公开(公告)号：CN118116944A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410284921.9

申请日：2024-03-13

申请人： 浙江珏芯微电子有限公司

发明人： 江益坤 ,  姚佳静 ,  徐志敏 ,  龚汉红 ,  谭必松 ,  毛剑宏

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了一种制冷红外探测器及其芯片的制造方法，属于半导体技术领域，该制冷红外探测器芯片的制造方法，包括以下步骤：提供一芯片，所述芯片上形成有若干铟柱，所述芯片为用于形成所述制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片；在载体上形成光刻胶层，将所述载体具有光刻胶层的一侧设置在所述铟柱上进行压焊；去除所述光刻胶层，并移除所述载体。通过在载体上涂覆光刻胶，形成光刻胶层形成平整的表面，再将载体和芯片进行压焊，控制压焊的压力和时长，能够将高度不同的铟柱挤压到同一高度平面，进而提高铟柱的均匀性。

公开(公告)号：CN117976772A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410171969.9

申请日：2024-02-06

申请人： 浙江珏芯微电子有限公司

发明人： 徐志敏 ,  谭必松 ,  李伟伟 ,  毛剑宏 ,  姚佳静 ,  江益坤 ,  张国锋

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/102 ,  H01L21/463

摘要： 本发明提供一种制冷红外芯片的制作方法，包括步骤：将碲锌镉晶圆作为衬底；在碲锌镉衬底上依次生长碲镉汞与钝化层；在芯片顶部匀上光刻胶；对碲锌镉衬底进行减薄；去除光刻胶并进行清洗。本发明通过对碲锌镉衬底进行减薄，减小了填胶烘烤产生的热应力，降低了铟柱因为应力而导致脱落或断裂的可能。

公开(公告)号：CN118248788A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410414257.5

申请日：2024-04-08

申请人： 浙江珏芯微电子有限公司

发明人： 徐志敏 ,  张国锋 ,  李伟伟 ,  谭必松 ,  毛剑宏 ,  江益坤 ,  姚佳静

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/101

摘要： 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片制造方法，属于半导体技术领域，该碲镉汞红外探测器的芯片制造方法，包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底上设有金属电极；在所述第一衬底的表面形成第二钝化层，所述第二钝化层上具有开口，以暴露出所述金属电极；在所述开口中淀积铟金属，形成凹形的铟底座。通过生长第二钝化层，并在第二钝化层上形成开口，在开口中形成凹形的铟底座，在倒焊过程中防止铟柱侧滑。通过改变开口的直径大小和形状，可以得到所需的开口直径大小和形状，进而获得对应的铟底座。

公开(公告)号：CN116230505A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310254591.4

申请日：2023-03-09

申请人： 浙江珏芯微电子有限公司

发明人： 杜宇 ,  陈世锐 ,  黄先念 ,  段鹏 ,  姚佳静 ,  刘竟然 ,  谭必松 ,  毛剑宏

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法，形成方法包括：提供基片，基片上覆盖有剥离材料层；形成光刻胶材料层覆盖剥离材料层，对光刻胶材料层执行第一前烘烤，并冷却预设时间后，再执行第二前烘烤；执行曝光工艺及显影工艺，去除部分光刻胶材料层及剥离材料层，以形成光刻胶图形及剥离图形，剥离图形相对光刻胶图形沿基片表面内缩形成侧向凹槽；执行镀膜工艺，形成半导体薄膜覆盖基片的表面及光刻胶图形的外壁，剩余的侧向凹槽作为剥离窗口；执行剥离工艺，形成半导体图形。本发明中，解决镀膜后半导体薄膜较难剥离及剥离后质量不佳的问题。