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公开(公告)号：CN1260742C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03153093.1
申请日：2003-08-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3224 , C04B2235/6025 , H01C7/021 , H01C17/006 , H01C17/281
Abstract: 一种叠层型PTC热敏电阻器制造方法，相互叠层内部电极和具有正电阻温度特性的半导体陶瓷层，在陶瓷坯体上形成外部电极，如此形成叠层型PTC热敏电阻器，其特征在于通过具有如下工序：第1工序，相互叠层成为上述内部电极的内部电极用导电性胶和成为上述半导体陶瓷层的陶瓷生片，形成叠层体；第2工序，烧结上述叠层体，形成陶瓷坯体，在该陶瓷坯体的两端面上形成上述外部电极；第3工序，对形成上述外部电极的上述陶瓷坯体进行60℃以上200℃以下的热处理，提高了叠层型PTC热敏电阻器的可靠性，可使通电试验中的室温电阻的随时间变化稳定化。
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公开(公告)号：CN1507634A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03800195.0
申请日：2003-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C17/065 , H01C7/021 , H01C7/18 , H01C17/006
Abstract: 一种迭层型陶瓷电子元件的制造方法。该方法包括制作包含热敏电阻原料层及内部电极层的未烧结的迭层体的工序(41)、将该迭层体以80℃以上300℃以下的温度进行热处理的工序(42)、对热处理后未烧结的迭层体实施干式滚磨的工序(43)、将外部电极膜形成于该迭层体的各端面上的工序(44)、以及该迭层体与各电极膜一起烧成的工序(45)，实施上述工序能制造迭层型正特性的热敏电阻。以此能稳定地生产具有高可靠性的迭层型正特性热敏电阻。
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公开(公告)号：CN110088556B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201880005148.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明是均热板，具有：壳体，其由外缘部接合起来的对置的第1片材和第2片材构成；柱，其在上述第1片材和第2片材之间从内侧对它们进行支承；以及工作液，其被封入于上述壳体内，上述第1片材和第2片材在接合部和距接合部最近的上述柱间之间不具有角度为90°以下的角部，均热板满足下述式1，式1：0.02≤b/a≤0.3[式中：a是从最外侧的柱的外缘起至第1片材与第2片材的接合部的内缘止的距离(mm)，b是上述最外侧的柱的外缘处的第1片材与第2片材之间的距离(mm)]。
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公开(公告)号：CN110088556A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880005148.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明是均热板，具有：壳体，其由外缘部接合起来的对置的第1片材和第2片材构成；柱，其在上述第1片材和第2片材之间从内侧对它们进行支承；以及工作液，其被封入于上述壳体内，上述第1片材和第2片材在接合部和距接合部最近的上述柱间之间不具有角度为90°以下的角部，均热板满足下述式1，式1：0.02≤b/a≤0.3[式中：a是从最外侧的柱的外缘起至第1片材与第2片材的接合部的内缘止的距离(mm)，b是上述最外侧的柱的外缘处的第1片材与第2片材之间的距离(mm)]。
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公开(公告)号：CN102245536B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980149760.6
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: C04B35/638 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/252
Abstract: 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101268528B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200680034323.6
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明的层叠型正特性热敏电阻的半导体陶瓷层，以BaTiO3系陶瓷材料为主成分，Ba位点和Ti位点之比为0.998～1.006且包括从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂。该层叠型正特性热敏电阻的内部电极层的厚度d以及半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D＜0.2。从而，即使在实际测量烧结密度降低到理论烧结密度的65～95％这样的半导体陶瓷层的情况下，不采用热处理等烦杂的方法，也能实现室温电阻值随时间的变化率小的层叠型正特性热敏电阻。在半导体体化剂的含有量相对Ti100摩尔部为0.1～0.5摩尔部时，能进行1150℃的低温烧制，能够得到低的室温电阻值和足够大的电阻变化率。
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公开(公告)号：CN101268527B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680034077.4
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
Abstract: 在本发明的层叠型正特性热敏电阻中，半导体陶瓷层以BaTiO3系陶瓷材料为主要成分，并且，Ba位点与Ti位点之比为0.998～1.006，作为半导体化剂而从Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm选择的至少一种元素相对于Ti100摩尔部含有0.1摩尔部以上0.5摩尔部以下。由此，即便是在实测烧结密度为理论烧结密度的65％～90％等烧结密度低的半导体陶瓷层情况下，也能够实现具有充分大的电阻变化率、且居里点以上的温度下的电阻上升系数高的层叠型正特性热敏电阻。
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公开(公告)号：CN1174440C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN00136080.9
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025 , H01C1/1406
Abstract: 本发明揭示一种单片半导体陶瓷电子元件，包括钛酸钡系列半导体陶瓷层和内部电极层，并将它们交替地进行叠层，形成外部电极并使其连接到内部电极层上，每个半导体陶瓷层的厚度S对于每个内部电极层的厚度I的比S/I在10到50的范围。内部电极层由镍系列金属组成。
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公开(公告)号：CN1366311A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01143987.4
申请日：2001-12-24
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C17/06533 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , H01C7/021 , H01C7/025 , H01L29/24
Abstract: 一种陶瓷电子部件,它包括具有半导体陶瓷层和内电极的部件本体。所述半导体陶瓷层和内电极交替叠合。半导体陶瓷层的相对密度约为90%或更小并且不含烧结添加剂。部件本体的两侧带有外电极。该陶瓷电子部件具有低电阻和高耐电压。
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公开(公告)号：CN1305194A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00136080.9
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025 , H01C1/1406
Abstract: 本发明揭示一种单片半导体陶瓷电子元件,包括钛酸钡系列半导体陶瓷层和内部电极层,并将它们交替地进行叠层,形成外部电极并使其连接到内部电极层上,每个半导体陶瓷层的厚度S对于每个内部电极层的厚度I的比S/I在10到50的范围。内部电极层由镍系列金属组成。
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