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公开(公告)号：CN1898358A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001325.0
申请日：2005-08-25
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/442 , C04B2235/656 , C04B2235/766 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/9646 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供可以抑制制造成本且可以降低色度偏移的氧氮化物荧光体以及发光器件。设计的荧光体11由通式(Ca1－zYz)x(Si，Al)12(O，N)16:Eu2+y表示，主相具有α－塞隆结晶结构，0＜z＜0.15。
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公开(公告)号：CN101952755B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200980106226.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/02085 , G02B6/122 , G02B6/124 , G02B6/29394 , G02B2006/02166 , G02F2001/0151 , G02F2201/063 , G02F2201/307
Abstract: 设定一种基板型光波导元件，其中，光波导的芯具备：内侧芯，具有形成肋结构的凸部；和外侧芯，设置于该内侧芯之上并覆盖上述凸部的周面，外侧芯的折射率低于内侧芯的平均折射率。对于该基板型光波导元件的构造，芯也可以使用硅(Si)和氮化硅(SixNy)等的具有比硅玻璃系材料高的折射率的材料。
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公开(公告)号：CN101952754B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980106220.X
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/124 , G02B6/29325 , G02B6/29394
Abstract: 本发明提供一种基板型光波导元件和波长色散补偿元件及其设计方法。该基板型光波导元件具有光波导的芯、和设在该芯上的第1和第2布拉格光栅图样，上述第1和第2布拉格光栅图样沿着光的波导方向排列。
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公开(公告)号：CN101668829B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200880010078.4
申请日：2008-02-20
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7792 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/766 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种赛隆荧光体，其特征在于，具有由通式(1)所示的组成，至少主相具有α-型赛隆结晶结构，且0.25≤p≤0.65。Lup(Si，Al)12(O，N)16:Euq (1)。
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公开(公告)号：CN1834197B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610058561.2
申请日：2006-03-16
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/442 , C04B2235/5436 , C04B2235/766 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 一种由可见光激发并发射可见光的粉末荧光材料，含有含量低于2质量％的20μm或更小粒径的颗粒。制造该粉末荧光材料的方法包括下列步骤：烧结荧光材料的原料粉末，在所述烧结之后用酸溶液化学处理所烧结的粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881629A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610058559.5
申请日：2006-03-16
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人特质·材料研究机构
CPC classification number: C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/766 , C04B2235/767 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种发光器件包含发射蓝紫或蓝光的半导体发光元件和荧光材料，该荧光材料吸收由所述半导体元件发射的全部和部分光并且发射不同于该光波长的荧光，其中所述荧光材料是第一荧光材料、第二荧光材料和第三荧光材料的混合物，所述第一荧光材料发射绿或黄－绿光，是铕激活β－SiAlON荧光材料，所述第二荧光材料具有比所述第一荧光材料更长的发射波长并发射黄－绿、黄或黄－红光，是铕激活α－SiAlON荧光材料，所述第三荧光材料具有比所述第二荧光材料更长的发射波长并发射黄－红或红光，是通式(Ca，Eu)AlSiN3表示的氮化物结晶红色荧光材料。
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公开(公告)号：CN1834197A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610058561.2
申请日：2006-03-16
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人特质·材料研究机构
CPC classification number: C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/442 , C04B2235/5436 , C04B2235/766 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 一种由可见光激发并发射可见光的粉末荧光材料，含有含量低于2质量％的20μm或更小粒径的颗粒。制造该粉末荧光材料的方法包括下列步骤：烧结荧光材料的原料粉末，在所述烧结之后用酸溶液化学处理所烧结的粉末。
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公开(公告)号：CN115917990A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180046400.4
申请日：2021-02-08
IPC: H04B7/08
Abstract: 一种相控阵天线(1)，其包括：多个天线元件(11a至11d)；连接至天线元件中的每一个的多个信号路径(R11和R12)；存储单元(M)，其被配置成存储通过关于天线元件中的至少一个天线元件的多个信号路径中的至少一个预定义参考路径传递的信号的幅度或相位中的至少一个的设定值；以及幅度和相位控制单元(22或26)，其被配置成通过使用存储单元中存储的设定值来控制通过连接至天线元件的参考路径传递的信号的幅度或相位中的至少一个，并且被配置成控制通过除参考路径之外的信号路径传递的信号的幅度或相位。
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公开(公告)号：CN102483491A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161036.5
申请日：2009-08-25
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/136 , B82Y20/00 , G02B6/1223 , G02B6/124 , G02B2006/12107
Abstract: 一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101501874B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200780029757.1
申请日：2007-07-30
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种使用蓝色LED元件，平均演色评价数超过90的演色性高的白色LED。上述白色LED具备：发蓝色光或蓝紫色光的半导体发光元件；和吸收从所述半导体发光元件发出的光的一部分或全部，发出与所述光不同波长的荧光的荧光物质，所述荧光物质是混合下列荧光物质而得到的混合荧光物质：发出蓝绿色光或绿色光的第一荧光物质；发光峰值波长比所述第一荧光物质长，发出绿色光或黄绿色光的第二荧光物质；发光峰值波长比所述第二荧光物质长，发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任意一种光的第三荧光物质；和发光峰值波长比所述第三荧光物质长，发出黄红色光或红色光的第四荧光物质。
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