公开(公告)号：CN103022012B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210328076.8

申请日：2012-09-06

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 热海知昭 ,  奥田高

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L27/108 ,  G11C11/4063

CPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种半导体存储装置，能降低在半导体存储装置中产生故障的可能性。在叠层配置的存储单元阵列（例如，包括使用氧化物半导体材料构成的晶体管的存储单元阵列）和外围电路（例如，包括使用半导体衬底构成的晶体管的外围电路）之间配置遮蔽层。由此，可以遮蔽在该存储单元阵列和该外围电路之间产生的辐射噪声。因此，可以降低在半导体存储装置中产生故障的可能性。

公开(公告)号：CN104966532A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510388265.8

申请日：2015-06-30

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 艾瑞克·布劳恩 ,  陈达

IPC分类号： G11C17/18

CPC分类号： G11C17/18 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C17/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

摘要： 本发明公开了一种一次性可编程(OTP)存储单元以及OTP存储电路，该OTP存储单元包括存储模块、写模块、读模块以及负载模块。当写模块有效时，数据被写入存储模块；当读模块有效时，存储在存储模块中的数据被读出；负载模块使该OTP存储单元在写操作之前事先进行负载数据预写验证。该OTP存储单元还包括第一锁存模块和第二锁存模块用于锁存数据。本发明公开的OTP存储单元和电路具有自锁存的功能不需要额外的外部锁存模块，同时该OTP存储单元和电路稳定、面积较小且功耗低。

公开(公告)号：CN102714183B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080061272.2

申请日：2010-11-19

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 海宁·杨

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/112 ,  H01L27/1122 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H03K17/687

摘要： 本发明揭示具有应变材料的半导体装置。在特定实施例中，所述半导体装置包含第一单元，所述第一单元包含位于第一漏极与第一源极之间的第一栅极。所述半导体装置还包含邻近所述第一单元的第二单元。所述第二单元包含位于第二漏极与第二源极之间的第二栅极。所述半导体装置进一步包含浅沟槽隔离区域，其位于所述第一源极与所述第二源极之间。所述第一源极上以及所述第二源极上的应变材料的第一量大于所述第一漏极上以及所述第二漏极上的应变材料的第二量。

公开(公告)号：CN101458962B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200810187037.4

申请日：2008-12-12

申请人： 精工电子有限公司

发明人： 津村和宏

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206

摘要： 本发明“非易失性半导体存储装置及其写入与读出方法”提供：用由存储元件以外的MOS晶体管确定的最大工作电压以内的电压进行写入，即使将由所述存储元件以外的MOS晶体管确定的最大工作电压在所要求的期间持续施加，也不会引起数据的反转的非易失性半导体存储装置及其写入方法和读出方法。为此，在同一衬底上形成在栅导通状态下的漏极耐压即导通耐压不同的MOS晶体管，将导通耐压低的一方的MOS晶体管作为存储元件来使用，通过利用在栅导通状态下漏极耐压低，使导通耐压低的一方的MOS晶体管的漏极/衬底间的PN结短路，进行数据的写入。

公开(公告)号：CN102027588B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN200980117249.8

申请日：2009-05-12

申请人： 意法半导体(鲁塞)公司

发明人： 帕斯卡尔·福尔纳拉

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/02 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  G11C16/00 ,  G11C17/00

CPC分类号： H01L27/1052 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11213 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521

摘要： 本发明涉及一种非易失性存储器(M)，包括：至少第一存储单元和第二存储单元(Cellg)，每个存储单元包括具有双栅极(21，23)的存储MOS晶体管(Tg’)，该存储MOS晶体管具有设置在所述两个栅极之间的绝缘层(22)。第二存储单元(Cellg)的存储晶体管(Tg’)的绝缘层(22)包括比第一存储单元的存储晶体管的绝缘层的绝缘性低的至少一部分(29)。

公开(公告)号：CN102150268B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980135232.5

申请日：2009-09-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 斋藤利彦

IPC分类号： H01L27/10

CPC分类号： H01L27/112 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11206 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 为了实现不会使存储单元的面积增大地增大存储单元中的单位面积电容值的半导体存储器件，存储单元包括晶体管、存储元件、第一电容器和第二电容器。第一电容器包括晶体管中所包括的半导体膜、栅极绝缘膜和栅电极，并且与晶体管同时形成。第二电容器包括存储元件中所包括的电极和在电极上形成的绝缘膜和电极。并且，第二电容器是在第一电容器上形成的。这样，形成与存储元件并联连接的第一电容器和第二电容器。

公开(公告)号：CN102332454B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010226845.4

申请日：2010-07-15

申请人： 复旦大学

发明人： 林殷茵 ,  王明

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18

CPC分类号： H01L27/112 ,  G11C17/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/538 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。

公开(公告)号：CN103022040A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110301094.2

申请日：2011-09-28

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 王锴 ,  杜鹏 ,  蔡建祥 ,  许宗能

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L27/112 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11266

摘要： 一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源极和漏极同型，第二MOS管的源极和漏极反型。因此，这两种不同结构的MOS管可分别用于存储二进制里“0”和“1”信息。在其制作方法中，同一类型的漏极、源极可以同步做，无需额外的掩模板，可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板。

公开(公告)号：CN102893382A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024699.X

申请日：2011-04-29

申请人： 桑迪士克科技股份有限公司

发明人： G.撒玛奇萨 ,  J.奥斯梅尔 ,  A.麦尼亚

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84 ,  H01L27/112 ,  H01L27/12 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/77 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/24 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/1214 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/24 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： 一种非易失性存储器设备（200）包括至少一个无结晶体管及一个存储区。无结晶体管是薄膜晶体管（TFT），并且包括有两个维度小于100纳米的无结、重掺杂的半导体沟道（204）。存储器设备可以是NAND快闪存储器或电阻-切换存储器。存储器单元可以在三维上集成。

公开(公告)号：CN102714183A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061272.2

申请日：2010-11-19

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 海宁·杨

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/112 ,  H01L27/1122 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H03K17/687

摘要： 本发明揭示具有应变材料的半导体装置。在特定实施例中，所述半导体装置包含第一单元，所述第一单元包含位于第一漏极与第一源极之间的第一栅极。所述半导体装置还包含邻近所述第一单元的第二单元。所述第二单元包含位于第二漏极与第二源极之间的第二栅极。所述半导体装置进一步包含浅沟槽隔离区域，其位于所述第一源极与所述第二源极之间。所述第一源极上以及所述第二源极上的应变材料的第一量大于所述第一漏极上以及所述第二漏极上的应变材料的第二量。