公开(公告)号：CN118983375A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411471167.6

申请日：2024-10-22

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 李伟伟 ,  帅浓 ,  陈路 ,  龚汉红 ,  毛剑宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层；刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极；去除所述介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本公开提供的红外探测芯片的制备方法，可以有效避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应，在后面的制备过程中也降低了钝化层漏电的风险，可以大大提升金属层的导电性效果。

公开(公告)号：CN118248788A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410414257.5

申请日：2024-04-08

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 徐志敏 ,  张国锋 ,  李伟伟 ,  谭必松 ,  毛剑宏 ,  江益坤 ,  姚佳静

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片制造方法，属于半导体技术领域，该碲镉汞红外探测器的芯片制造方法，包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底上设有金属电极；在所述第一衬底的表面形成第二钝化层，所述第二钝化层上具有开口，以暴露出所述金属电极；在所述开口中淀积铟金属，形成凹形的铟底座。通过生长第二钝化层，并在第二钝化层上形成开口，在开口中形成凹形的铟底座，在倒焊过程中防止铟柱侧滑。通过改变开口的直径大小和形状，可以得到所需的开口直径大小和形状，进而获得对应的铟底座。

公开(公告)号：CN117117041A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311315836.6

申请日：2023-10-11

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 李伟伟 ,  陈世锐 ,  谭必松 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片的制备方法，属于半导体制造技术领域，该碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括以下步骤：在基片上依次形成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层至少覆盖所述基片上的芯片区域；对所述基片进行切割或减薄，再分次去除所述第二保护层、所述第一保护层。通过在基片上形成两层保护层，并在减薄或划片工艺后，分次对保护层进行去除，大量的碎屑会随第二保护层一并去除，减少芯片损伤。

公开(公告)号：CN115440612A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211138467.3

申请日：2022-09-19

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 谭必松 ,  李伟伟 ,  黄先念 ,  林欢欢 ,  毛剑宏

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种铟柱高度的监控方法，属于铟柱生长监控技术领域，包括：获取一芯片上光刻孔的第一面积，以及芯片镀铟后光刻孔不包括铟柱的第二面积；根据第一面积和第二面积计算得到芯片镀铟前后的堵孔率；根据堵孔率和铟柱设计高度确定铟柱的实际高度。有益效果：本发明提供一种铟柱高度的监控方法，通过计算铟的堵孔率来对铟柱的沉积高度进行监控，从而达到铟工艺的监控目的，该监控方法能够适用于大规模量产时有效、快捷的监控。