公开(公告)号：CN108766952A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810496022.X

申请日：2018-05-22

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 于奎龙 ,  韩坤

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L27/112

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L27/11206

摘要： 本发明提供一种电可编程熔丝结构、集成电路及电子装置，所述电可编程熔丝结构，对连接阳极和阴极的熔丝的几何形状进行优化设计，即在熔丝的热量集中位置处增设加宽部，以加宽该位置的熔丝宽度，减小此处的电阻，降低此处的热量积累速率，可以使得熔丝能够承受更高的编程电流而不发生编程击穿，提高电可编程熔丝结构的编程窗口上限，而且同时不会影响其编程窗口下限，由此可以扩大电可编程熔丝结构的编程窗口，降低编程失效率。

公开(公告)号：CN104464805B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201410298341.1

申请日：2014-06-27

申请人： 卡比科技有限公司

发明人： 林崇荣 ,  金雅琴

IPC分类号： G11C16/06 ,  H01L27/112

CPC分类号： H01L27/11206 ,  H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种记忆体阵列及其非挥发性记忆装置。非挥发性记忆装置包含：基板区、二储存单元、间隙壁结构及二控制单元。二储存单元包含：各与基板区间形成有栅极介电层的二反熔丝栅极结构以及二扩散区。间隙壁结构形成于基板区上及反熔丝栅极结构间，接触于反熔丝栅极结构。扩散区分别为以第一型杂质布植的第一布植区，分别接触于二反熔丝栅极结构其中之一。控制单元各包含：选择栅极以及第二布植区。选择栅极形成于基板区上，并与基板区间形成有介电层，其第一侧与储存单元的二扩散区其中之一接触。第二布植区以第一型杂质布植形成于基板区中，并接触选择栅极的第二侧。

公开(公告)号：CN104183643B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410213740.3

申请日：2014-05-20

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 卓荣发 ,  陈学深 ,  郭克文

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42364 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/42388 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有抗熔丝配置的晶体管设备及其形成方法，也就是提供一种具有抗熔丝配置的晶体管设备及形成该晶体管设备的方法。该示例性晶体管设备包括：半导体基板，包括有第一鳍片。第一绝缘层，覆盖于该半导体基板上并具有小于该第一鳍片的高度的厚度。该第一鳍片延伸通过并突出于该第一绝缘层，以设置埋入鳍片部分及暴露鳍片部分。栅极电极结构，覆盖于该暴露鳍片部分上。栅极绝缘结构，设置在该第一鳍片与该栅极电极结构之间。该栅极绝缘结构包含有覆盖于该第一鳍片的第一表面上的第一介电层。该栅极绝缘结构还包含有覆盖于该第一鳍片的第二表面上的第二介电层。潜在击穿路径定义为通过该第一介电层在该第一鳍片与该栅极电极结构之间。

公开(公告)号：CN107437546A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710398433.0

申请日：2017-05-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张盟昇 ,  张贝眉 ,  周绍禹 ,  张良川

IPC分类号： H01L27/112 ,  G11C17/16

CPC分类号： H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L21/823475

摘要： 本揭露提供一种集成电路。具体的，本揭露提供一种非易失性存储器，其包含：第一熔丝，其制作于集成电路的第一导电层上；第二熔丝，其制作于所述集成电路的第二导电层上；和晶体管，其制作于所述集成电路的前段工艺FEOL结构上。所述非易失性存储器的第一存储器单元是由包括所述第一熔丝和所述晶体管的第一存储器电路提供，且所述非易失性存储器的第二存储器单元是由包括所述第二熔丝和所述晶体管的第二存储器电路提供。

公开(公告)号：CN107039057A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710035101.6

申请日：2017-01-17

申请人： 力旺电子股份有限公司

发明人： 蔡侑霖 ,  黄正达 ,  林俊宏 ,  黄玉萍

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C17/18 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0673 ,  G06F11/1076 ,  G06F12/1408 ,  G06F21/72 ,  G06F21/73 ,  G06F2212/1052 ,  G06F2212/402 ,  G11C5/063 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C7/24 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/08 ,  G11C16/22 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C17/16 ,  G11C29/785 ,  H01L27/11206 ,  H03K3/356113 ,  H04L9/3278 ,  G11C5/147

摘要： 本发明公开了一种电源切换装置，包括第一位准移位电路、第一晶体管、第二晶体管、第二位准移位电路、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第六晶体管。第一晶体管耦接于第一位准移位电路。第二晶体管耦接于第二位准移位电路。第一晶体管用以产生输出电压。第五晶体管及第六晶体管组成电压选择器。第三晶体管及第四晶体管耦接于第二晶体管，用以控制电压选择器输出至第一位准移位电路及第二位准移位电路的驱动电压。电源切换装置中，输入至第一位准移位电路及第二位准移位电路的驱动电压在写入模式或是在读取模式下都能保持稳定。

公开(公告)号：CN106887425A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610076290.7

申请日：2016-02-03

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： A·F·卢瓦索 ,  J·M·卢凯特伊斯 ,  E·G·盖布雷塞拉西 ,  R·A·波勒 ,  A·D·斯特里克 ,  A·Y·吉纳维

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L27/02

CPC分类号： G11C7/24 ,  G11C5/005 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/11206 ,  H01L23/62

摘要： 本发明涉及一种用于电熔丝的静电放电保护结构，是关于半导体结构，并且更具体地说，是关于用于电熔丝的静电放电(ESD)保护结构。本结构包括一种有效耦合至电熔丝的静电放电(ESD)保护结构，该ESD保护结构经结构化以防止因源于来源的ESD事件而导致该电熔丝的非刻意编程。

公开(公告)号：CN106816171A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610663270.X

申请日：2016-08-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖忠志 ,  吴显扬

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/112

CPC分类号： G11C17/18 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/94 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069

摘要： 本发明公开一种反熔丝存储器架构以及反熔丝存储器操作方法，该反熔丝存储器架构包括一字元线、一位元线以及一反熔丝单元。反熔丝单元包括一读取装置，读取装置包括连接至字元线的一第一栅极电极、位于第一栅极电极的下方的一第一栅极介电层、连接至位元线的一漏极区以及一源极区。第一栅极介电层具有一第一厚度。漏极区以及源极区是位于第一栅极电极相对的两侧。反熔丝单元还包括一编程装置，编程装置包括连接至字元线的一第二栅极电极、设置于第二栅极电极的下方的一第二栅极介电层。第二栅极介电层具有小于第一厚度的一第二厚度。编程装置还包括一第一源极/漏极区，连接至源极区。

公开(公告)号：CN106486484A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510553281.8

申请日：2015-09-02

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 赖二琨 ,  李峰旻 ,  林昱佑 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L27/112

CPC分类号： H01L27/11206 ,  H01L27/112

摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。此种半导体结构包括一存取装置、一介电层、一势垒层、一第一层间导体、一第一势垒衬层、一第二层间导体、一第二势垒衬层、一存储元件及一顶电极层。存取装置具有二个端子。介电层覆盖存取装置。势垒层设置在介电层上。第一及第二层间导体分别连接至二个端子。第一及第二势垒衬层分别设置在第一及第二层间导体的侧壁上。存储元件设置在第一层间导体上。顶电极层设置在势垒层和存储元件上，并覆盖存储元件。

公开(公告)号：CN106469726A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610101190.5

申请日：2016-02-24

申请人： 力旺电子股份有限公司

发明人： 翁伟哲 ,  吴孟益 ,  何秉隆

IPC分类号： H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H02J1/00 ,  H02J4/00 ,  H01L27/11206

摘要： 本发明公开一种反熔丝型一次编程的存储单元结构及其相关的阵列结构。第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与第四掺杂区形成于阱区内。栅极氧化层覆盖于阱区的表面。第一栅极形成于第一掺杂区与第二掺杂区之间的栅极氧化层上，且第一栅极连接至字符线。第二栅极形成于第三掺杂区与第四掺杂区之间的栅极氧化层上，且第二栅极连接至字符线。第三栅极形成于第二掺杂区与第三掺杂区之间的栅极氧化层上，且第三栅极连接至反熔丝控制线。第一掺杂区与第四掺杂区连接至位线。

公开(公告)号：CN106340517A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610309728.1

申请日：2016-05-11

申请人： 力旺电子股份有限公司

发明人： 郭秉郁 ,  陈冠勋 ,  林俊宏

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42364

摘要： 本发明公开一次编程非挥发性存储胞，包括一具单栅极结构的一第一浮动栅晶体管、一隔离晶体管与一选择晶体管。第一浮动栅晶体管的第一端连接至该第二控制线。第一浮动栅晶体管的浮动栅极为浮接。隔离晶体管的第一端连接至第一浮动栅晶体管的第二端。隔离晶体管的隔离栅极连接至隔离线。选择晶体管的第一端连接至隔离晶体管的第二端。选择晶体管的第二端连接至第一控制线。选择晶体管的选择栅极连接至字符线。