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公开(公告)号：CN108963105B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810710610.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及一种发光装置，该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光元件，第一柔性衬底的第一面和第二柔性衬底的第二面相对，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一柔性衬底的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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公开(公告)号：CN103400862A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310329571.5
申请日：2010-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3248 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/78606 , H01L29/78645 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。
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公开(公告)号：CN103400861A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310329048.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3248 , H01L29/42376 , H01L29/42384 , H01L29/78606 , H01L29/78645 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。
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公开(公告)号：CN105702745B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610219709.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本公开的发明名称为“半导体装置”。本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。
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公开(公告)号：CN106105388A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012233.6
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/323 , H01L51/0097 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5243 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种起因于裂缝的不良得到降低的柔性装置。另外，提供一种生产率高的柔性装置。另外，提供一种即使保持在高温高湿环境下也不容易产生显示不良的柔性装置。一种发光装置，该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光元件，第一柔性衬底的第一面和第二柔性衬底的第二面相对，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一柔性衬底的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789221A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610219710.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开的发明名称为“半导体装置”。本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。
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公开(公告)号：CN108963105A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810710610.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及一种发光装置，该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光元件，第一柔性衬底的第一面和第二柔性衬底的第二面相对，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一柔性衬底的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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公开(公告)号：CN106105388B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201580012233.6
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/323 , H01L51/0097 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5243 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
Abstract: 提供种起因于裂缝的不良得到降低的柔性装置。另外,提供种生产率高的柔性装置。另外,提供种即使保持在高温高湿环境下也不容易产生显示不良的柔性装置。种发光装置,该发光装置包括第柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第裂缝抑制层以及发光元件,第柔性衬底的第面和第二柔性衬底的第二面相对,缓冲层及第裂缝抑制层设置在第柔性衬底的第面上,缓冲层和第裂缝抑制层相互重叠,发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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公开(公告)号：CN105702745A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610219709.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本公开的发明名称为“半导体装置”。本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。
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公开(公告)号：CN102160178A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136504.3
申请日：2009-08-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L23/5252 , H01L23/53257 , H01L23/53271 , H01L23/5329 , H01L23/66 , H01L24/24 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/94 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 提供了包括存储单元的半导体器件。存储单元包括晶体管、存储元件及电容器。存储元件的第一电极及第二电极中的一个以及电容器的第一电极及第二电极中的一个由同一金属膜形成。起着存储元件的第一电极及第二电极中的一个以及电容器的第一电极及第二电极中的一个的作用的金属膜与起着电容器的第一电极及第二电极中的另一个的作用的膜重叠。
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