公开(公告)号：CN104205341B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380018474.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  高丸泰 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。

公开(公告)号：CN104396019A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032605.2

申请日：2013-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  宫本忠芳 ,  小川康行 ,  高丸泰 ,  伊东一笃 ,  松尾拓哉 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。

公开(公告)号：CN103238177B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201280003994.1

申请日：2012-08-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川康行 ,  金子诚二 ,  山本薰 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G06F1/3265 ,  G09G3/3618 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/022 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2360/18 ,  G09G2370/08

Abstract: 提供能基于发送的指令所包含的视频数据来以较小的功耗显示变化较小的图像的显示装置及其驱动方法。显示定时控制器（31）按照每1帧期间判断在从外部发送的指令中是否包含更新的视频数据。其结果是，在判断为不包含更新的视频数据的情况下，不进行由帧存储器（36）保存的视频数据的读出并停止画面的刷新。另外，在判断为包含更新的视频数据的情况下，读出由帧存储器（36）保存的视频数据并进行画面的刷新。

公开(公告)号：CN104247031A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。

公开(公告)号：CN104081507A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN103843056A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048662.5

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2370/08

Abstract: 本发明提供一种减少功耗、显示部和视频信号线驱动电路形成为一体的显示装置。源极驱动器（300）包括移位寄存器（310）和采样电路（320）。采样电路（320）包括采样块（40（1）～40（k））。各采样块包括3个薄膜晶体管。移位寄存器基于源极时钟信号（SCK2）输出选择信号（SEL（1）～SEL（k））。选择信号（SEL（1）～SEL（k））被提供给采样块（40（1）～40（k））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2）中，移位寄存器（310）基于中止期间频率（fck2）的源极时钟信号（SCK）而进行动作。中止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

公开(公告)号：CN103250202A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201280004022.4

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/36 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2310/0218 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2330/023

Abstract: 提供降低功耗的SSD方式的显示装置。选择电路（400）包括k个选择块（410（1）～410（k））。各选择块包括3个薄膜晶体管。对这3个薄膜晶体管的栅极端子分别提供3相的选择控制信号（CT）。在扫描期间（T1）之后设置停止期间（T2）。在停止期间（T2），根据停止期间频率（fck2）的选择控制信号（CT），各选择块中的3个薄膜晶体管成为导通状态。停止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

公开(公告)号：CN101803031B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880107582.6

申请日：2008-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木村知洋 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/105

Abstract: 本发明提供一种能够抑制泄露电流的产生的半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明是具有在基板的一方主面侧按顺序层叠了半导体层、绝缘膜以及栅极电极的构造的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括添加工序，在该添加工序中，对半导体层的至少与栅极电极相对的区域添加杂质，使得半导体层的端部的与栅极电极相对的区域的杂质浓度大于半导体层的端部以外的与栅极电极相对的区域的杂质浓度。

公开(公告)号：CN108140946B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201680059376.7

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

Abstract: 扫描天线(1000B)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)～(1000Bd)贴合的拼接结构，多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分，多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处，包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。

公开(公告)号：CN108140945A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058659.X

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置；插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽，贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极，在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内，从对应的源极总线供给数据信号，施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。