公开(公告)号：CN1341994A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01119195.3

申请日：2001-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H03H11/48

CPC classification number: H03H11/48

Abstract: 提供一种损耗低的有源电感器。晶体管M1的漏极通过电容器Cc3连接在晶体管M2的源极上。另外,电阻R和电容器Cc1串联连接设置在晶体管M1的源极和晶体管M2的栅极之间。另外晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极通过电容器Cc2连接。而且通过将适当的直流偏置电位P1、P2、P3分别供给晶体管M2的漏极和晶体管M1的栅极、晶体管M1的漏极,在晶体管M2的栅极及源极之间能获得有源电感器。

公开(公告)号：CN1282104A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN00108976.5

申请日：2000-05-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 提供一种制造半导体装置的方法,其中,可得到谋求减少漏泄电流而不将集成度损害到必要程度以上的MOS晶体管。在形成具有第1侧壁10的MOS晶体管结构4～10后,在整个面上形成层间绝缘膜11。在该层间绝缘膜11上淀积氮化硅膜12a。其次,只在存储单元区MA中贯通层间绝缘膜11和氮化硅膜12a形成槽31和32,使侧壁10的侧面露出。然后,在存储单元区MA中与侧壁10邻接地形成作为第2侧壁的侧壁34。

公开(公告)号：CN1310323C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN01112236.6

申请日：2001-03-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是在增强晶体管的电流驱动能力的同时促进接通工作。二极管QN1与作为半导体可控整流器(SCR)的构成要素的2个双极型晶体管PB1、NB1之一在促进正反馈的方向上并联连接。

公开(公告)号：CN1158709C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN98119290.4

申请日：1998-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/28525 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/91 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766

Abstract: 公开一种能抑制源/漏区的n-p结部分的泄漏电流的半导体装置及其制造方法。在源/漏区形成沟，形成沟时将源/漏区的主表面除去，与沟形成前相比，能使源/漏区的表面积增大，所以能减小集中在分离氧化膜的端部附近的源/漏区或半导体衬底上的每单位面积上的应力，抑制微小缺陷的发生。其结果，能抑制由因应力造成的微小缺陷引起的泄漏电流，延长刷新间歇时间，即能提高刷新特性。

公开(公告)号：CN1448943A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02154049.7

申请日：2002-12-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C11/16

Abstract: 提供一种能按照任意的时序读出连接在同一位线上的不同地址的存储单元的信息的MRAM。地址为AD00的存储单元备有串联连接在位线BL0a和BL0b之间的MOS晶体管Q1及Q2；以及磁隧道电阻元件MR00，MOS晶体管Q1及Q2的栅极连接在字线WL0a及WL0b上。存储线ML0及ML1分别通过N沟道型的MOS晶体管Q3及Q31，共同连接在参考电压源VR1上，同时分别连接在带有开关的电流源S1及S2上。位线BL0a、BL0b、BL01a及BL1b分别连接在带有开关的缓冲器B1～B4的输入端上，各自的输出供给读出放大器SA1。

公开(公告)号：CN1438688A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02140029.6

申请日：2002-12-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 获得一种具有能够高精度地测定电容值的CBCM用电路的半导体器件。构成CBCM用电路的MOS晶体管具有以下结构。亦即，在主体区16的表面内选择地形成源·漏区4、4’，分别形成从相互对置的源·漏区4、4’的前端部延伸的延伸区5、5’。在包含延伸区5、5’的源·漏区4、4’之间的上面形成栅绝缘膜7，在栅绝缘膜7上形成栅电极8。但是，在延伸区5(5’)的前端部和延伸区5的周边部，不形成相当于比沟道区的杂质浓度更高的已有结构的小袋区6(6’)的区域。

公开(公告)号：CN1404154A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02132295.3

申请日：2002-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  滨本武史 ,  田中义典

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/70

CPC classification number: G11C7/065 ,  G11C11/4091 ,  G11C2207/065 ,  H01L27/10897 ,  H03K19/0016

Abstract: 本发明的课题是提供防止了各个读出放大器的读出速度因多个读出放大器的驱动而下降的半导体装置。在外延层3的主面内有选择地配置了包含P型杂质的P型阱层6，以与P型阱层6的底面相接的方式配置了包含N型杂质的N型底层7。而且，以与N型底层7相接的厚度配置了P型阱层2，用N型底层7和P型阱层2形成了PN结。此外，在外延层3的主面内有选择地配置了包含N型杂质的N型阱层4和包含P型杂质的P型阱层5，以使P型阱层6夹在其间。

公开(公告)号：CN1377067A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN01142901.1

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明的课题在于得到能适当地抑制因掺杂剂的穿透引起的阈值电压的变动的半导体装置的制造方法。在非晶硅膜21内注入高浓度的氢离子40。利用氢离子40的离子注入,在非晶硅膜21内形成氢离子注入层41。其次,通过进行热处理,在形成了氢离子注入层41部分以外的非晶硅膜21内形成柱状晶粒。另一方面,在氢离子注入层41内形成粒状晶粒。粒状晶粒层42具有沿多晶硅膜44a的膜厚方向延伸的晶粒边界及沿多晶硅膜44a的膜厚方向以外的方向延伸的晶粒边界等在多个方向上延伸的多个晶粒边界。

公开(公告)号：CN1374612A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN01145438.5

申请日：2001-10-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: G06F17/60

CPC classification number: G06Q30/02 ,  G06Q40/08

Abstract: 本发明提供用于对客户委托保管的电子数据进行保管的受委托者的信息管理装置/信息管理系统,所述信息管理装置/信息管理系统在委托保管信息受到某种损害时,可简单快捷地对客户赔偿损失,客户也可迅速知道损失额。而且,受委托者还可以在自己的业务中利用委托保管的信息。客户与保险公司签订了损失保险合同后,将有关信息存储在受委托者服务器SV中。服务器SV对损失进行核定,计算出损失保险金额后通知委托保管人及保险公司。并且,在委托保管信息中包含有消费意向信息,根据这些信息可以统计出大众消费倾向并提供给委托保管人。

公开(公告)号：CN1341941A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01122482.7

申请日：2001-07-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/40 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明的课题是提供既可迅速地进行使记忆内容反转的写入、又可减少不需要的功耗的存储器。晶体管MN9、MN10串联连接在节点N1与写入位线41之间。晶体管MN9、MN10的栅分别与写入控制线44和写入字线31连接。写入控制线44供给与写入位线41、互补写入位线42的“异或”,运算值相当的电位。通过预先将写入工作中不使用的写入位线41、互补写入位线42预充电为相同的电位,晶体管MN9关断。