不使构成各存储单元的选择晶体管的尺寸变大，而能够实现稳定的动作的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(200)具备：半导体基板(301)，具有第一导电型的P型阱(301a)；存储单元阵列(202)，具备多个由在半导体基板(301)上形成的电阻变化元件(R11)和晶体管(N11)串联连接而构成的存储单元(M11)等；以及基板偏置电路(220)，在对构成被选择的存储单元(M11)等的电阻变化元件(R11)施加写入用的电压脉冲时，对P型阱(301a)施加偏置电压(VB)，以使其相对于晶体管(N11)的源极及漏极成为顺向。

公开(公告)号：CN101755338A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025026.4

申请日：2008-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  三河巧 ,  有田浩二 ,  饭岛光辉 ,  冈田崇志

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。