-
公开(公告)号：CN1906269B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200580001443.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/442 , C04B2235/5427 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的电灯色光发光二极管灯具备：具有发光中心波长为400nm～480nm的半导体蓝色光发光二极管元件(5)；和用于吸收从其发出的光的一部分，发出与该光波长不同的荧光的荧光体(11)。该荧光体(11)用通式Mp(Si，Al)12(O，N)16:Eu2+q表示、主相具有α-塞隆结构。M为Ca、Y、Mg、Li、Sc、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sr中的至少一种，满足0.75≤p≤1.0且0.02＜q＜0.09。从该二极管灯发出的光的色度范围，收纳于连接XYZ表色系色度图上的坐标x＝0.4775，y＝0.4283、x＝0.4594，y＝0.3971、x＝0.4348，y＝0.4185、和x＝0.4214，y＝0.3887表示的4点的四边形表示的电灯色的范围内。
-
公开(公告)号：CN1906269A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001443.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/442 , C04B2235/5427 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的电灯色光发光二极管灯具备：具有发光中心波长为400nm～480nm的半导体蓝色光发光二极管元件(5)；和用于吸收从其发出的光的一部分，发出与该光波长不同的荧光的荧光体(11)。该荧光体(11)用通式Mp(Si，Al)12(O，N)16：Eu2+q表示、主相具有α－塞隆结构。M为Ca、Y、Mg、Li、Sc、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Sr中的至少一种，满足0.75≤p≤1.0且0.02＜q＜0.09。从该二极管灯发出的光的色度范围，收纳于连接XYZ表色系色度图上的坐标x＝0.4775，y＝0.4283、x＝0.4594，y＝0.3971、x＝0.4348，y＝0.4185、和x＝0.4214，y＝0.3887表示的4点的四边形表示的电灯色的范围内。
-
公开(公告)号：CN1834197B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610058561.2
申请日：2006-03-16
Applicant: 株式会社藤仓 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC classification number: C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/442 , C04B2235/5436 , C04B2235/766 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 一种由可见光激发并发射可见光的粉末荧光材料，含有含量低于2质量％的20μm或更小粒径的颗粒。制造该粉末荧光材料的方法包括下列步骤：烧结荧光材料的原料粉末，在所述烧结之后用酸溶液化学处理所烧结的粉末。
-
公开(公告)号：CN101680781B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980000285.6
申请日：2009-03-02
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01K11/3206 , G01B11/18 , G01D5/35303 , G01D5/35316 , G01D5/3538 , G01D5/35393 , G01L1/246
Abstract: 本发明的光频域反射测定方式的物理量测量装置具备：射出测定光的可调谐激光器；一端与该可调谐激光器连接的第一保偏光纤；与该第一保偏光纤的另一端连接的保偏耦合器；一端与该保偏耦合器连接，另一端作为参照用反射端的第二保偏光纤；一端与所述保偏耦合器连接的第三保偏光纤；形成于该第三保偏光纤的纤芯且由光纤光栅构成的传感器；一端与所述保偏耦合器连接的第四保偏光纤；借助该第四保偏光纤与所述保偏耦合器连接，对来自所述传感器的布拉格反射光和来自所述参照用反射端的参照光进行检测的光电二极管；根据由该光电二极管检测出的所述布拉格反射光和所述参照光的合波光强度变化，检测这些布拉格反射光和参照光之间的干涉强度的调制的控制部；向所述第二保偏光纤的正交的两个偏振轴及所述第三保偏光纤的正交的两个偏振轴双方，入射所述测定光的入射部；和配置于所述第三保偏光纤，使来自所述传感器中的正交的两个偏振轴的布拉格反射光的光路长度恒定的光路长度调整部；所述入射部被配置于所述第一保偏光纤、或所述第二保偏光纤与所述第三保偏光纤双方。
-
公开(公告)号：CN103959044A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058234.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01J3/4412 , G01D5/35364 , G01D5/3537 , G01K11/32 , G01N21/65 , G01N25/02 , H01F6/02
Abstract: 本发明是一种具备基体材料、具有77K以上的临界温度的超导层以及金属稳定化层的超导线材(1)的常导过渡的检测方法，光纤(3)配置于超导线材(1)，向光纤(3)入射测定光，并测量测定光的反斯托克斯拉曼散射光的强度，基于反斯托克斯拉曼散射光的强度的变化来检测超导线材(1)发生了常导过渡。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102667456B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180005090.8
申请日：2011-04-06
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01N25/00 , G01K1/14 , G01K3/005 , G01K11/3206 , G01K13/006 , G01K2203/00
Abstract: 本发明涉及超导线材的常导转变的检测方法，是具备基材、具有77K以上的临界温度的超导层以及金属稳定层的超导线材的常导转变的检测方法，其中，将在纤芯上沿着其长度方向形成有多个光纤布拉格光栅的光纤粘接固定于所述超导线材；预先测定所述光纤布拉格光栅的布拉格波长相对所述超导线材的温度变化的变化，根据所述布拉格波长的变化求出用于计测所述超导线材的温度的关系式；利用所述关系式求出所述超导线材发生常导转变的前后的所述多个光纤布拉格光栅的温度变化；基于所述多个光纤布拉格光栅的温度上升开始的时间差和所述多个光纤布拉格光栅的间隔，来计算所述常导转变的传播速度。
-
公开(公告)号：CN101506959B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780030699.4
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社藤仓 , 国立大学法人千叶大学
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/32 , C30B23/08 , C30B29/16
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/46 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631
Abstract: 一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，用于至少使锌和氧到达基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体，在1×10-4Torr以下的真空气氛中，将上述锌的一部分或全部离子化，并使其到达上述基板表面，生长氧化锌系半导体晶体。结果，可提供能够生长晶体的生长速度快、生长表面平坦性和结晶性良好，并且晶体内的杂质极少的氧化锌系半导体晶体的氧化锌系半导体晶体的制造方法。
-
-
公开(公告)号：CN101680782A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000394.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01K11/3206 , G01B11/18 , G01D5/35303 , G01K2007/166 , G01L1/246
Abstract: 本发明的光频域反射测定方式的物理量测量装置具备：一端与可调谐激光器连接、另一端与保偏耦合器连接的第一保偏光纤；一端与上述保偏耦合器连接、另一端为参照用反射端的第二保偏光纤；在纤芯中形成由光纤布拉格光栅构成的传感器、一端与上述保偏耦合器连接的第三保偏光纤；一端与上述保偏耦合器连接的第四保偏光纤；向上述第二保偏光纤的正交的2个偏振轴以及上述第三保偏光纤的正交的2个偏振轴双方射入测定光的入射部，上述入射部配置于上述第一保偏光纤中或配置于上述第二保偏光纤和上述第三保偏光纤双方中。
-
公开(公告)号：CN101506959A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780030699.4
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社藤仓 , 国立大学法人千叶大学
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/32 , C30B23/08 , C30B29/16
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/46 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631
Abstract: 一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，用于至少使锌和氧到达基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体，在1×10－4Torr以下的真空气氛中，将上述锌的一部分或全部离子化，并使其到达上述基板表面，生长氧化锌系半导体晶体。结果，可提供能够生长晶体的生长速度快、生长表面平坦性和结晶性良好，并且晶体内的杂质极少的氧化锌系半导体晶体的氧化锌系半导体晶体的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.043 seconds)
