公开(公告)号：CN105789221B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201610219710.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  阿部贵征 ,  宍户英明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开的发明名称为“半导体装置”。本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。

公开(公告)号：CN103400862B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201310329571.5

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  阿部贵征 ,  宍户英明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。

公开(公告)号：CN103400861B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310329048.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  阿部贵征 ,  宍户英明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。

公开(公告)号：CN101853884B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010156982.5

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  阿部贵征 ,  宍户英明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。

公开(公告)号：CN102160178B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200980136504.3

申请日：2009-08-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 阿部贵征 ,  高桥康之

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11206 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/94 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了包括存储单元的半导体器件。存储单元包括晶体管、存储元件及电容器。存储元件的第一电极及第二电极中的一个以及电容器的第一电极及第二电极中的一个由同一金属膜形成。起着存储元件的第一电极及第二电极中的一个以及电容器的第一电极及第二电极中的一个的作用的金属膜与起着电容器的第一电极及第二电极中的另一个的作用的膜重叠。

公开(公告)号：CN101853884A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010156982.5

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  阿部贵征 ,  宍户英明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。