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公开(公告)号：CN114566482A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210459223.9
申请日：2022-04-28
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/52 , H01L23/49 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种三维扇出封装结构及其制备方法，通过在载板上挖槽，在凹槽及四其周制备金属布线层，然后贴装芯粒，通过金属布线层将芯粒的部分引脚引出到载板正面，塑封后，在塑封层制备导电柱将该部分引脚导出，之后在塑封层制备第一再布线层和第一介质层，完成正面封装；之后对载板背面减薄至金属布线层，露出芯粒的另一部分引脚后制备第二再布线层和第二介电层，完成双面扇出的扇出封装单元制备，将扇出封装单元根据需要堆叠后采用焊球连接，得到三维扇出封装结构。本发明通过双面扇出的扇出封装单元可以有效减少互连距离，便于三维堆叠，在电互连性能上具有很大的优势，其损耗更小，效率更高，大大减少封装工艺难度和降低封装成本。
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公开(公告)号：CN114367730A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111542762.0
申请日：2021-12-16
申请人： 武汉大学
IPC分类号： B23K20/02
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石间接拉伸结构的金刚石/块铜衬底扩散键合工艺及结构。该结构主要包括长方体块铜衬底，用于固定金刚石薄膜的立体的、阵列式排列的几何图形，“十字架”形状的金刚石薄膜。扩散键合的工艺包括对块铜衬底进行机械抛光处理，等离子体清洗，表面溅射合金焊料，在真空环境下，对金刚石薄膜与块铜衬底施加温度和压力，实现二者的扩散键合，通过位移/力/热/电等方式使块铜衬底张开带动金刚石薄膜拉伸，间接使其产生应变。本发明可以实现合金焊料层的厚度均匀，可控，提高扩散键合的剪切强度和键合面积，提高扩散键合的可靠性，通过调整几何图形结构适应待拉伸薄膜，在实现金刚石薄膜高效间接拉伸的同时提高了其通用性。
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公开(公告)号：CN118588637A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410708976.8
申请日：2024-06-03
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本申请属于半导体制造封装技术领域，具体公开了一种基于混合键合的背面供电芯片结构的制备方法及芯片结构，制备方法包括：制备第一半导体结构的第一部分：在第一晶圆上依次至少制备埋入式电源轨、器件层以及信号互连层；制备第一半导体结构的第二部分：在第一晶圆中制备贯穿的第一组硅通孔TSV，且在第一组TSV中填充导电金属柱；制备第二半导体结构；第二半导体结构自下而上至少包括：第二晶圆和供电网络层；使用混合键合工艺将第一半导体结构和第二半导体结构进行键合。通过本申请，提高背面供电芯片的工艺灵活性、制备效率且有效降低成本。
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公开(公告)号：CN116539208A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310423158.9
申请日：2023-04-19
申请人： 武汉大学
摘要： 本申请公开了一种带螺栓层合板的检测装置。该装置包括：第一压电薄膜传感器，安装于螺栓件第一端；第二压电薄膜传感器，安装于螺栓件第二端；第一传感器垫圈组件，包括第一安装垫圈，和覆于传感垫圈上且由环形间隔排布的若干薄膜压电传感器单元形成第一薄膜压电传感器阵列，第一安装垫圈套接在螺栓件第一端外周；第二传感器垫圈组件，包括第二安装垫圈，和覆于传感垫圈上且由环形间隔排布的若干薄膜压电传感器单元形成第二薄膜压电传感器阵列，第二安装垫圈套接在螺栓件第二端外周。本申请将螺栓预紧力检测技术与带孔板孔周损伤监测技术相结合，实现对带孔板及其螺栓连接结构健康的实时监测，为飞行器的翼‑身连接结构安全监测方法提供新思路。
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公开(公告)号：CN116403927A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310297832.3
申请日：2023-03-24
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/66 , G06F18/241
摘要： 本发明属于纳米表征技术领域，公开了一种深孔刻蚀缺陷形貌的表征方法及系统。本发明首先通过散射测量选取满足高灵敏度条件的入射角，然后基于此入射角进行椭偏测量，进而利用深度学习判断深孔刻蚀缺陷类型；之后先增大入射角以适用掩膜检测，然后基于增大后的入射角进行椭偏测量、掩膜变形闭环判断，最终得到缺陷类型结论。本发明充分利用散射测量、椭偏测量和深度学习技术的特性，能够在深孔刻蚀过程中实现在线、无损的表征，能够为高深宽比、刻蚀垂直且上下孔径一致的刻蚀通孔的检测提供一站式解决方案。
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公开(公告)号：CN115312485A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210818024.2
申请日：2022-07-12
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种基于键合前的背面后硅通孔三维半导体集成结构及其工艺。该三维集成结构包括了晶圆基板，互连电路层(包括多金属层)、TSV、微凸点、BCB键合胶层。本发明的工艺方案包括：首先通过进行在晶圆衬底表面刻蚀TSV孔对另一面进行减薄后自上而下电镀出铜导电结构并进行平坦化处理和微凸点制作；正面减薄后分步多次制作多金属层互连结构最后将多个晶圆进行背对正面键合。该半导体集成工艺方案可靠性高，结构紧凑，多层互连电路分开制作，且键合前完成所有工艺步骤，对芯片整体封装结构影响小，各工艺步骤成熟度高，便于进行大规模生产并提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114914196B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210844469.8
申请日：2022-07-19
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 本发明公开一种基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装结构及工艺，该结构包括芯粒、中介层、第一再布线层、第二再布线层、焊球、塑封层等。该结构基于对中介层的设计实现双面扇出，在中介层硅基正面采用等离子体刻蚀得到TSV盲孔并在表面沉积绝缘层；在TSV盲孔中电镀填充铜柱并在上方制作第一层再布线层和凸块。并行的在临时玻璃载板上涂层并制作第二再布线层，并与上述中介层键合。通过导电材料实现中介层凸块与芯粒下方凸块电连接，并塑封。去除临时玻璃载板，并植球以便实现下一层互连。该结构实现双面扇出便于芯粒堆叠，且双层互连层结构降低了信号串扰问题，减少了封装工艺和降低封装成本，中介层由外部工艺提供加速了制造效率。
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公开(公告)号：CN114927500A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210846548.2
申请日：2022-07-19
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/49 , H01L25/18 , H01L21/768 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种基于分布式的双扇出型异构集成三维封装结构及工艺。该结构及工艺主要包括：第一芯粒、第二芯粒制作金属凸块后贴装于第一临时载板上并进行模塑料填充；把芯粒倒装后进行模塑料通孔刻蚀、TMV填充并制作第一再布线层形成第一封装体；将第一封装体与第三芯粒贴装在第二临时载板上；之后进行模塑料填充、减薄；进行二次塑封层打孔、TMV填充、植球、存储芯粒的堆叠并制作第二再布线层形成第二封装体；最后植球实现三维堆叠。该结构基于分布式的双扇出型异构集成技术实现了不同种类异质芯片的三维堆叠，有效提高了封装集成度，同时有效减少了互连距离，在电性能及信号传输方面具有很大的优势。
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公开(公告)号：CN111092039B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911404448.9
申请日：2019-12-30
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/677 , B25J11/00
摘要： 一种高效晶片传输系统包括：2个接收超声传感器、耦合机械手、研磨控制台、清洗控制台、抛光控制台、刻蚀控制台、机械手旋转台等，各控制台包括：12发射超声传感器、晶片存储耦合装置、圆形预对准缓存台、预对准旋转台、晶片输出耦合装置等。本发明使用空间三点式确定所放晶片圆心；通过二级定位方式将耦合机械手抓取中心，与晶片圆心对准。耦合机械手在控制台中从晶片存储耦合装置中将单晶片传输到圆形预对准缓存台处理，六片晶片传输完成后实现一次工艺过程，预对准旋转台回到初始位置，晶片存储耦合装置对称旋转；按照相似操作，处理后的六片晶片传输至晶片输出耦合装置。耦合机械手将六片晶片传输至邻控制台的晶片存储耦合装置作下一工序。
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公开(公告)号：CN114000121B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210003978.8
申请日：2022-01-05
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率。
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