公开(公告)号：CN102197425A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142558.0

申请日：2009-11-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤贤治 ,  田中努 ,  涡卷拓也 ,  西桥勉 ,  森田正 ,  渡边一弘

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 本发明的目的是提供能够制造磁存储介质的简单制造方法、可以通过该简单制造方法制造的具有高记录密度的磁存储介质以及信息存储装置。通过具有以下步骤的制造方法制造磁盘(10)：成膜步骤(A)，在基板(61)上形成由Co-Cr-Pt合金制成的且具有小于10nm的厚度的磁性膜(62)；以及离子注入步骤(C)，将离子局部地注入除了形成磁性点的多个区域以外的其他区域降低其饱和磁化强度，从而在所述磁性点之间形成饱和磁化强度比所述磁性点的饱和磁化强度小的所述点间分隔体，在磁性点中以磁的方式记录信息。

公开(公告)号：CN101861640A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116198.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 崎尾进 ,  竹井日出夫 ,  齐藤一也 ,  渡边一弘 ,  井口真介 ,  山川洋幸 ,  中村久三 ,  林郁欣 ,  张晃崇 ,  吴东荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05K3/381 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/24 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2203/095 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。

公开(公告)号：CN102160116B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980136655.9

申请日：2009-09-17

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 西桥勉 ,  渡边一弘 ,  森田正 ,  佐藤贤治 ,  田中努 ,  涡卷拓也

IPC: G11B5/84

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。

公开(公告)号：CN102171757A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138594.X

申请日：2009-09-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤贤治 ,  田中努 ,  涡卷拓也 ,  西桥勉 ,  森田正 ,  渡边一弘

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/65 ,  G11B5/673

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 通过不会削弱量产能力的方法来制造具有高记录密度的磁存储介质。通过包括以下步骤的制造方法来制造磁存储介质(10)：磁性膜形成步骤，在基板(61)上形成磁性膜(62)；以及点间分隔步骤，通过将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到磁性膜(62)的除了分别是以磁的方式记录信息的磁性点(62c)的多个区域之外的区域来降低饱和磁化，从而在所述磁性点(62c)之间形成饱和磁化比所述磁性点(62c)的饱和磁化小的分隔区域(62d)。

公开(公告)号：CN102067303A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201080001888.0

申请日：2010-02-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 上村隆一郎 ,  渡边一弘 ,  桥本龙司

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种晶片搬送用托盘，可以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的有效区域，并且无需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片，该晶片搬送用托盘(302)包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的静电吸附电极(306)，针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子(305a)，弹簧式端子构成为其前端部分可以接触到静电吸附电极，在供电部分的周边设置有密封部件(305b)，使得温度交换介质不蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部，而且可以将晶片(S)通过静电吸附固定到托盘上。于是，可以在该晶片搬送用托盘上通过静电吸附固定晶片。